国家自然科学基金(60576052)

作品数：8被引量：14H指数：3
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Super junction LDMOS with enhanced dielectric layer electric field for high breakdown voltage被引量：3
《Journal of Semiconductors》2011年第2期28-32,共5页王文廉 张波 李肇基 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(No.60576052);the Shanxi Youth Science and Technology Research Foundation of China(No.2010021015-3)
The lateral super junction （SJ） power devices suffer the substrate-assisted depletion （SAD） effect, which breaks the charge balance of SJ resulting in the low breakdown voltage （BV）. A solution based on enhancin...
关键词：super junction LDMOS substrate-assisted depletion effect 
全耗尽型浮空埋层LDMOS的耐压特性
《Journal of Semiconductors》2008年第2期344-347,共4页成建兵 张波 李肇基 
模拟集成电路国家重点实验室基金(9140C0903010604);国家自然科学基金(批准号:60576052)资助项目~~
提出了一种新的全耗尽型浮空埋层LDMOS(FB-LDMOS)结构.全耗尽n型埋层在器件的体内产生新的电场,该电场调制了漂移区电场,使得在降低漂移区漏端电场的同时提高了源侧和中部电场REBULF效应.分析了埋层的浓度、厚度、长度等对器件击穿电压...
关键词：LDMOS 全耗尽型浮空埋层 RESURF REBULF 击穿电压 
Realizing High Breakdown Voltage SJ-LDMOS on Bulk Silicon Using a Partial n-Buried Layer被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第3期355-360,共6页陈万军 张波 李肇基 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60436030,60576052)
A new design concept is proposed to eliminate the substrate-assisted depletion effect that significantly degrades the breakdown voltage （BV） of conventional super junction-LDMOS. The key feature of the new concept i...
关键词：super junction LDMOS breakdown voltage substrate-assisted depletion effect 
New Lateral Super Junction MOSFETs with n^+-Floating Layer on High-Resistance Substrate被引量：2
《Journal of Semiconductors》2007年第2期166-170,共5页段宝兴 张波 李肇基 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60436030,60576052)~~
A new super junction LDMOST structure that suppresses the substrate-assisted depletion effect is designed with an n^＋-floating layer embedded in the high-resistance p-type substrate by implanting phosphor or arsenic....
关键词：super junction LDMOST substrate-assisted depletion n^＋-floating layer breakdown voltage 
具有多等位环的高压屏蔽新结构MER-LDMOS耐压分析被引量：1
《Journal of Semiconductors》2006年第7期1274-1279,共6页陈万军 张波 李肇基 
国家自然科学基金重点项目(批准号:60436030);国家自然科学基金(批准号:60576052);预研基金(批准号:51408060904DZ0211)资助项目~~
提出一种多等位环(multiple equipotential rings,MER)的高压屏蔽新结构MER-LDMOS,并解释了该结构的屏蔽机理,通过2D器件模拟验证了屏蔽机理的正确性.讨论了p-top剂量、等位环长度、等位环间距以及氧化层厚度对MER-LDMOS击穿电压的影响...
关键词：高压互连线 等位环 击穿电压 LDMOS 
PSJ高压器件的优化设计被引量：3
《Journal of Semiconductors》2006年第6期1089-1093,共5页陈万军 张波 李肇基 邓小川 
国家自然科学基金重点项目(批准号:60436030);国家自然科学基金(批准号:60576052);国防预研基金(批准号:51408060904DZ0211)资助项目~~
基于Semi SJ(superjunction)结构,提出了SJ的比例可以从0～1渐变的PSJ(partialsuperjunction)高压器件的概念.通过对PSJ比导通电阻的分析,得到了PSJ高压器件比导通电阻优化设计的理论公式.计算了不同击穿电压的比导通电阻,并与二维器件...
关键词：PARTIAL super JUNCTION RESURF 击穿电压 比导通电阻 
A Novel Super-junction LDMOST Concept with Split p Columns
《Journal of Electronic Science and Technology of China》2006年第2期169-172,共4页陈林 张波 郑欣 
Supported by National Natural Science Foundation of China. (No. 60576052) and The Key Program Project of National Science Foundation of China. (No. 60436030)
In this paper, we propose a novel low on-resistance Super Junction （S J） Lateral Double-diffusion MOSFET （LDMOST） which has split p column structures with rated voltage of 60-100V. The key feature of this new stru...
关键词：LDMOST low on-resistance path Super Junction （SJ） sprit p column 
具有n^+浮空层的体电场降低LDMOS结构耐压分析被引量：6
《Journal of Semiconductors》2006年第4期730-734,共5页张波 段宝兴 李肇基 
模拟集成电路国家重点实验室;国家自然科学基金(批准号:60576052)资助项目~~
针对薄外延横向功率集成技术的发展,提出一种降低体内电场REBULF(REducedBULkField)的新耐压技术,并设计了一例具有n+浮空层的REBULFLDMOS新结构.新耐压机理是通过嵌入在高阻衬底中的n+浮空层的等电位调制作用,提高源端体内低电场而降...
关键词：LDMOS 体电场 n^+浮空层 击穿电压 
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