国家杰出青年科学基金(60225010)

作品数：16被引量：65H指数：5
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相关作者：杨德仁阙端麟周成瑶张辉马向阳更多>>
相关机构：浙江大学浙江海洋学院南开大学浙江理工大学更多>>
相关期刊：《材料导报》《材料科学与工程学报》《无机材料学报》《发光学报》更多>>
相关主题：多孔硅氧沉淀直拉硅PVK电致发光更多>>
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单分散硫化铜纳米晶的生长及调控被引量：7
《材料科学与工程学报》2008年第2期208-212,共5页张懿强 张辉 于敬学 杨德仁 阙端麟 
国家杰出青年基金资助项目(60225010)
以氯化铜、油胺和硫粉为反应物,利用热注入化学反应制备单分散硫化铜纳米晶。通过加入其它表面活性剂可以对纳米晶的尺寸,形貌和稳定性进行调控。这些表面活性剂包括苄胺、油酸、硬脂酸、十二烷基硫醇、三辛基氧化膦和烷基胺等。在一定...
关键词：高温化学反应 单分散硫化铜纳米晶 表面活性剂 
热处理气氛对直拉硅单晶中体缺陷的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第6期865-868,共4页崔灿 杨德仁 马向阳 
国家杰出青年基金(批准号:60225010);国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA3Z1142)资助项目~~
研究了五种不同的热处理气氛对直拉硅中氧沉淀及其诱生缺陷的影响.实验结果表明,经过低-高退火处理的硅片继续在五种不同的气氛中高温退火,氧沉淀会部分溶解,其溶解量与热处理气氛没有明显的关系,但不同气氛中处理的硅片中体缺陷(BMDs)...
关键词：直拉硅 氧沉淀 内吸杂 
氧化铁和羟基氧化铁纳米结构的水热法制备及其表征被引量：22
《无机材料学报》2007年第2期213-218,共6页钭启升 张辉 邬剑波 杨德仁 
国家杰出青年基金(60225010)
利用乙二醇辅助水热法制备氧化铁的纳米结构,系统研究了Fe3+和OH-的比例、乙二醇的含量、溶液浓度以及后续热处理对氧化铁纳米结构的影响,同时研究了不用形貌的氧化铁纳米结构对其磁性的影响．研究表明:当Fe3+和OH-的摩尔比>1:4时,无论...
关键词：乙二醇辅助水热法 氧化铁纳米结构 羟基氧化铁纳米结构 
快速热处理对直拉硅单晶在模拟CMOS热处理工艺时氧沉淀的影响被引量：2
《材料科学与工程学报》2006年第5期691-693,699,共4页马强 杨德仁 马向阳 崔灿 
国家自然科学基金重点资助项目(50032010);国家杰出青年基金资助项目(60225010);863项目(2002AA3Z1111)资助项目
本文研究了快速热处理工艺(RTP)在模拟的CMOS热处理工艺中对直拉硅单晶中氧沉淀和洁净区(DZ)的影响。研究表明:在模拟的CMOS热处理工艺之前,应用快速热处理(1250℃,50s)代替常规炉处理(1200℃,2h)消除直拉硅单晶热历史,可以更有效地消...
关键词：直拉硅单晶 氧沉淀 快速热处理工艺 CMOS工艺 
铸造多晶硅中铜沉淀的电子束诱生电流被引量：5
《太阳能学报》2005年第1期1-5,共5页陈君 杨德仁 席珍强 阙端麟 关口隆史 
国家杰出青年基金(60225010)国家自然科学基金(50032010)
利用电子束诱生电流(EBIC)研究了不同热处理条件下太阳电池用铸造多晶硅材料中的铜的沉淀特性, 并与铜在普通直拉硅单晶中的沉淀行为进行了比较。EBIC观察发现,在铸造多晶硅中,热处理的冷却速率和结晶学缺陷(如晶界和位错)共同影响着铜...
关键词：铸造多晶硅 铜沉淀 EBIC 
硅晶体缺陷发光及应用被引量：2
《材料导报》2005年第1期82-85,共4页袁志钟 杨德仁 
国家杰出青年科学基金(项目编号:60225010);国家自然科学基金重点项目(项目编号:5003210)
信息技术的发展要求在集成电路内部用光子代替电子来传导信息,这就使得硅基光源成为技术发展的方向和光电子集成的关键,是当前急需解决的科学挑战之一。硅晶体缺陷发光是十分重要的硅基发光现象,已引起广泛的关注。在硅基位错发光原理...
关键词：硅晶体 硅基 发光器件 光电子集成 电致发光 集成电路 光致发光 光子 位错 发光原理 
氮对直拉硅片中氧沉淀分布的影响被引量：3
《Journal of Semiconductors》2004年第8期951-955,共5页崔灿 杨德仁 马向阳 余学功 李立本 阙端麟 
国家自然科学基金 (批准号 :5 0 0 3 2 0 10 ) ;国家杰出青年基金 (批准号 :60 2 2 5 0 10 );国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2 AA3 Z1111)资助项目~~
研究了氮在退火过程中对直拉硅片中的氧沉淀分布的影响 .实验结果表明 ,三步退火后在掺氮硅片截面形成特殊的 M形的氧沉淀密度分布 ,即表面形成没有氧沉淀的洁净区 (DZ) ,体内靠近 DZ区域形成高密度、小尺寸的氧沉淀 ,而在硅片的中心处...
关键词：掺氮 直拉硅 氧沉淀 退火 
网络状氮化硼纳米棒的生长研究被引量：1
《真空科学与技术学报》2004年第6期445-447,共3页卢晓敏 汪雷 杨德仁 
国家杰出青年科学基金 (No.60 2 2 5 0 10)
利用等离子体增强化学气相沉积 (PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition ,PECVD)法在单晶硅片上生长了氮化硼 (BN)材料。扫描电子显微镜 (ScanningElectronMicroscopy ,SEM)图 ,能量分散谱 (EnergyDispersiveSpectrum ,EDS)和傅里叶红...
关键词：等离子体增强化学气相沉积 纳米棒 氮化硼 PECVD 单晶硅片 网络 微米 傅里叶红外光谱 FTIR 薄膜 
硅空间太阳电池研究进展
《材料导报》2004年第12期10-13,共4页朱鑫 沃银花 席珍强 杨德仁 
国家杰出青年基金(№60225010)
硅空间太阳电池是目前主要的空间电源设备,正朝着50～70μm的超薄趋势发展,预示了其优良的使用性能和更为广阔的应用前景,这也对电池的转化效率、辐照性能和机械强度提出了更高的要求。较为详细地介绍了针对超薄太阳电池的掺杂剂选择,...
关键词：太阳电池 表面钝化 机械强度 掺杂剂 织构 结构改进 转化效率 超薄 性能 辐照 
磁控溅射金属预置层后硒化法制备CuInSe_2薄膜工艺条件的优化被引量：11
《Journal of Semiconductors》2004年第6期741-744,共4页汤会香 严密 张辉 张加友 孙云 薛玉明 杨德仁 
国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 1AA5 13 0 2 3 );国家杰出青年基金(批准号 :60 2 2 5 0 10 )资助项目~~
采用四因素四水平的正交实验法优化了磁控溅射金属预置层后硒化法制备CuInSe2 薄膜的工艺条件 .调节四个较为重要的影响因素 ,即Cu/In比、硒化时间、硒化温度和硒源温度制备得到 16个CuInSe2 样品 .用Hall效应仪对薄膜的电学性能进行了...
关键词：正交实验 CuInSe2薄膜 优化制备 
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