国家自然科学基金(59832100)

作品数：20被引量：64H指数：4
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相关机构：南京大学北京大学复旦大学中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关期刊：《功能材料》《兰州大学学报（自然科学版）》《电子显微学报》《发光学报》更多>>
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银纳米颗粒的合成与表面增强拉曼光谱被引量：2
《兰州大学学报（自然科学版）》2007年第5期139-141,共3页沈剑沧 
国家自然科学基金(59832100).
采用传统水热法制备出尺寸单一的银纳米颗粒,其反应机理基于相转移和相分离机制.银纳米颗粒的乙醇溶液通过甩胶处理涂抹在清洗后的硅片表面.Rhodamine 6G分子被用为检测分子,发现该材料为具有表面增强拉曼散射活性的衬底材料,其较大的...
关键词：银纳米颗粒 水热法 表面增强拉曼光谱 
高拉曼散射信号增强衬底材料:银分形网络被引量：2
《功能材料》2007年第3期465-468,共4页沈剑沧 
国家自然科学基金资助项目(59832100)
基于扩散限制聚集过程机制合成的大型银分形网络被用作表面增强拉曼散射活性衬底材料。此衬底材料具有很好的拉曼增强特性以及很宽的动态响应范围。其较大的增强因子可归结为高度局域化的等离激元共振。
关键词：银分形网络 表面增强拉曼散射 等离激元共振 
纳米MEH-PPV阵列的光致发光被引量：1
《发光学报》2005年第6期785-788,共4页孔凡 黄高山 杨益民 杨昌正 吴兴龙 鲍希茂 袁仁宽 
国家自然科学基金资助项目(59832100)
以多孔氧化铝为模板,将可溶性发光聚合物聚(2-甲氧基-5-(2′-乙基己氧基)-1,4-对苯乙炔)(MEH-PPV)镶嵌在纳米孔中,制备出高发光效率的纳米发光聚合物阵列,其光学特性与MEH-PPV薄膜显著不同。纳米孔内的MEH-PPV分子链形成链束,链束中的...
关键词：PPV及其衍生物 光致发光 纳米材料 
不同形态MEH-PPV的构象及其光学特性被引量：3
《发光学报》2005年第5期655-658,共4页袁仁宽 孔凡 欧昌刚 郑怡 张苏洋 杨昌正 鲍希茂 吴兴龙 
国家自然科学基金资助项目(59832100)
通过对在固溶体、稀溶液、薄膜和纳米孔中MEH-PPV的PL和PLE谱的测量分析,研究不同形态下MEH-PPV分子链的构象及其对电子能带和光学性质的影响。在THF稀溶液中,MEH-PPV分子链基本上皆为分立态;在MEH-PPV薄膜中,分子链基本上皆为聚集态;在...
关键词：PPV及其衍生物 构象 光致发光 纳米材料 
电子体系与光子体系被引量：16
《物理》2002年第9期558-567,共10页徐少辉 丁训民 资剑 侯晓远 
国家自然科学基金 (批准号 :5 983 2 10 0 )资助项目
文章将电子与光子以及二者在不同的约束结构 (孤立原子与光子点 ,孤立分子与光子分子 ,半导体晶体与光子晶体 )中的行为作了类比 ,揭示电子体系和光子体系有很高的可比性 .
关键词：电子体系 光子体系 光子 电子 光子晶体 量子阱 约束结构 半导体 
SiO_2:Er和Si_xO_2:Er薄膜室温Er^(3+)1.54μm波长的电致发光
《固体电子学研究与进展》2002年第4期492-495,共4页袁放成 冉广照 陈源 戴伦 乔永平 张伯蕊 秦国刚 马振昌 宗婉华 
国家自然科学基金资助 (项目编号 5 983 2 10 0 )
在 n+ -Si衬底上用磁控溅射淀积掺 Er氧化硅 (Si O2 :Er)薄膜和掺 Er富硅氧化硅 (Six O2 :Er,x>1 )薄膜 ,薄膜经适当温度退火后 ,蒸上电极 ,形成发光二极管 (LED)。室温下在大于 4V反偏电压下发射了来自 Er3+的 1 .5 4μm波长的红外光...
关键词：铒 富硅氧化硅 电致发光 纳米硅 
硅基纳米β-SiC量子点列阵的制备被引量：1
《过程工程学报》2002年第4期301-304,共4页吴兴龙 顾沂 鲍希茂 
国家自然科学基金资助项目(编号: 59832100; 60076007; 60178036)
报道了用两步自组装法制备硅基纳米碳化硅量子点列阵. 先将两种硅烷偶联剂均匀有序地偶联到洁净的单晶硅片上,其中一种偶联剂能打破C60上的碳碳双键而使C60通过偶联剂均匀有序地分布在硅片的表面上. 然后用夹心法或覆盖法将样品在900oC...
关键词：硅基碳化硅量子点 自组织生长 纳米半导体 
电化学脉冲腐蚀法制备窄峰发射的多孔硅微腔被引量：4
《Journal of Semiconductors》2002年第3期272-275,共4页徐少辉 熊祖洪 顾岚岚 柳毅 丁训民 侯晓远 
国家自然科学基金资助项目 (No.5 983 2 10 0 )~~
用电化学脉冲腐蚀方法制备了多孔硅微腔 ,讨论了脉冲电化学腐蚀的参数——周期、占空比对多孔硅多层膜制备的影响 ,并用了以 HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行解释 ,认为在用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔的过程中 ...
关键词：多孔硅 微腔 光致发光 窄峰发射 电化学脉冲腐蚀法 
Ge覆盖多孔硅结构的桔绿光发射被引量：1
《Journal of Semiconductors》2001年第12期1525-1528,共4页唐宁 吴兴龙 顾沂 鲍希茂 
国家自然科学基金资助项目 (No.5 983 2 10 0 )~~
使用 5 14 .5 nm Ar+激光检测了 Ge覆盖多孔硅结构的光致发光谱 (PL) ,观察到峰位 2 .2 5 e V,半峰宽约 0 .1e V的一个新的桔绿发光峰 .随着覆盖 Ge薄膜的加厚 ,这个桔绿发光峰的峰位保持不变 ,但发光强度显著下降 .实验和分析结果表明 ...
关键词：覆盖多孔硅 光致发光 光谱分析 锗 
氧气中退火Ge-SiO_2共溅射薄膜的强紫光发射被引量：4
《Journal of Semiconductors》2001年第9期1131-1134,共4页沈今楷 吴兴龙 袁仁宽 谭超 鲍希茂 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :5 9832 10 0和 5 9772 0 38)~~
Ge- Si O2 共溅射薄膜分别在 O2 、N2 和空气中退火后 ,在 Xe灯 2 5 0 nm线激发下 ,均观测到位于 40 0和 30 0 nm的紫、紫外光发射 (PL) .傅里叶变换红外吸收谱 (FT- IR)表明 ,这两个 PL 峰与锗氧化物紧密相关 .进一步的光致发光激发谱 ...
关键词：光致发光 磁控溅射 傅里叶变换 红外吸收谱 氧气 锗 二氧化硅 薄膜 
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