国家自然科学基金(60576032)

作品数：4被引量：6H指数：1
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体硅FinFET三维模拟被引量：1
《功能材料与器件学报》2008年第6期949-954,共6页周华杰 徐秋霞 
国家重点基础研究发展计划资助(编号:2006CB302704);国家自然科学基金资助项目(编号:60576032)
利用三维模拟软件Davinci对体硅FinFET器件进行了详细的模拟。模拟结果显示体硅FinFET器件能够有效的抑止短沟道效应,具有驱动电流大、散热好、成本低等优点。为了获得好的亚阈值特性,Fin的厚度要比较薄,同时Fin的高度不能太低,以保持...
关键词：体硅 FINFET 新结构 
Dual-Work-Function Ni-FUSI Metal Gate for CMOS Technology
《Journal of Semiconductors》2007年第10期1532-1539,共8页周华杰 徐秋霞 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB302704);国家自然科学基金(批准号:60576032)资助项目~~
This paper investigates the work function adjustment of a full silicidation （Ni-FUSI） metal gate. It is found that implanting dopant into poly-Si before silicidation can modulate the work function of a Ni-FUSI metal...
关键词：metal gate FUSI SILICIDE 
先进的Hf基高k栅介质研究进展被引量：5
《电子器件》2007年第4期1194-1199,共6页许高博 徐秋霞 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2006CB302704);国家自然科学基金资助项目(60576032)
随着CMOS器件特征尺寸的不断缩小,SiO2作为栅介质材料已不能满足集成电路技术高速发展的需求,利用高k栅介质取代SiO2栅介质成为微电子技术发展的必然.但是,被认为最有希望替代SiO2的HfO2由于结晶温度低等缺点,很难集成于现有的CMOS工艺...
关键词：高介电常数 HFO2 HFON HFSION HfTaON 
下一代栅材料—难熔金属
《电子器件》2007年第2期398-402,共5页周华杰 徐秋霞 
国家重点基础研究发展计划资助(2006CB302704);国家自然科学基金项目资助(60576032)
随着晶体管尺寸的缩小,传统的多晶硅栅存在的多晶硅栅耗尽效应、过高的栅电阻和PMOS管的硼穿透效应成为晶体管尺寸进一步缩小的障碍.而难熔金属栅则被认为是最有希望的替代者.它可以很好的解决多晶硅栅面临的这些问题.本文主要介绍了选...
关键词：金属栅 难熔金属 多晶硅栅耗尽效应 硼穿通 
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