中国航空科学基金(2008ZE53043)

作品数：9被引量：20H指数：3
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反应离子刻蚀法制备石英纳米压印模板的工艺研究被引量：3
《机械科学与技术》2012年第11期1786-1789,共4页张少峰 刘正堂 李阳平 陈海波 徐启远 
航空科学基金项目(2008ZE53043)资助
为了使用紫外纳米压印法制备出亚波长结构,研究了在石英衬底上采用光刻和反应离子刻蚀技术制备出紫外纳米压印模板,以及模板制备过程中工艺参数对光刻胶和刻蚀速率的影响。利用激光共聚焦显微镜(LSCM)及原子力显微镜(AFM)对光刻和刻蚀...
关键词：光刻 反应离子刻蚀 刻蚀速率 亚波长结构 紫外纳米压印 
锗表面二维亚波长结构的反应离子刻蚀制备被引量：1
《材料科学与工艺》2012年第5期76-80,共5页李阳平 陈海波 刘正堂 武倩 郑倩 张淼 徐启远 
航空科学基金资助项目(2008ZE53043)
为了获得具有金字塔结构的二维亚波长结构表面,提高其高宽比,用掩模曝光光刻及反应离子刻蚀技术,以SF6和O2为反应气体,在Ge衬底上制备了二维亚波长结构.用扫描电镜对刻蚀图形的形貌进行了观察,研究了功率、气压、气体流量及掩模图形对...
关键词：锗 光刻 反应离子刻蚀 亚波长结构 掩模 
ZnS衬底上二维亚波长结构抗反射表面的制备及性能研究被引量：2
《真空科学与技术学报》2011年第5期579-583,共5页武倩 刘正堂 李阳平 徐启远 
航空科学基金资助的课题(2008ZE53043)
采用接触式紫外光刻和反应离子刻蚀工艺在ZnS衬底上制备二维亚波长结构抗反射表面。在优化的光刻工艺下,以CH4、H2及Ar的混合气体为刻蚀剂,研究了刻蚀工艺对刻蚀速率和刻蚀形貌的影响。结果表明,刻蚀速率随着射频功率的增大线性增大,随...
关键词：二维亚波长结构 抗反射 反应离子刻蚀 刻蚀形貌 
ZnS衬底表面亚波长增透结构的设计及制备被引量：6
《物理学报》2011年第1期219-222,共4页徐启远 刘正堂 李阳平 武倩 张淼 
航空科学基金(编号:2008ZE53043)资助的课题~~
ZnS是长波红外窗口优选材料之一,而其表面反射率较高;为了减小表面反射,利用耦合波理论,对ZnS衬底表面的亚波长结构参数进行优化设计,得到了具有良好增透效果的最佳亚波长结构参数;并利用掩膜光刻、反应离子刻蚀技术在ZnS衬底表面制备出...
关键词：耦合波理论 表面亚波长增透结构 反应离子刻蚀 硫化锌 
锗衬底上锥形二维亚波长结构的制备被引量：1
《西北工业大学学报》2010年第4期515-519,共5页张淼 刘正堂 李阳平 郑倩 刘辉 
航空科学基金(2008ZE53043)资助
为了在Ge衬底上制备出锥形二维亚波长结构,文章研究了紫外接触式光刻工艺和反应离子刻蚀工艺对光刻及刻蚀图形的影响。结果发现:由于紫外光的衍射效应,光刻胶图形顶部出现了凹坑,使其有效抗蚀厚度减小,提高光刻胶图形的有效抗蚀厚度,能...
关键词：二维亚波长结构 反应离子刻蚀 衍射效应 刻蚀深度 
RIE对Ge衬底上制备亚波长结构形貌的影响被引量：1
《半导体技术》2010年第6期527-530,共4页郑倩 刘正堂 李阳平 张淼 车兴森 
航空科学基金资助项目(2008ZE53043)
利用反应离子刻蚀(RIE)技术在Ge衬底上制备宽波段亚波长结构,研究了不同SF6/O2比例条件下在不同刻蚀时间、压强和射频功率对结构形貌及刻蚀深度的影响,并用SEM对刻蚀图形的表面形貌进行了观察。结果表明,SF6易与衬底发生反应,生成挥发...
关键词：反应离子刻蚀 亚波长结构 挥发性产物 钝化膜 各向异性 
锗衬底红外抗反射亚波长结构的研究被引量：5
《光学学报》2010年第6期1745-1748,共4页徐启远 刘正堂 李阳平 张淼 
航空科学基金(2008ZE53043)资助课题
为了减小锗表面的反射,利用模式理论对锗衬底正方柱形亚波长结构的衍射特性进行了研究。结果发现,当周期较小时,占空比大于0.78对透射率的影响比较明显;周期大于0.25λ,零级透射率随周期的增大急剧下降,而总透射率随周期的增大变化不大...
关键词：光学材料 抗反射亚波长结构 模式理论 锗(Ge) 
锗衬底上反应离子刻蚀制备宽波段红外增透结构的工艺及性能研究被引量：2
《机械科学与技术》2009年第10期1375-1378,共4页沈祥伟 刘正堂 卢红成 李阳平 闫峰 
航空科学基金项目(2008ZE53043)资助
研究了利用反应离子刻蚀技术在Ge衬底上制备宽波段抗反射亚波长结构时工艺参数对刻蚀速率及刻蚀选择比的影响。利用场发射扫描电镜（SEM）及原子力显微镜（AFM）对刻蚀图形的表面形貌进行了观察。利用傅里叶变换红外光谱仪对其红外透过...
关键词：宽波段 抗反射亚波长结构 反应离子刻蚀 刻蚀速率 
等离子体发射光谱诊断用于射频磁控溅射GaP薄膜的工艺参数优化被引量：5
《物理学报》2009年第7期5022-5028,共7页李阳平 刘正堂 
航空科学基金(批准号:2008ZE53043)资助的课题~~
以GaP为靶材、Ar为工作气体,采用射频磁控溅射法制备了厚层GaP膜.对沉积过程中的辉光放电等离子体进行了发射光谱诊断,发现只有ArⅠ发射谱线.研究了工艺参数对发射谱线强度的影响规律,并在此基础上通过同时改变射频功率、Ar气流量及工...
关键词：GaP薄膜 射频磁控溅射 等离子体发射光谱 红外透射 
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