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国家自然科学基金(60676027): 作品数：10被引量：25H指数：3; 导出分析报告; 相关作者：陈松岩李成赖虹凯余金中周志文更多>>; 相关机构：厦门大学中国科学院集美大学更多>>; 相关期刊：《Chinese Physics B》《Journal of Semiconductors》《光电子．激光》《厦门大学学报（自然科学版）》更多>>; 相关主题：光电探测器SI/SIGE探测器波导SI基更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>

GaN/metal/Si heterostructure fabricated by metal bonding and laser lift-off被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2009年第12期5-8,共4页张小英阮育娇陈松岩李成; supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.50672079,60676027,60837001,60776007);the State Key Development Program for Basic Research of China(No.2007CB613404);the Natural Science Foundation of Fujian Province (No.2008J 0221);the Science and Technology Program of the Educational Office of Fujian Province(No.JB08215); A process methodology has been adopted to transfer GaN thin films grown on sapphire substrates to Si substrates using metal bonding and laser lift-off techniques. After bonding, a single KrF （248 nm） excimer laser p...; 关键词：GaN films SILICON metal bonding laser lift-off atomic force microscopy X-ray diffraction

Si基Ge波导光电探测器的制备和特性研究被引量：10: 《光电子．激光》2009年第8期1012-1015,共4页陈荔群周志文李成赖虹凯陈松岩; 国家自然科学基金资助项目(60676027);国家重点基础研究发展计划"973"资助项目(2007CB613404);国家自然科学基金委重点基金资助项目(60837001);福建省重点科技资助项目(2006H0036); 以外延Ge薄膜为吸收区,在Si基上制备了Ge波导光电探测器。利用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)设备,采取低温高温两步法,在Si(100)衬底上外延出厚度约为500nm的高质量纯Ge层。探测器采用脊型波导结构,Al电极分别制作在波导的台面上下形...; 关键词：Ge 波导光电探测器

Si_(0.75)Ge_(0.25)虚衬底上应变补偿Si/Si_(0.62)Ge_(0.38)量子阱发光被引量：2: 《材料科学与工程学报》2009年第1期146-149,共4页廖凌宏周志文李成陈松岩赖虹凯余金中王启明; 国家重点基础研究发展计划资助项目2007CB613400;国家自然科学基金资助项目(60676027,50672079); 由于Si/SiGe异质结构的带阶差主要发生在价带,为实现高效率的发光,本文从理论上设计了在硅基Si1-xGex虚衬底上外延应变补偿的Si/S1-yGey(y>x)量子阱的能带结构,将量子阱对电子的限制势垒提高到100meV以上。在实验上,采用300℃生长的Ge...; 关键词：低维无机非金属材料量子阱光致发光谱弛豫缓冲层

Study of valence intersubband absorption in tensile strained Si/SiGe quantum wells: 《Chinese Physics B》2008年第9期3479-3483,共5页林桂江赖虹凯李成陈松岩余金中; supported by National Natural Science Foundation of China (Grant Nos 50672079,60336010 and 60676027);National Basic Research Program of China (Grant No 2007CB613400); The hole subband structures and effective masses of tensile strained Si/Sil-yGey quantum wells are calculated by using the 6 × 6 k·p method. The results show that when the tensile strain is induced in the quantum we...; 关键词：SI/SIGE tensile strain effective mass valence intersubband transition

U型凹槽电极硅MSM结构光电探测器的研制: 《光电子．激光》2008年第7期869-871,894,共4页黄燕华陈松岩李成蔡加法余金中; 国家自然科学基金资助项目(60576001,60336010,60676027);福建省自然科学基金资助项目(A0410008); 为了提高硅MSM结构光电探测器的光电响应度,制备了U型凹槽电极结构的探测器。5 V偏压下,对650 nm波长入射光的绝对光电响应度测试表明,凹槽电极结构的探测器最大光电响应度值为0.486 A/W,比同样尺寸的平版结构光电探测器提高了约6倍。...; 关键词：金属-半导体-金属结构光电响应度探测器

Waveguide Simulation of a THz Si/SiGe Quantum Cascade Laser: 《Journal of Semiconductors》2008年第5期893-897,共5页陈锐林桂江陈松岩李成赖虹凯余金中; 国家自然科学基金(批准号:50672079,60576001 ,60676027);国家重点基础研究发展规划(批准号:2007CB613400)资助项目~~; The waveguide design is one of the most important parts in a terahertz quantum cascade laser（QCL）. Si/SiGe QCL waveguides, based on the Drude model and finite-difference time-domain （FDTD） method, are designed by ...; 关键词：TERAHERTZ SI/SIGE quantum cascade laser WAVEGUIDE

红外微腔探测器中金属支撑柱的制备工艺研究: 《厦门大学学报（自然科学版）》2008年第2期169-171,共3页何熙陈松岩方辉罗仲梓谷丹丹; 国家自然科学基金(60576001,50672079,60676027)资助; 基于一般正胶光刻工艺的剥离工艺，所需胶膜的厚度要大大超过剥离薄膜的厚度.这样在剥离线宽小、厚度大的微腔结构探测器的金属互连柱图形时就会存在光刻分辨率低、剥离难的问题.本文重点研究了基于AZ5214E光刻胶图像反转性能的剥离工...; 关键词：微互连柱 AZ5214E 反转剥离

Ge／Si(100)量子点生长与形态分布的研究被引量：6: 《半导体光电》2008年第2期220-225,共6页周志玉周志文李成陈松岩余金中赖虹凯; 国家自然科学基金项目(60336010,60676027);福建省工业科技重点项目(2006H0036);福建省自然科学基金项目(A0410008);国家“973”计划资助项目(2007CB613404); 利用超高真空化学气相淀积系统，通过控制淀积量、温度、流量等生长参数，在n型Si（100）衬底上自组装生长了一系列Ge量子点样品，用原子力显微镜进行了表征与分析。系统地研究了生长参数对Ge岛形态分布的影响并分析了有序、高密度Ge岛...; 关键词：GE量子点超高真空化学气相淀积 S-K生长模式

UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层被引量：4: 《Journal of Semiconductors》2008年第2期315-318,共4页周志文蔡志猛张永蔡坤煌周笔林桂江汪建元李成赖虹凯陈松岩余金中王启明; 国家自然科学基金(批准号:60676027;50672079;60336010);福建省重点科技项目(批准号:2006H0036);教育部回国留学人员启动基金资助项目~~; 采用超高真空化学气相淀积系统,以高纯Si2H6和GeH4作为生长气源,用低温缓冲层技术在Si(001)衬底上成功生长出厚的纯Ge外延层.对Si衬底上外延的纯Ge层用反射式高能电子衍射仪、原子力显微镜、X射线双晶衍射曲线和Ra-man谱进行了表征.结...; 关键词：锗硅异质外延弛豫缓冲层锗

干法氧化制备SiGe弛豫缓冲层及其表征被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2007年第12期1937-1940,共4页蔡坤煌张永李成赖虹凯陈松岩; 国家自然科学基金(批准号:60676027;50672079;60336010);福建省重点科技项目(批准号:2006H0036);教育部回国留学人员启动基金资助项目~~; SiGe弛豫缓冲层是高性能Si基光电子与微电子器件集成的理想平台.通过1000℃干法氧化组分均匀的应变Si0.88Ge0.12层,在Si衬底上制备了表面Ge组分大于0.3,弛豫度大于95%,位错密度小于1.2×105cm-2的Ge组分渐变SiGe弛豫缓冲层.通过对不同...; 关键词：氧化锗硅弛豫缓冲层位错

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