国家重点基础研究发展计划(2009CB320200)

作品数：18被引量：60H指数：4
导出分析报告
相关作者：戴永胜高学邦吴洪江尹洪浩韩群飞更多>>
相关机构：中国电子科技集团第十三研究所南京理工大学电子科技大学河北半导体研究所更多>>
相关期刊：《微纳电子技术》《功能材料与器件学报》《固体电子学研究与进展》《微波学报》更多>>
相关主题：LTCC微波单片集成电路低温共烧陶瓷超宽带砷化镓更多>>
相关领域：电子电信电气工程一般工业技术更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
基于LTCC技术的六阶片式带通滤波器的研究与实现
《功能材料与器件学报》2014年第1期76-79,共4页戴永胜 李雁 
国家重点基础研究发展计划973计划(2009CB320200);国家国防重点实验室基金(9140C1402021102)
运用仿真软件Ansoft HFSS,构建了一款边带陡峭的LTCC带通滤波器的三维模型。在将滤波器级数增大到六级的基础上,又通过不相邻谐振级之间的交叉耦合,分别在阻带的高、低端引入了多个传输零点,大大提高了带外抑制度。结合电路仿真以及三...
关键词：多传输零点 LTCC 带通滤波器 带外抑制 
基于LTCC技术超小型宽带巴伦的设计与实现被引量：8
《微波学报》2014年第1期51-54,共4页戴永胜 李旭 朱丹 
国家重点基础研究发展"973"计划(2009CB320200);国家国防重点实验室基金(9140C1402021102)
介绍了一种基于LTCC(低温共烧陶瓷)技术的超小型宽带巴伦的设计与实现。该巴伦由Marchand微带巴伦改进而来,综合采用LTCC多层立体三维集成结构,螺旋线宽边耦合带状线结构(SBCS)和带状线末端电容加载技术来实现宽带巴伦的小型化。最终设...
关键词：巴伦 低温共烧陶瓷(LTCC) 超宽带 小型化 
S波段FBAR滤波器芯片的研制被引量：9
《压电与声光》2013年第5期617-619,623,共4页李丽 郑升灵 李丰 李宏军 
国家重点基础研究发展计划基金资助项目(2009CB320200)
采用完全自主的薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器设计、工艺技术,制备了S波段FBAR滤波器芯片。该FBAR滤波器的电路结构为梯形结构,采用一维Mason模型进行了仿真、优化。在工艺上采用空气隙型结构,突破了高c轴取向AlN压电薄膜淀积、精密空...
关键词：薄膜体声波谐振器（FBAR）滤波器 一维Mason模型 AlN压电薄膜 空气腔 
基于DGS与半集总结构的新型LTCC超宽带滤波器被引量：1
《微波学报》2013年第4期87-90,共4页戴永胜 郭风英 韩群飞 
国家重点基础研究发展计划973计划(2009CB320200);国家国防重点实验室基金(9140C1402021102)
设计了一款基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术的新型超宽带(UWB,)带通滤波器。该款滤波器结合了半集总高通结构与缺陷地(DGS)结构,利用半集总结构实现截止频率为3.1GHz的高通滤波器,再结合DGS在高端产生阻带,从而实现通带为3.1～10.6GHz的带...
关键词：低温共烧陶瓷(LTCC) 超宽带(UWB) 缺陷地(DGS) 半集总 
4～20GHz超宽带低噪声放大器单片电路被引量：3
《半导体技术》2013年第1期6-9,共4页许春良 王绍东 柳现发 高学邦 
国家重点基础研究发展计划资助(2009CB320200)
采用分布式放大器设计原理,基于GaAs PHEMT低噪声工艺技术,研制了一款超宽带低噪声放大器单片电路。该款放大器选用分布式拓扑结构,由五级电路构成,为了进一步提高分布式放大器的增益,在每一级又采用了两个场效应晶体管(FET)串联结构。...
关键词：超宽带 低噪声放大器 行波 微波单片集成电路 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 
微型蓝牙LTCC平衡滤波器的设计与研究被引量：3
《固体电子学研究与进展》2012年第6期556-560,共5页戴永胜 冯媛 尹洪浩 
国家重点基础研究发展计划973计划资助项目(2009CB320200);国家国防重点实验室基金资助项目(9140C1402021102)
提出一种基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术实现的小型化平衡滤波器。该平衡滤波器频率范围为2.4～2.5GHz,可广泛应用于蓝牙通讯系统。在设计时利用垂直通孔互连工艺技术将滤波器和巴伦进行互连,并且集成在一个模块中,其中,蓝牙滤波器的设计...
关键词：平衡滤波器 低温共烧陶瓷 蓝牙 阻抗转换 
高性能2～18GHz超宽带MMIC6位数字衰减器被引量：9
《微波学报》2012年第6期80-83,92,共5页戴永胜 李平 孙宏途 徐利 
国家重点基础研究发展计划"973"计划(2009CB320200);国家国防重点实验室基金(9140C1402021102)
介绍了一种高性能2～18GHz MMIC 6位GaAs PHEMT数字衰减器的设计、制造和测试结果。研制的单片数字衰减器衰减步进为0.5dB;最大衰减范围为31.5dB;参考态插入损耗<5.71dB;所有衰减态的输入、输出电压驻波比<1.8;衰减精度:+2.31dB/-0.51dB...
关键词：数字衰减器 微波单片集成电路 砷化镓 超宽带 赝配高电子迁移率晶体管 
C波段LTCC无通孔微型Lange耦合器的研究
《微波学报》2012年第5期24-27,共4页戴永胜 谢秋月 韩群飞 尹洪浩 左同生 
国家重点基础研究发展计划"973"计划(2009CB320200);国家国防重点实验室基金(9140C1402021102)
研究了一种C波段LTCC无通孔微型Lange耦合器,其结构紧凑,尺寸小。LTCC叠层技术是实现高性能、高可靠、微型化微波元件的主流技术之一,尤其是在提高电路集成度方面。Lange耦合器由于其特殊的结构使得其可以实现宽频带、高性能。设计、制...
关键词：低温共烧陶瓷 LANGE耦合器 微型化 无通孔 
超短波LTCC带通滤波器的设计与实现
《固体电子学研究与进展》2012年第5期463-466,共4页戴永胜 尹洪浩 左同生 谢秋月 韩群飞 
国家重点基础研究发展计划973计划资助项目(2009CB320200);国家国防重点实验室基金资助项目(9140C1402021102)
设计了一款中心频率为244 MHz的超短波带通滤波器,该滤波器是基于低温共烧陶瓷（LTCC）技术实现。由于滤波器频率较低,波长较长,为了使其体积较小,结构也相对简单,在设计中采用半集总半分布结构来实现。通过调节各谐振单元之间的耦合,...
关键词：带通滤波器 超短波 低温共烧陶瓷 半集总半分布结构 传输零点 
6～18GHz GaAs PHEMT5位MMIC数字移相器被引量：5
《微波学报》2012年第1期66-69,共4页戴永胜 陈曦 陈少波 徐利 李平 
国家重点基础研究发展计划973计划(2009CB320200);国家国防重点实验室基金(9140C1402021102)
采用GaAs PHEMT工艺研制开发了一款6～18 GHz五位MMIC数字移相器。通过建立精确的器件模型、选择合理的单位拓扑以及设计优化原理图和版图,并在优化过程中采用性能冗余优化策略,保证了产品各项性能优异和高成品率。测试的电性能典型值表...
关键词：微波单片集成电路 数字移相器 砷化镓 赝配高电子迁移率晶体管 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部