云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家自然科学基金(60576069)

国家自然科学基金(60576069): 作品数：21被引量：23H指数：3; 导出分析报告; 相关作者：姬荣斌赵俊孔金丞李雄军孔令德更多>>; 相关机构：昆明物理研究所中国兵器科学研究院云南大学更多>>; 相关期刊：《发光学报》《物理学报》《红外技术》《Journal of Semiconductors》更多>>; 相关主题：碲镉汞薄膜椭圆偏振光谱射频磁控溅射非晶态HGCDTE更多>>; 相关领域：电子电信理学化学工程更多>>

溅射气压对非晶Hg_(1-x)Cd_x Te薄膜微观结构和化学组分的影响(英文): 《发光学报》2012年第11期1224-1231,共8页王光华孔金丞李雄军杨丽丽赵惠琼姬荣斌; 国家自然科学基金(60576069);国家火炬计划(2011GH011928)资助项目; 采用射频磁控溅射制备了非晶态结构的Hg1-xCdxTe薄膜,并利用台阶仪、XRD、原子力显微镜、EDS等分析手段对薄膜生长速率、物相、表面形貌、组分比例进行了研究。实验结果表明,溅射气压对薄膜生长速率、微观结构、表面形貌和化学组分有直...; 关键词：碲镉汞薄膜非晶半导体微观结构表面形貌磁控溅射

非晶态碲镉汞的暗电导率和吸收边(英文)被引量：2: 《红外技术》2012年第5期268-271,共4页孔金丞张鹏举杨佩原李雄军孔令德杨丽丽赵俊王光华姬荣斌; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(No.60576069); 研究了非晶态碲镉汞(x=0.2)薄膜的暗电导率随温度变化关系,发现非晶态结构的碲镉汞材料具有明显的半导体特性,其室温禁带宽度在0.88～0.91eV之间,与通过光学方法获得的结果相符。在80～240K的温度区间非晶态碲镉汞(x=0.2)的暗电导率从1...; 关键词：非晶态碲镉汞电导率吸收边

非晶态碲镉汞薄膜晶化过程的椭圆偏振光谱研究(英文)被引量：1: 《红外技术》2012年第4期187-190,共4页孔金丞王光华杨佩原杨丽丽李雄军赵俊张鹏举孔令德姬荣斌; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(No.60576069); 采用椭圆偏振光谱技术研究了非晶态碲镉汞薄膜在不同退火条件下的结构性能。结果表明非晶态碲镉汞薄膜在退火过程中的成核晶化是在薄膜内部均匀发生的,对于不同晶化程度的薄膜,其光学常数谱具有明显的特征,通过对光学常数谱的分析研究...; 关键词：椭圆偏振光谱非晶态碲镉汞晶化

非晶态碲镉汞的光学性质(英文)被引量：1: 《红外技术》2012年第3期140-145,共6页孔金丞赵俊孔令德李雄军王光华杨丽丽张鹏举姬荣斌; supported by the National Natural Science Foundation of China(No.60576069); 采用椭圆偏振光谱技术研究了射频磁控溅射生长非晶态碲镉汞(amorphous Hg1-xCdxTe,amorphous MCT,a-MCT)薄膜的光学性质,发现非晶态碲镉汞薄膜的介电函数谱特征与晶态碲镉汞材料的明显不同,表现出与其他非晶态半导体材料类似的"波包"结...; 关键词：非晶态碲镉汞椭圆偏振光谱光学性质

Dark conductivity and photoconductivity of amorphous Hg_(0.78)Cd_(0.22)Te thin films被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2011年第3期26-30,共5页邱锋项金钟孔金丞余连杰孔令德王光华李雄军杨丽丽李悰姬荣斌; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(No.60576069); This paper reports the dark conductivity and photoconductivity of amorphous HgCdTe thin films deposited on an AlOsubstrate by RF magnetron sputtering.It is determined that dark conduction activation energy is 0.417 eV...; 关键词：amorphous MCT dark conductivity PHOTOCONDUCTIVITY

