云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家重点基础研究发展计划(2006CB202601)

国家重点基础研究发展计划(2006CB202601): 作品数：36被引量：83H指数：5; 导出分析报告; 相关作者：卢景霄陈永生杨仕娥谷锦华郜小勇更多>>; 相关机构：郑州大学河南工业大学新乡学院中国科学院等离子体物理研究所更多>>; 相关期刊：《可再生能源》《Chinese Physics B》《物理学报》《人工晶体学报》更多>>; 相关主题：微晶硅薄膜晶化率硅薄膜微晶硅表面粗糙度更多>>; 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>

化学气相沉积中影蔽效应对硅薄膜表面形貌和微结构的影响: 《物理学报》2014年第17期264-270,共7页张海龙刘丰珍朱美芳; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB202601;2011CBA00705);北京市科技计划(批准号:D121100001812003)资助的课题~~; 采用斜入射热丝化学气相沉积技术(OAD-HWCVD),研究了气流入射角度(θ)对氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜表面和微结构的影响.实验发现,薄膜厚度为1μm时,均方根粗糙度与tanθ成指数关系;在入射角度为75°时,薄膜表面由自仿射表面转变为mound表面...; 关键词：影蔽效应 mound表面微空洞表面形貌生长

椭圆偏振光谱实时在线监测与离线分析微晶硅薄膜的生长被引量：3: 《物理学报》2012年第3期398-404,共7页李新利谷锦华高海波陈永生郜小勇杨仕娥卢景霄李瑞焦岳超; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB202601;2011CB201606);国家自然科学基金(批准号:51007082)资助的课题~~; 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术高速沉积了有无籽晶层两个系列微晶硅薄膜.通过椭圆偏振光谱、拉曼光谱和XRD对薄膜进行了分析,发现采用籽晶层后,在薄膜沉积初期有促进晶化的作用;由于籽晶层减少了薄膜的诱导成核时间,提高了薄...; 关键词：微晶硅薄膜籽晶法高速沉积实时在线椭圆偏振光谱

分步法高速沉积微晶硅薄膜被引量：1: 《物理学报》2012年第1期475-481,共7页高海波李瑞卢景霄王果李新利焦岳超; 国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号:2006CB202601)资助的课题~~; 为提高微晶硅薄膜的纵向结晶性能,在甚高频等离子体增强化学气相沉积技术的基础上,采用过渡参数缓变和两步法相结合的方法在普通玻璃衬底上高速沉积薄膜。当功率密度为2.1 W/cm^2,硅烷浓度在6%和9.6%之间变化时,从薄膜方向和玻璃方向测...; 关键词：微晶硅薄膜非晶孵化层高速沉积甚高频等离子体增强化学气相沉积

退火对硼掺杂微晶硅薄膜性能的影响被引量：1: 《功能材料》2011年第6期1001-1003,共3页王果卢景霄李新利高海波焦岳超李瑞; 国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2006CB202601); 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备了不同硼烷掺杂比例的微晶硅薄膜。随后在不同温度、不同气氛下,对沉积得到的p型微晶硅薄膜进行了退火处理。研究发现,对初始晶化率较高的薄膜,退火后其晶化率发生下降;初始晶化率较...; 关键词：p型微晶硅退火 PECVD 晶化率表面粗糙度

数值模拟p/i界面对微晶硅薄膜太阳电池性能的影响: 《人工晶体学报》2011年第3期599-603,共5页苗丽燕杨仕娥李艳阳陈永生谷锦华卢景霄; 国家重点基础研究发展计划(No.2006CB202601);河南省自然科学基金(No.072300410080); 采用美国宾州大学开发的AMPS(Analysis of Microelectronic and Photonic Structures)软件模拟了p/i界面缺陷态密度(Npt/i)和非晶孵化层厚度(d)对pin型氢化微晶硅(μc-Si∶H)薄膜太阳电池性能的影响。结果表明:随着Ntp/i的增大,电池的...; 关键词：微晶硅薄膜电池 p/i界面光电转换效率

射频激发热丝化学气相沉积制备硅薄膜过程中光发射谱的研究被引量：1: 《物理学报》2011年第1期744-750,共7页李天微刘丰珍朱美芳; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB202601);中国科学院知识创新工程重要方向项目资助的课题~~; 采用射频(rf)激发,在热丝化学气相沉积(HWCVD)制备微晶硅薄膜的过程中产生发光基元,测量了rf激发HWCVD(rf-HWCVD)的光发射谱,比较了相同工艺条件下rf-HWCVD和等离子体增强CVD(PECVD)的光发射谱,分析了rf功率、热丝温度和沉积气压对rf-HW...; 关键词：HWCVD OES 微晶硅

Deposition pressure effect on the surface roughness scaling of microcrystalline silicon films: 《Chinese Physics B》2010年第10期403-407,共5页朱志立丁艳丽王志永谷锦华卢景霄; Project supported by the National Key Basic Research Program of China (Grant No. 2006CB202601);the Natural Science Foundation of Henan Province of China (Grant No. 82300443203); The scaling behaviour of surface roughness evolution of microcrystalline silicon （/zc-Si：H） films prepared by very- high frequency plasma-enhanced chemical vapour deposition （VHF-PECVD） has been investigated by u...; 关键词：microcrystalline Si thin film spectroscopic ellipsometry the growth exponent MonteCarlo simulations

高气压下氢化微晶硅薄膜的高速沉积: 《真空》2010年第3期20-23,共4页申陈海卢景霄陈永生郭学军陈庆东; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB202601)资助课题; 利用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)制备了一系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜。研究分析了功率密度、硅烷浓度和气体流量在较高沉积气压(500 Pa和600 Pa)下对薄膜生长速率、结晶状况和电学特性的影响。研究表明:在高压强条件下,硅...; 关键词：μc-Si:H VHF-PECVD 高速沉积结晶状况电学特性

不同沉积速率微晶硅薄膜生长模式的蒙特卡洛模拟研究被引量：3: 《真空科学与技术学报》2010年第6期632-635,共4页王志永朱志立谷锦华丁艳丽卢景霄; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB202601);河南省自然科学基金(批准号:82300443203); 采用标度理论比较了不同速率下微晶硅薄膜的生长模式。结果是:低速时薄膜的生长指数为0.19,高速时薄膜的生长指数为0.61,两者生长机理明显不同。通过蒙特卡洛模拟薄膜生长过程,结果表明:生长基元的粘附系数和扩散能力对不同生长速率下...; 关键词：蒙特卡洛模拟微晶硅薄膜椭偏谱仪生长模式

微晶硅p-i-n薄膜太阳电池研究进展被引量：5: 《功能材料》2010年第5期746-750,共5页李新利卢景霄李瑞; 国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2006CB202601); 相对于单晶硅和非晶硅来说,微晶硅薄膜太阳电池具有更多的优势。高速沉积高效微晶硅太阳电池已经成为当前研究的热点。综合介绍了微晶硅p-i-n太阳电池的结构以及基本原理、研究现状和存在的问题,并对其发展前景进行了展望。; 关键词：太阳能电池微晶硅高速沉积

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