云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家自然科学基金(60536020)

国家自然科学基金(60536020): 作品数：15被引量：180H指数：5; 导出分析报告; 相关作者：罗毅韩彦军李洪涛孙长征赵维更多>>; 相关机构：清华大学勤上光电股份有限公司更多>>; 相关期刊：《半导体光电》《Chinese Physics B》《红外与激光工程》《中国激光》更多>>; 相关主题：GAN薄膜氮化镓LEDGAN半导体照明更多>>; 相关领域：电子电信理学电气工程更多>>

自由表面光学系统对白光LED色温角分布的影响被引量：2: 《半导体光电》2011年第6期777-780,共4页司徒文畅韩彦军冯泽心李洪涛罗毅; 国家自然科学基金项目(60536020,60723002,50706022,60977022);国家“973”计划项目(2006CB302800,2006CB921106);国家“863”计划项目(2007AA05Z429,2008AA03A194);北京市自然科学基金重点项目(4091001);深圳市产学研和公共科技专项资助项目(08CXY-14); 基于非成像光学设计的自由表面光学系统,对提高以LED为核心的固态半导体照明的性能起着至关重要的作用。文章提出了简化模型模拟一次封装白光LED光源的色温角分布特性,并研究了自由表面光学系统对该色温角分布特性的影响。仿真与实验结...; 关键词：LED 自由表面光学系统色温

基于反射光谱的单层抗反射膜的非在位膜厚精确控制被引量：1: 《光电子．激光》2010年第10期1507-1510,共4页徐建明熊兵袁贺孙长征罗毅; 国家自然科学基金资助项目(60536020,60723002,50706022,60977022);国家“973”重大基础研究计划资助项目(2006CB302800,2006CB921106); 提出一种基于反射光谱分析的非在位膜厚控制技术,首先利用椭圆偏振光谱仪确定波长300～1 700 nm范围内的薄膜折射率,由此确定对应于特定波长(如1 550 nm)的最佳抗反射(AR)镀膜沉积条件。然后计算最佳AR镀膜厚度所对应的反射谱,得到相应...; 关键词：膜厚控制抗反射(AR)镀膜反射光谱等离子体增强化学气相淀积(PECVD)

Effects of InGaN barriers with low indium content on internal quantum efficiency of blue InGaN multiple quantum wells被引量：1: 《Chinese Physics B》2010年第7期467-470,共4页汪莱王嘉星赵维邹翔罗毅; supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 60536020,60723002,50706022 and 60977022);the National Basic Research Program of China (Grant Nos. 2006CB302800 and 2006CB921106);the National High Techgnology Research and Development Program of China (Grant Nos. 2007AA05Z429 and 2008AA03A194);the Beijing Natural Science Foundation,China (Grant No. 4091001);the Industry,Academia and Research combining and Public Science and Technology Special Program of Shenzhen,China (Grant No. 08CXY-14); Blue In0.2Ga0.8N multiple quantum wells （MQWs） with InxGa1-xN （x = 0.01 - 0.04） barriers are grown by metal organic vapour phase epitaxy. The internal quantum efficiencies （IQEs） of these MQWs are studied in a w...; 关键词：metal organic vapour phase epitaxy quantum wells nitrides light emitting diodes

基于等离子体增强化学气相沉积技术的光电子器件多层抗反膜的设计和制作被引量：2: 《物理学报》2010年第10期7239-7244,共6页袁贺孙长征徐建明武庆熊兵罗毅; 国家自然科学基金(批准号:60536020;60723002;50706022;60977022);国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB302800;2006CB921106)资助的课题~~; 针对光电子器件端面抗反镀膜的要求,研究了基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术的多层抗反膜的设计和制作.首先,对影响SiNx折射率的因素进行了实验研究,确定了具有大折射率差的SiO2/SiNx材料的PECVD沉积条件.根据理论计算分析,设...; 关键词：抗反膜等离子体增强化学气相沉积二氧化硅/氮化硅多层膜

LED波长一致性和温度均匀性对背光源色差的影响被引量：7: 《半导体光电》2010年第1期104-107,共4页刘煜原罗毅韩彦军钱可元; 国家自然科学基金项目(60536020,60390074);国家“973”计划项目(2006CB302801,2006CB302804,2006CB302806,2006CB921106);国家“863”计划项目(2006AA03A105);北京市自然科学基金重点项目(4091001);深圳市产学研和公共科技专项资助项目(SY200806300244A); 直下式动态三基色LED背光源具有色域广、寿命长、节能环保、对比度高等优势,但许多因素限制了其颜色的表现力。研究了LED波长一致性、背光温度均匀度两个因素对色差的影响,指出为使色差小于人眼所能分辨范围(CIE1976色坐标体系Δu′v′...; 关键词：三基色LED 直下式动态背光源色差