不同靶间距下非晶态碲镉汞薄膜生长及厚度均匀性研究被引量：3: 《红外技术》2011年第1期13-16,共4页杨丽丽王光华孔金丞李雄军孔令德余连杰李凡邓功荣姬荣斌; 国家自然科学基金项目(项目编号:60576069); 采用射频磁控溅射法在不同靶间距下生长非晶态碲镉汞薄膜并研究其生长速率、择优取向及厚度均匀性。实验结果表明随着靶间距减小及溅射功率增加生长速率增大;不同靶间距下Hg1-xCdxTe薄膜结晶特性差距较大,择优取向为(111)方向;增大靶间...; 关键词：非晶态碲镉汞(a—Hg1-x CdxTe a—MCT) 靶间距均匀性磁控溅射

Effect of power variation on microstructure and surface morphology of HgCdTe films deposited by RF magnetron sputtering被引量：4: 《Journal of Semiconductors》2010年第5期35-39,共5页王光华孔金丞李雄军邱锋李悰杨丽丽孔令德姬荣斌; supported by the National Natural Science Foundation of China(No.60576069).; Mercury cadmium telluride films were grown by the RF magnetron sputtering technique at different sputtering powers.In experiment,X-ray diffraction（XRD） and atomic force microscopy（AFM） have been used to characteri...; 关键词：HgCdTe films SEMICONDUCTORS growth rate MICROSTRUCTURE surface morphology

退火对非晶态碲镉汞薄膜微结构和光敏性的影响被引量：2: 《红外技术》2010年第5期255-258,共4页李雄军孔金丞王光华余连杰孔令德杨丽丽邱锋李悰姬荣斌; 国家自然科学基金项目(编号:60576069); 对射频磁控溅射生长的非晶态碲镉汞(a-MCT)薄膜在真空状态下进行退火,并通过X射线衍射(XRD)技术指出原生及低于125℃退火后的MCT薄膜均为非晶态。采用双体相关函数g(r)和电学测试系统研究了退火对a-MCT薄膜微结构和光敏性的影响。结果表...; 关键词：非晶态碲镉汞(a—MCT) 退火双体相关函数光敏性

分子束外延生长Hg1-_xCd_xTe材料原位退火研究: 《红外技术》2009年第1期5-7,共3页苏栓李艳辉周旭昌杨春章谭英高丽华李全保; 国家自然科学基金资助项目(60576069);装备预先研究资助项目; 对分子束外延(MBE)生长了Hg1-xCdxTe薄膜材料进行原位退火研究。显微镜观察可知,原位退火可以得到光滑的材料表面,并可以降低材料的腐蚀坑密度(EPD)。霍尔测试结果表明,通过调整退火温度和汞束流可以明显地改善Hg1-xCdxTe材料的电学性...; 关键词：分子束外延(MBE) 原位退火 HG1-XCDXTE 汞束流电学性能

有机红外半导体单还原态双硫醇烯-铂的制备及其光电性质研究: 《红外技术》2008年第8期476-480,共5页唐利斌姬荣斌张筱丹段瑜李亚文宋立媛陈雪梅郑云李永亮宋炳文; 云南省自然科学基金面上项目(2004E0055M);国家自然科学基金(60576069);国家自然科学基金A0920060876项目;国家自然科学基金62301110105项目资助; 用化学合成法合成了有机红外半导体双硫醇烯铂和单还原态双硫醇烯铂。用色谱、有机质谱确证了所合成的中间产物以及目标产物。FT-IR光谱和椭圆偏振光谱表明单还原态双硫醇烯铂在近红外波段1300～1800 nm有明显的光学吸收。在宝石基片上...; 关键词：有机红外半导体双硫醇烯铂单还原态双硫醇烯铂椭圆偏振光谱光电性质

国家自然科学基金(60576069)