教育部“新世纪优秀人才支持计划”(681231366)

作品数：5被引量：14H指数：3
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0.18μm CMOS工艺下的新型ESD保护电路设计被引量：7
《西安电子科技大学学报》2009年第5期867-870,926,共5页刘红侠 刘青山 
国家自然科学基金资助(60206006);教育部新世纪优秀人才计划资助(681231366);国家部委预研基金资助(51308040103);西安应用材料创新基金资助(XA-AM-200701)
为了有效地保护0.18μm CMOS工艺下箝位器件的栅极,设计了一款新型的电源和地之间的静电保护电路.该电路在检测电路部分加了一个NMOS反馈器件,同时在检测电路的下一级使用了动态传输结构.反馈器件能够提高电路中各器件工作状态的转换速...
关键词：静电放电 保护电路 反馈 动态传输 
针对新型HfO_2栅介质改进的四元件电路模型被引量：4
《西安电子科技大学学报》2008年第6期1051-1055,共5页刘红侠 蔡乃琼 
美国应用材料创新基金资助(XA-AM-200701);教育部新世纪优秀人才计划资助(681231366);教育部高等学校科技创新工程重大项目培育资金资助
针对超薄HfO2栅介质MOS电容,提出改进的四元件小信号等效电路模型,修正了双频C-V法,增加了串联寄生电阻和串联电感两个参数.结合双频测量结果计算出修正的C-V曲线,消除了高频时的频率色散现象,而且曲线更加接近理想C-V曲线.通过实验结...
关键词：二氧化铪 双频C-V法 四元件电路模型 频率色散 
新型HfO_2栅介质电特性的理论分析与实验研究被引量：3
《西安电子科技大学学报》2008年第3期513-516,共4页蔡乃琼 刘红侠 
西安应用材料创新基金资助(XA-AM-200701);教育部新世纪优秀人才计划资助(681231366);国家部委预科研项目资助(51308040103);教育部重点项目资助(104172)
对结合NH4F表面预处理和高温退火新型工艺制作的超薄HfO2栅介质MOS电容的C-V特性进行了模拟仿真和实验研究,理论分析的界面态分布与实验结果吻合.利用高频C-V法计算了平带电压漂移量、氧化层内陷阱电荷密度和界面态密度,比较了不同工艺...
关键词：二氧化铪 C-V特性 界面态 氧化层陷阱 
异质栅非对称Halo SOI MOSFET亚阈值电流模型被引量：2
《Journal of Semiconductors》2008年第4期746-750,共5页栾苏珍 刘红侠 贾仁需 王瑾 
国家自然科学基金(批准号:60206006);教育部新世纪优秀人才计划(批准号:681231366);国防预研基金(批准号:51308040103);西安应用材料创新基金(批准号:XA-AM-200701);教育部重点科技研究(批准号:104172)资助项目~~
在沟道源端一侧引入高掺杂Halo结构的异质栅SOI MOSFET,可以有效降低亚阈值电流.通过求解二维泊松方程,为该器件建立了亚阈值条件下的表面势模型.利用常规漂移-扩散理论,在表面势模型的基础上,推导出新结构器件的亚阈值电流模型.为了求...
关键词：异质栅 SOI MOSFET 亚阈值电流 二维解析模型 
纳米尺度全耗尽SOI MOSFET阈值电压的修正模型
《微电子学》2007年第6期838-841,共4页王瑾 刘红侠 栾苏珍 
国家自然科学基金资助项目(60206006);国家教育部新世纪优秀人才项目资助(681231366);国防预研项目资助(51308040103);国家教育部重点项目资助(104172)
针对纳米器件中出现的量子化效应,考虑了薄层全耗尽SOI MOSFET沟道反型层电子的量子化,研究了反型层量子化效应对阈值电压的影响。结果表明,沟道反型层的量子化效应导致阈值电压增大,推导并给出了纳米尺度全耗尽SOI MOSFET的阈值电压修...
关键词：SOI MOSFET 量子效应 阈值电压 反型层 
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