云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家自然科学基金(60376001)

国家自然科学基金(60376001): 作品数：11被引量：16H指数：3; 导出分析报告; 相关作者：张玉明张义门郭辉王超徐大庆更多>>; 相关机构：西安电子科技大学教育部深圳市科技和信息局更多>>; 相关期刊：《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《现代电子技术》《物理学报》更多>>; 相关主题：SIC退火VANADIUM碳化硅欧姆接触更多>>; 相关领域：电子电信理学更多>>

钒注入制备半绝缘SiC的退火效应(英文): 《电子器件》2008年第3期770-775,共6页王超张义门张玉明谢昭熙郭辉徐大庆; Project supported by the National Natural Science Foundation of China ( Grant No 60376001);the National Basic Research Program of China ( Grant No 2002CB311904);the National Defense Basic Research Program of China(Grant No 51327020202); 对钒离子注入p型和n型4H-SiC制备半绝缘层的方法和特性进行了研究。注入层电阻率随退火温度的升高而增加,经过1650℃退火后,钒注入p型和n型SiC的电阻率分别为1.6×1010Ω·cm和7.6×106Ω·cm。借助原子力显微镜对样品表面形貌进行分析...; 关键词：半绝缘碳化硅钒离子注入退火碳保护膜扩散

SiC外延层表面化学态的研究被引量：4: 《物理学报》2008年第7期4119-4124,共6页马格林张玉明张义门马仲发; 国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:51327020201,51327020202);国家自然科学基金(批准号:60376001);教育部重点项目(批准号:106150)资助的课题~~; 用高分辨X射线光电子能谱仪(XPS)和傅里叶变换红外(FTIR)光谱仪研究了SiC外延层表面的组分结构.XPS宽扫描谱,红外掠反射吸收谱及红外镜面反射谱的解析结果说明SiC外延层表面是由Si—O—Si和Si—CH2—Si聚合体构成的非晶SiCxOy:H.SiC外...; 关键词：SIC 化学态 XPS FTIR

SiC表面C 1s谱最优拟合参数的研究被引量：1: 《物理学报》2008年第7期4125-4129,共5页马格林张玉明张义门马仲发; 国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:51327020201,51327020202);国家自然科学基金(批准号:60376001);教育部重点项目(批准号:106150)资助的课题~~; 提出了一种新的,用未限定拟合峰位置、半高宽和峰面积的X射线光电子谱拟合方法,研究了拟合峰的数目、函数类型及背景对SiC表面C1s谱拟合结果的影响,并与样品表面宽扫描X射线光电子谱和红外掠反射吸收谱相对照,确定了SiC表面C1s谱的最优...; 关键词：SIC X射线光电子谱 C1s谱

Deep Level Transient Fourier Spectroscopy and Photoluminescence of Vanadium Acceptor Level in n-Type 4H-SiC: 《Journal of Semiconductors》2008年第2期240-243,共4页王超张义门张玉明王悦湖徐大庆; 国家自然科学基金(批准号:60376001);国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311904);国防基础研究规划(批准号:51327020202);教育部重点计划(批准号:106150)资助项目~~; Deep level transient Fourier spectroscopy （DLTFS） measurements are used to characterize the deep impurity levels in n-type 4H-SiC by vanadium ions implantation. Two acceptor levels of vanadium at Ec - 0.81 and Ec - ...; 关键词：4H-SIC vanadium doping acceptor level

A Compensation Mechanism for Semi-Insulating 6H-SiC Doped with Vanadium: 《Journal of Semiconductors》2008年第2期206-209,共4页王超张义门张玉明王悦湖徐大庆; 国家自然科学基金(批准号:60376001);教育部重点项目(批准号:106150);西安应用材料基金(批准号:XA-AM-200607)资助项目~~; A model is presented to describe a compensation mechanism for semi-insulating 6H-SiC grown with the intentional doping of vanadium. Because we found nitrogen to be the principal shallow donor impurity in SiC by second...; 关键词：6H-SIC SEMI-INSULATING vanadium doping COMPENSATION vanadium acceotor level

Ni基n型SiC材料的欧姆接触机理及模型研究被引量：5: 《固体电子学研究与进展》2008年第1期42-45,共4页郭辉张义门张玉明吕红亮; 国家自然科学基金资助项目(60376001);973项目(2002CB311904)资助; 研究了Ni基n型SiC材料的欧姆接触的形成机理,认为合金化退火过程中形成的C空位(Vc)而导致的高载流子浓度层对欧姆接触的形成起了关键作用。给出了欧姆接触的能带结构图,提出比接触电阻ρC由ρC1和ρC2两部分构成。ρC1是Ni硅化物与其下...; 关键词：碳化硅欧姆接触退火碳空位

一种宽输入范围CMOS模拟乘法器的优化设计被引量：3: 《现代电子技术》2008年第1期140-143,共4页戴瀚斌张玉明张义门郭辉; 国家自然科学基金资助项目(60376001);教育部重点项目(106150); 设计了一种基于CMOS工艺设计的宽输入范围的Gilbert单元乘法器。通过在乘法器的输入端加入有源衰减器和电位平移电路,增大了乘法器的输入范围(±4 V)。该乘法器采用TSMC 0.35μm的CMOS工艺进行设计,并用HSpice仿真器对电路进行了仿真,...; 关键词：CMOS模拟乘法器 GILBERT单元有源衰减器宽输入范围

Formation of Nickel Based Ohmic Contact to High Energy Vanadium Implanted n-Type 4H-SiC: 《Journal of Semiconductors》2007年第11期1701-1705,共5页王超张义门张玉明郭辉徐大庆王悦湖; 国家自然科学基金(批准号:60376001);国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311904);国防基础研究规划(批准号:51327020202)资助项目~~; The diffusion behavior of vanadium （V） implanted in SiC is investigated by secondary ion mass spec- trometry. Significant redistribution, especially out-diffusion of vanadium towards the sample surface, is not ob- s...; 关键词：ohmic contact semi-insulating SiC V ion implantation diffusion carbon vacancies

Evidence of the Role of Carbon Vacancies in Nickel-Based Ohmic Contacts to n-Type Silicon Carbide被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2007年第1期5-9,共5页郭辉张义门张玉明; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2002CB311904);国家重点基础研究发展计划军用项目(批准号:51327010101);国家自然科学基金(批准号:60376001)资助项目~~; N-wells are created by P＋ ion implantation into Si-faced p-type 4H-SiC epilayer. Ti and Ni are deposited in sequence on the surface of the active regions. Ni2Si is identified as the dominant phase by X-ray diffracti...; 关键词：NI ohmic contact silicon carbide carbon vacancies P^＋ ion implantation

钒注入4H-SiC半绝缘特性的研究被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2006年第8期1396-1400,共5页王超张玉明张义门; 国家自然科学基金(批准号:60376001);国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311904);国防基础研究计划(批准号:51327020202)资助项目~~; 研究了2100keV高能量钒注入4H-SiC制备半绝缘层的方法和特性，注入层的浓度分布用蒙特卡罗分析软件TRIM进行模拟．采用一种台面结构进行I-V测试，发现钒注入层的电阻率与4H-SiC层的初始导电类型有很大关系．常温下，钒注入p型和n型4H-Si...; 关键词：碳化硅半绝缘钒离子注入退火激活能

国家自然科学基金(60376001)