AlGaN插入层对6H-SiC上金属有机物气相外延生长的GaN薄膜残余应力及表面形貌的影响被引量：3: 《物理学报》2009年第10期7282-7287,共6页江洋罗毅席光义汪莱李洪涛赵维韩彦军; 国家自然科学基金(批准号:60536020;60723002);国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB302801;2006CB302804;2006CB302806;2006CB921106);国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A105);北京市科委重大计划(批准号:D0404003040321)资助的课题~~; 研究了具有不同台阶数目的AlGaN插入层对在6H-SiC衬底上利用金属有机物气相外延(MOVPE)生长的GaN体材料残余应力和表面形貌的影响.高分辨率X射线衍射测试表明样品的c轴晶格常数随台阶数目的增多而增大;低温光荧光谱中GaN发光峰也随着台...; 关键词：残余应力表面形貌 SIC衬底 AlGaN插入层

柱状与孔状图形衬底对MOVPE生长GaN体材料及LED器件的影响被引量：7: 《物理学报》2009年第5期3468-3473,共6页江洋罗毅汪莱李洪涛席光义赵维韩彦军; 国家自然科学基金(批准号:60536020,60723002);国家重点基础研究发展计划“973”(批准号:2006CB302801,2006CB302804,2006CB302806,2006CB921106);国家高技术研究发展计划“863”(批准号:2006AA03A105);北京市科委重大计划(批准号:D0404003040321)资助的课题~~; 在柱状图形蓝宝石衬底(PSS-p)和孔状图形蓝宝石衬底(PSS-h)上外延了GaN体材料和LED结构并进行了详细对比和分析.X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)测试结果表明,PSS-h上体材料的晶体质量和表面形貌都优于PSS-p上体材料的特性,通过断...; 关键词：蓝宝石图形衬底氮化镓发光二极管侧向生长

BCB/InP基宽带低损耗共面波导微波传输线被引量：3: 《半导体光电》2008年第5期733-736,740,共5页侯海燕熊兵徐建明周奇伟孙长征罗毅; 国家自然科学基金项目(60536020,60723002);国家“973”计划项目(2006CB302800,2006CB921106);国家“863”计划项目(2006AA03A105);北京市科委重大计划项目(D0404003040321);清华大学电子系传信基金资助项目; 面向高速行波电吸收（EA）调制器的需要，设计并制作了基于苯并环丁烯（BCB）聚合物／InP衬底的宽带（0～40GHz）、低损耗微波共面波导传输线。对共面波导结构开展仿真设计，分别对BCB材料厚度、InP衬底导电率和信号电极宽度等关键参数...; 关键词：低损耗InP基微波波导共面波导苯并环丁烯半绝缘InP衬底

半导体照明中的非成像光学及其应用被引量：85: 《中国激光》2008年第7期963-971,共9页罗毅张贤鹏王霖杨毅胡飞钱可元韩彦军李旭亮张志海邓国强; 国家自然科学基金(60536020,60723002);国家973计划(2006CB302801,2006CB302804,2006CB302806,2006CB921106);国家863计划(2006AA03A105);北京市科委重大计划(D0404003040321)资助项目; 以GaN基功率型发光二极管(LED)为代表的半导体照明光源,具有其他传统光源无法比拟的诸多优点,被公认为21世纪最有价值的新型光源。充分发挥功率型LED的优势,利用非成像光学进行面向实际应用的功率型LED封装光学系统设计,以高端半导体照...; 关键词：半导体照明非成像光学氮化镓发光二极管

基于X射线衍射的GaN薄膜厚度的精确测量: 《物理学报》2008年第11期7119-7125,共7页李洪涛罗毅席光义汪莱江洋赵维韩彦军郝智彪孙长征; 国家自然科学基金(批准号:60536020,60723002);国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2006CB302801,2006CB302804,2006CB302806,2006CB921106);国家高技术研究发展计划(863)(批准号:2006AA03A105);北京市科委重大计划(批准号:D0404003040321)资助的课题~~; 结合Williamson-Hall plot方法和线型分析方法的优点,提出了一种有效分离有限晶粒尺寸和非均匀应力等X射线衍射展宽效应的方法,可以用于GaN外延层厚度等参数的快速精确测量.用该方法对一系列在蓝宝石衬底上生长的厚度在0.7—4.2μm的Ga...; 关键词：GAN薄膜厚度测量 X射线衍射

高级检索 检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

高级检索 检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

国家自然科学基金(60536020)

检索结果分析

下载全文

高级检索检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

高级检索 检索式检索

时间限定

期刊范围

学科限定全选

国家自然科学基金(60536020)

检索结果分析

下载全文

用户登录

高级检索检索式检索