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国家自然科学基金(60376019): 作品数：21被引量：31H指数：3; 导出分析报告; 相关作者：徐静平陈卫兵李艳萍许胜国季峰更多>>; 相关机构：华中科技大学香港大学武汉理工大学更多>>; 相关期刊：《物理学报》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》更多>>; 相关主题：高K栅介质MOSFET阈值电压隧穿电流栅介质更多>>; 相关领域：电子电信理学电气工程更多>>

Electrical Characteristics of MOS Capacitors with HfTiON as Gate Dielectric: 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》2009年第1期57-60,共4页徐静平; Funded by the National Natural Science Foundation of China (NSFC, No. 60376019); HfTiN film was deposited by co-reactive sputtering and then was annealed in dif-ferent gas ambients at temperature of 650 ℃ for 2 min to form HfTiON film. Capacitance-voltage and gate-leakage characteristics were inv...; 关键词：high-k gate dielectric HfTiON co-reactive sputter gate-leakage current

HfTiO氮化退火对MOS器件电特性的影响被引量：1: 《固体电子学研究与进展》2008年第3期330-333,共4页季峰徐静平张洪强黎沛涛李春霞官建国; 国家自然科学基金(60376019)资助项目;武汉理工大学新材料研究所材料复合新技术国家重点实验室开放基金(WUT2006M02)资助项目; 采用磁控溅射方法,在Si衬底上淀积HfTiO高k介质,研究了NO、N2O、NH3和N2不同气体退火对MOS电特性的影响。结果表明,由于NO氮化退火能形成类SiO2/Si界面特性的HfTiSiON层,所制备的MOS器件表现出优良的电特性,即低的界面态密度、低的栅极...; 关键词：铪钛氧化物高K栅介质氮化淀积后退火

一种精确求解超薄栅NMOS器件隧穿电流的模型: 《固体电子学研究与进展》2008年第2期162-166,共5页李宗林徐静平许胜国; 国家自然科学基金(60376019)资助项目; 提出了一种精确求解隧穿电流的模型。通过自洽求解一维薛定谔方程和泊松方程,得到NMOS器件的半导体表面电势分布、反型层二维电子气的量子化能级以及对应的载流子浓度分布。为计算隧穿电流,采用了多步势垒逼近方法计算栅氧化物势垒层的...; 关键词：N沟金属-氧化物-半导体器件量子隧穿反型层超薄栅氧化物

不同温度退火的HfTiON栅介质MOS电容电特性研究: 《固体电子学研究与进展》2008年第1期142-144,157,共4页陈卫兵徐静平李艳萍许胜国邹晓; 国家自然科学基金资助项目(60376019)资助; 在N2/O2气氛中,使用Ti、Hf靶共反应溅射在衬底Si上淀积一种新型栅介质材料HfTiON,随后分别在N2气氛中600°C和800°C退火2min。电容电压(C-V)特性和栅极漏电流特性测试结果表明,800°C快速热退火(RTA)样品表现出更低的界面态密度、更低...; 关键词：HfTiON 高K栅介质快速热退火共反应溅射栅极漏电流

Novel High PSRR Current Reference Based on Subthreshold MOSFETs: 《Wuhan University Journal of Natural Sciences》2008年第1期71-74,共4页YU Guoyi JIN Hai ZOU Xuecheng; Supported by the National Natural Science Foundation of China (60376019); This paper takes full advantages of the I-V transconductance characteristics of metal-oxide semiconductor field effect transistor （MOSFET） operating in the subthreshold region and the enhancement pre-regulator techn...; 关键词：current reference voltage regulator low voltage SUBTHRESHOLD CMOS integrated circuit

高效率PWM DC/DC转换器的设计被引量：2: 《计算机与数字工程》2007年第9期139-142,共4页徐静平谭亚伟钟德刚; 国家自然科学基金(编号:60376019)资助; 采用同步整流技术和轻负载条件下的自动突发模式,设计一种高效率PWMDC/DC转换器.将该转换器用于一个输出电压为3.3V的升压型开关电源系统中,HSPICE仿真结果表明,该转换器在轻、重负载时都具有高的效率,最高可达92.78%。; 关键词：PWM控制同步整流自动突发模式死区时间

一种用于PWM变换器的斜坡补偿电路设计被引量：7: 《华中科技大学学报（自然科学版）》2007年第9期66-69,共4页徐静平王虎钟德刚谭亚伟; 国家自然科学基金资助项目(60376019); 针对传统斜坡补偿的PWM变换器的电流输出能力会随着补偿电流的增加而下降的缺点,设计了一种用于峰值电流模式PWM变换器的斜坡补偿电路.通过改进系统箝位电路,使箝位电压能够随着补偿电流动态变化,从而保持系统的输出电流能力恒定,减小...; 关键词：峰值电流模式 PWM变换器斜坡补偿

深亚微米MOSFET的蒙特卡罗快速模拟: 《华中科技大学学报（自然科学版）》2007年第8期33-36,共4页季峰徐静平陈卫兵李艳萍; 国家自然科学基金资助项目(60376019);湖北省自然科学基金资助项目(2003ABA087); 用蒙特卡罗-泊松方程自洽求解的方法,对深亚微米金属-氧化物-半导体场效应晶体管——MOSFET的电特性进行了模拟.在泊松方程的求解上,使用了矩阵法,与一般的迭代方法相比,求解速度得到了极大的提高.为减少自散射的次数,用阶梯自散射方案...; 关键词：金属-氧化物-半导体场效应晶体管蒙特卡罗散射率自由飞行时间

峰值电流升压型PWM变换器内部补偿网络设计被引量：2: 《华中科技大学学报（自然科学版）》2007年第8期37-40,共4页徐静平吴蕾钟德刚谭亚伟; 国家自然科学基金资助项目(60376019); 分析了峰值电流升压型PWM变换器环路中极零点补偿对稳定性的影响.根据补偿原则,采用电容等效乘法电路,设计了一种应用于峰值电流升压型PWM变换器的内部补偿网络.利用模拟乘法电路的等效倍增功能,实现了补偿电容的最小化,使内部补偿成为...; 关键词：PWM变换器升压型内部补偿稳定性乘法电路

超薄栅介质MOSFET直接隧穿电流自洽解模型: 《固体电子学研究与进展》2007年第4期545-549,共5页许胜国徐静平季峰陈卫兵李艳萍; 国家自然科学基金(60376019);湖北省自然科学基金(2003ABA087)资助项目; 采用自洽解方法求解一维薛定谔方程和二维泊松方程,得到电子的量子化能级和相应的浓度分布,利用MWKB方法计算电子隧穿几率,从而得到不同栅偏置下超薄栅介质MOSFET的直接隧穿电流模型。一维模拟结果与实验数据十分吻合,表明了模型的准确...; 关键词：隧穿电流自洽解金属-氧化物-半导体场效应晶体管超薄栅介质

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