云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家自然科学基金(61234006)

国家自然科学基金(61234006): 作品数：22被引量：32H指数：3; 导出分析报告; 相关作者：段宝兴杨银堂袁嵩袁小宁曹震更多>>; 相关机构：西安电子科技大学电子科技大学香港科技大学株洲南车时代电气股份有限公司更多>>; 相关期刊：《电力电子技术》《Chinese Physics B》《物理学报》《真空科学与技术学报》更多>>; 相关主题：击穿电压4H-SIC功率器件ALGAN比导通电阻更多>>; 相关领域：电子电信理学电气工程机械工程更多>>

Simulation of a high-performance enhancement-mode HFET with back-to-back graded AlGaN layers被引量：1: 《Science China(Information Sciences)》2019年第6期87-97,共11页Fu PENG Chao YANG Siyu DENG Dongya OUYANG Bo ZHANG Jie WEI Xiaorong LUO; supported in part by National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 51677021, 61234006);National Defense Science and Technology Project Foundation of China (Grant No. 1100395);Fundamental Research Funds for the Central Universities (Grant No. ZYGX2014Z006); A novel three-dimensional hole gas(3 DHG) enhancement-mode(E-mode) heterostructure fielde?ect transistor(HFET) is proposed and investigated. It features back-to-back graded AlGaN(BGA) barrier layers consisting of a po...; 关键词：GRADED ALGAN 3DHG-3DEG large on-state current high voltage enhancement mode

具有部分本征GaN帽层新型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性分析被引量：4: 《物理学报》2017年第16期239-245,共7页郭海君段宝兴袁嵩谢慎隆杨银堂; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2014CB339900;2015CB351900);国家自然科学基金重点项目(批准号:61234006;61334002)资助的课题~~; 为了优化传统Al GaN/GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistors,HEMTs)器件的表面电场,提高击穿电压,本文提出了一种具有部分本征GaN帽层的新型Al GaN/GaN HEMTs器件结构.新型结构通过在Al GaN势垒层顶部、栅电极到漏...; 关键词：高电子迁移率晶体管电场调制二维电子气击穿电压

具有纵向辅助耗尽衬底层的新型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管被引量：1: 《物理学报》2017年第7期382-388,共7页赵逸涵段宝兴袁嵩吕建梅杨银堂; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2014CB339900;2015CB351906);国家自然科学基金重点项目(批准号:61234006;61334002)资助的课题~~; 为了优化横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(lateral double-diffused MOSFET,LDMOS)的击穿特性及器件性能,在传统LDMOS结构的基础上,提出了一种具有纵向辅助耗尽衬底层(assisted depletesubstrate layer,ADSL)的新型LDMOS.新加入...; 关键词：辅助耗尽衬底层横向双扩散功率器件击穿电压优值

Numerical and experimental study of the mesa configuration in high-voltage 4H–SiC PiN rectifiers被引量：1: 《Chinese Physics B》2016年第8期317-321,共5页邓小川陈茜茜李诚瞻申华军张金平; supported by the State Key Program of the National Natural Science Foundation of China(Grant No.61234006);the Open Foundation of the State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,China(Grant No.KFJJ201301);the National Science and Technology Major Project of the Ministry of Science and Technology,China(Grant No.2013ZX02305-003); The effect of the mesa configuration on the reverse breakdown characteristic of a SiC PiN rectifier for high-voltage applications is analyzed in this study.Three geometrical parameters,i.e.,mesa height,mesa angle and ...; 关键词：silicon carbide mesa configuration PiN rectifier breakdown voltage

阶梯AlGaN外延新型Al_(0.25)Ga_(0.75)N/GaN HEMTs器件实验研究: 《物理学报》2015年第23期255-261,共7页袁嵩段宝兴袁小宁马建冲李春来曹震郭海军杨银堂; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2014CB339900;2015CB351906);国家自然科学基金重点项目(批准号:61234006;61334002)资助的课题~~; 本文报道了作者提出的阶梯AlGaN外延层新型AlGaN/GaN HEMTs结构的实验结果.实验利用感应耦合等离子体刻蚀(ICP)刻蚀栅边缘的AlGaN外延层,形成阶梯的AlGaN外延层结构,获得浓度分区的沟道2DEG,使得阶梯AlGaN外延层边缘出现新的电场峰,有...; 关键词：ALGAN/GAN 表面电场击穿电压电流崩塌

