国家自然科学基金(60576051)

作品数：6被引量：2H指数：1
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辐照对PDSOI RF MOS体接触结构器件性能的影响
《半导体技术》2010年第9期863-867,共5页刘梦新 刘刚 韩郑生 
国家自然科学基金资助项目(60576051);国家重点基础研究发展计划资助项目(2006CB3027-01)
基于抗辐照加固0.35μmPDSOI CMOS工艺制作了RF NMOS器件,研究了电离总剂量辐照对不同体接触结构、栅结构器件性能的影响。在其静态工作模式下,分别考虑了辐照对器件转移特性、泄漏电流、跨导及输出特性的影响;在其交流工作模式下,分别...
关键词：部分耗尽 绝缘体上硅 电离总剂量辐照 射频 增益 
Effect of total ionizing dose radiation on the 0.25 μm RF PDSOI nMOSFETs with thin gate oxide
《Journal of Semiconductors》2009年第1期23-29,共7页刘梦新 韩郑生 毕津顺 范雪梅 刘刚 杜寰 
supported by the National Natural Science Foundation of China (No. 60576051);the State Key Development Program for BasicResearch of China (No. 2006CB3027-01)
Thin gate oxide radio frequency （RF） PDSOI nMOSFETs that are suitable for integration with 0.1μm SO1 CMOS technology are fabricated, and the total ionizing dose radiation responses of the nMOSFETs having four diffe...
关键词：PDSOI total ionizing dose radiation RF 
PD SOI MOSFET低频噪声研究进展被引量：1
《微电子学》2008年第6期817-822,共6页范雪梅 毕津顺 刘梦新 杜寰 
国家自然科学基金资助项目(60576051)
随着器件尺寸的不断减小,PD SOI器件的低频噪声特性对电路稳定性的影响越来越大。研究了PD SOI器件低频过冲噪声现象,分析了此类器件在发生浮体效应、栅致浮体效应以及前背栅耦合效应时低频过冲噪声的产生机理及影响因素。最后指出,可...
关键词：PD SOI MOSFET 低频噪声 浮体效应 前背栅耦合效应 
Back-Gate Effect of SOI LDMOSFETs
《Journal of Semiconductors》2008年第11期2148-2152,共5页毕津顺 宋李梅 海潮和 韩郑生 
the National Natural Science Foundation of China(No.60576051);the State Key Development Program for Basic Research of China(No.2006CB3027-01)~~
0.5μm-gate-length lateral double-diffused metal-oxide-semiconductor field-effect transistors （LDMOSFETs） with low barrier body contact （LBBC） and body tied to the source （BTS） were fabricated on silicon-on-insu...
关键词：SOI LDMOSFET back-gate effect 
Total Ionizing Dose Radiation Effects of RF PDSOI LDMOS Transistors被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第11期2158-2163,共6页刘梦新 韩郑生 毕津顺 范雪梅 刘刚 杜寰 宋李梅 
National Nature Science Foundation of China(No.60576051)~~
The effects of total ionizing dose radiation on direct current （DC） and small-signal radio frequency （RF） performance of multi-finger RF partial deplete silicon-on-insulator lateral double diffused MOS （PDSOI LD...
关键词：PDSOI LDMOS RF total ionizing dose radiation 
A High Performance 0.18μm RF nMOSFET with 53GHz Cutoff Frequency
《Journal of Semiconductors》2006年第8期1343-1346,共4页杨荣 李俊峰 徐秋霞 海潮和 韩郑生 钱鹤 
国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA1Z1580);国家自然科学基金(批准号:60576051)资助项目~~
This paper presents the fabrication and performance of a 0.18μm nMOSFET for RF applications. This device features a nitrided oxide/poly-silicon gate stack, a lightly-doped-drain source/drain extension, a retrograde c...
关键词：STRUCTURE PROCESS radio frequency NMOSFET 
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