国家自然科学基金(69906005)

作品数：6被引量：1H指数：1
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相关作者：林成鲁沈勤我张苗安正华多新中更多>>
相关机构：中国科学院中国科学院上海冶金研究所香港城市大学更多>>
相关期刊：《Science China(Technological Sciences)》《物理》《功能材料与器件学报》《Nuclear Science and Techniques》更多>>
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相关领域：电子电信更多>>
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Gettering of copper impurity in silicon by aluminum precipitates and cavities被引量：1
《Nuclear Science and Techniques》2003年第3期164-167,共4页WU Yan-Jun, ZHANG Miao, ZHANG Ning-Lin, LIN Cheng-Lu(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics. Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology.the Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050) 
Supported by the National Natural Science Foundation of China(No.69906005)and the Shanghai Youth Foundation(No.01QMH1403)
Al precipitates as well as cavities (or open-volume detects) are known for their ability to getter impuri-ties within Si. In order to compare their relative gettering strength we produced both Al precipitates and cavi...
关键词：铜 硅片 铝 过渡金属元素 
Fabrication of thick BOX SOI by Smart-cut technology
《Nuclear Science and Techniques》2003年第2期115-118,共4页WU Yan-Jun, ZHANG Miao, AN Zheng-Hua, LIN Cheng-Lu(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,the Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050) 
Supported by the National Natural Science Foundation of China(No.69906005)and the Shanghai Youth Foundation(No.01 QMH1403)
A SOI material with thick BOX (2.2 μm) was successfully fabricated using the Smart-cut technology. The thick BOX SOI microstructures were investigated by high resolution cross-sectional transmission electron microsco...
关键词：灵活切割技术 微观结构 截面透射电子显微镜 XTEM 电学特性 绝缘硅片 SOI 
SOI材料中Cu杂质的纳米孔吸杂研究
《中国科学（E辑）》2003年第1期47-55,共9页张苗 吴雁军 刘卫丽 安正华 林成鲁 朱剑豪 
国家自然科学基金(批准号:69906005);上海市青年科技启明星后基金(批准号:01QMH1403)资助项目
采用纳米孔吸杂方法对新型硅基材料SOI(silicon-on-insulator)中的Cu杂质进行了吸除研究.室温下,将3.5×1016cm-2的H+或9×1016cm-2的He+注入到SOI氧化埋层下面的硅衬底内,700℃退火形成纳米孔,研究纳米孔对SOI顶层硅中不同剂量Cu杂质(5...
关键词：SOI材料 吸杂 离子注入 纳米孔 铜 金属杂质 化学键吸附 纳米技术 
Cu gettering to nanovoids in SOI materials
《Science China(Technological Sciences)》2003年第1期60-70,共11页张苗 吴雁军 刘卫丽 安正华 林成鲁 朱剑豪 
supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 69906005) and Shanghai Youth Foundation under grant No. 01QMH1403. The authors would like to thank Prof. P. F. P. Fichtner at Universidade do Rio Grande do Sul Brazil for the TEM an
In this paper, the gettering of Cu impurities in silicon-on-insulator (SOI)materials is studied. Nanovoids are formed in the substrate of SOI beneath the buried oxide (BOX) byroom temperature H^+ (3.5 x 10^(16) / cm^2...
关键词：SOI  gettering  ION implantation  nanovoids. 
一种新型SOI结构——SiGe-OI材料研究进展
《物理》2002年第4期219-223,共5页安正华 张苗 门传玲 谢欣云 沈勤我 林成鲁 
国家重点基础研究专项经费 (批准号 :G2 0 0 0 0 36 5 ) ;国家自然科学基金 (批准号 :No 6 990 6 0 0 5 );上海市青年科技启明星计划(批准号 :No 0 1QMH14 0 3)资助项目
SOI(silicononinsulator ,绝缘层上的硅 )技术和SiGe(silicongermanium ,锗硅 )技术都是微电子领域的前沿技术 .SiGe-OI(SiGe -on -insulator ,绝缘层上的锗硅 )新型材料是最近几年来才出现的一种新型SOI材料 ,它同时具备了SOI技术和SiG...
关键词：绝缘层 硅 锗硅 集成电路 SIGE SI SOI结构 iGe-OI材料 
多孔硅外延层转移制备SOI材料的研究
《功能材料与器件学报》2001年第4期355-359,共5页刘卫丽 多新中 张苗 沈勤我 王连卫 林成鲁 
国家自然科学基金项目(69906005和9775062);上海市科学技术发展基金项目(98JC14004)
用多孔硅外延层转移的方法成功地制备出了SOI材料,卢瑟福背散射/沟道谱(RBS/C)和扩展电阻(SPR)的结果表明获得的SOI材料上层硅具有很好的单晶质量,电阻率分布均匀,上层硅与氧化硅埋层界面陡直。对制备多孔硅的衬底材料也作了研究,结果表...
关键词：绝缘体上 多孔硅 外延 SOI材料 
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