江苏省自然科学基金(BK2012516)

作品数：4被引量：1H指数：1
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MOCVD法生长InAlN材料及其微结构特性研究
《功能材料》2014年第B06期104-106,共3页董逊 倪金玉 李亮 彭大青 张东国 李忠辉 
国家自然科学基金资助项目(61076120;61106130);江苏省自然科学基金资助项目(BK2012516)
利用MOCVD法,在7.62cm蓝宝石衬底上生长了InAlN薄膜及InAlN/GaN异质结材料。利用XRD、AFM、Hall等测试方法对材料的组分、表面形貌、电学性质等进行了分析,InAlN薄膜中In含量随生长温度的升高明显降低,材料表面为三维岛状结构;与AlGaN/...
关键词：MOCVD INALN 迁移率 
高耐压Si基GaN功率电子器件
《固体电子学研究与进展》2013年第6期505-508,共4页管邦虎 孔岑 耿习娇 陆海燕 倪金玉 周建军 孔月婵 冯军 陈堂胜 
国家自然科学基金资助项目(61106130);江苏省科技支撑资助项目(BE2012007);江苏省自然科学基金资助项目(BK2012516)
基于Si基GaN HEMT材料制作了击穿电压530V、无场板的功率电子器件。器件制作工艺与现有GaN微波功率器件工艺兼容。研究了器件栅漏间距与击穿电压的关系。器件栅宽为100μm,栅漏间距为15μm时,得到的GaN HEMT器件击穿电压530V,最大电流密...
关键词：硅基氮化镓 功率电子器件 击穿电压 
Si基GaN材料寄生导电层的研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2013年第4期312-316,共5页倪金玉 李忠辉 孔岑 周建军 陈堂胜 郁鑫鑫 
国家自然科学基金资助项目(61076120,61106130);江苏省自然科学基金资助项目(BK2012516);江苏省科技支撑计划资助项目(BE2012007)
通过对Si基GaN材料的电学性能进行测量分析,确认了该材料体系所特有的寄生导电层现象。研究了寄生导电层对Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)微波功率性能和击穿性能的不良影响。通过材料生长工艺的优化,降低了寄生导电层的导电性,获得...
关键词：硅基氮化镓 寄生导电层 氮化镓高电子迁移率晶体管 
Si基GaNHEMT低温欧姆接触工艺研究
《固体电子学研究与进展》2013年第1期72-75,96,共5页王金 孔岑 周建军 倪金玉 陈堂胜 刘涛 
国家自然科学基金资助项目(61106130);江苏省自然科学基金资助项目(BK2012516);江苏省科技支撑资助项目(BE20120070)
研究了在Si基GaN外延材料上实现低温欧姆接触的技术途径。研究了外延层的刻蚀深度、合金温度以及不同金属体系对接触特性的影响,发现外延层刻蚀深度的优化可显著改善欧姆接触特性。采用Ti/Al(10/200nm)金属,在外延层刻蚀深度为20nm以及...
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管 外延层减薄 低温合金 欧姆接触 
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