Low specific contact resistance on epitaxial p-type 4H-SiC with a step-bunching surface: 《Chinese Physics B》2015年第11期452-459,共8页韩超张玉明宋庆文汤晓燕张义门郭辉王悦湖; supported by the Key Specific Projects of Ministry of Education of China(Grant No.625010101);the National Natural Science Foundation of China(Grant No.61234006);the Natural Science Foundation of Shaan Xi Province,China(Grant No.2013JQ8012);the Doctoral Fund of Ministry of Education of China(Grant No.20130203120017);the Specific Project of the Core Devices,China(Grant No.2013ZX0100100-004); This paper reports the performances of Ti/Al based ohmic contacts fabricated on highly doped p-type 4H-SiC epitaxial layer which has a severe step-bunching surface. Different contact schemes are investigated based on ...; 关键词：4H-SIC P-TYPE ohmic contact ALLOYING step bunching

Effect of post oxidation annealing in nitric oxide on interface properties of 4H-SiC/SiO_2 after high temperature oxidation被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2015年第9期58-61,共4页李妍月邓小川刘云峰赵艳黎李诚瞻陈茜茜张波; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(No.61234006);the State Grid of China(No.sgri-wd-71-14-003); The interface properties of 4H-SiC metal oxide semiconductor （MOS） capacitors with post-oxidation annealing （POA） in nitric oxide （NO） ambient after high temperature （1300 ℃） oxidation have been investigated ...; 关键词：C-V characteristics 4H-SiC MOS post-oxidation annealing SiC/SiO2

具有半绝缘多晶硅完全三维超结横向功率器件被引量：1: 《物理学报》2015年第18期425-431,共7页曹震段宝兴袁小宁杨银堂; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2014CB339900,2015CB351906);国家自然科学基金重点项目(批准号:61234006,61334002);陕西省科技统筹项目(批准号:DF0105142502)资助的课题~~; 为了突破传统LDMOS(lateral double-diffused MOSFET)器件击穿电压与比导通电阻的硅极限的2.5次方关系,降低LDMOS器件的功率损耗,提高功率集成电路的功率驱动能力,提出了一种具有半绝缘多晶硅SIPOS(semi-insulating poly silicon)覆盖...; 关键词：super JUNCTION 半绝缘多晶硅击穿电压比导通电阻

具有P型覆盖层新型超级结横向双扩散功率器件: 《物理学报》2015年第16期377-383,共7页李春来段宝兴马剑冲袁嵩杨银堂; 陕西省科技统筹创新工程计划(批准号:DF0105142502);国家重点基础研究发展计划(批准号:2014CB339900,2015CB351906);国家自然科学基金重点项目(批准号:61234006,61334002)资助的课题~~; 为了设计功率集成电路所需要的低功耗横向双扩散金属氧化物半导体器件(lateral double-diffused MOSFET),在已有的N型缓冲层超级结LDMOS(N-buffered-SJ-LDMOS)结构基础上,提出了一种具有P型覆盖层新型超级结LDMOS结构(P-covered-SJ-LDMO...; 关键词：横向双扩散金属氧化物半导体器件超级结比导通电阻 P型覆盖层

Non-ideal effect in 4H-SiC bipolar junction transistor with double Gaussian-doped base: 《Chinese Physics B》2015年第6期651-655,共5页元磊张玉明宋庆文汤晓燕张义门; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.60876061 and 61234006);the Natural Science Foundation of Shaanxi Province,China(Grant No.2013JQ8012);the Doctoral Fund of the Ministry of Education of China(Grant Nos.20130203120017 and 20110203110010); The non-ideal effect of 4H-SiC bipolar junction transistor （BJT） with a double Gaussian-doped base is characterized and simulated in this paper. By adding a specific interface model between SiC and SiO2, the simulat...; 关键词：4H-SiC BJT double base early voltage emitter current crowding

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