云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家高技术研究发展计划(2003AA1Z1630)

国家高技术研究发展计划(2003AA1Z1630): 作品数：33被引量：69H指数：4; 导出分析报告; 相关作者：郝跃王俊平李康马晓华曹艳荣更多>>; 相关机构：西安电子科技大学中芯国际集成电路制造有限公司陕西教育学院更多>>; 相关期刊：《物理学报》《Journal of Semiconductors》《西安电子科技大学学报》《半导体技术》更多>>; 相关主题：ICHCI可靠性CMOS工艺参数成品率更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>

Effect of substrate bias on negative bias temperature instability of ultra-deep sub-micro p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors: 《Chinese Physics B》2009年第1期309-314,共6页曹艳荣郝跃马晓华胡仕刚; Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos 60376024,60736033 and 60506020);the National High Technology Research and Development Program of China (Grant No 2003AA1Z1630); The effect of substrate bias on the degradation during applying a negative bias temperature （NBT） stress is studied in this paper. With a smaller gate voltage stress applied, the degradation of negative bias tempera...; 关键词：negative bias temperature instability （NBTI） substrate bias hot holes oxide traps

一种改进的方向扩散方程滤波方法被引量：4: 《信号处理》2008年第5期828-830,共3页孙晓丽冯象初宋国乡; 国家863重大专项(2003AA1Z1630)资助课题; 利用方向扩散方程去噪时,噪声滤除的同时边缘也很快模糊了。基于这一缺陷,本文用各向异性扩散算子代替了方向扩散方程第一项中的拉普拉斯算子,并在方程的两个扩散项前加上了不同的扩散系数,以保证算法既能快速扩散去除噪声,又能较好保...; 关键词：方向扩散方程图像去噪各向异性扩散拉普拉斯算子

方向扩散方程与小波变换的相关性研究被引量：2: 《电子与信息学报》2008年第3期593-595,共3页孙晓丽冯象初宋国乡; 国家863重大专项(2003AA1Z1630)资助课题; 方向扩散方程是一种有方向性的扩散,本文基于这一特点,对方向扩散方程与小波分解和重构的相关性作了研究。首先,用小波分解后下层的低频图像作为对上层低频图像的一个初始近似,验证了由上层低频图像经方向扩散方程可逐渐扩散收敛到下层...; 关键词：方向扩散方程小波变换偏微分方程

Models and Related Mechanisms of NBTI Degradation of 90nm pMOSFETs被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2007年第5期665-669,共5页曹艳荣马晓华郝跃于磊朱志炜陈海峰; 国家自然科学基金(批准号:60376024);国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA1Z1630)资助项目~~; We investigate the negative bias temperature instability （NBTI） of 90nm pMOSFETs under various temperatures and stress gate voltages （Vg）. We also study models of the time （t） ,temperature （T） ,and stress Vg d...; 关键词：NBTI 90nm PMOSFETS model

Hot-carrier degradation for 90 nm gate length LDD- NMOSFET with ultra-thin gate oxide under low gate voltage stress: 《Chinese Physics B》2007年第3期821-825,共5页陈海峰郝跃马晓华李康倪金玉; Project supported by the National High Technology Research and Development Program of China （Grant No 2003AA1Z1630） and the National Natural Science Foundation of China （Grant No 60376024）.; The hot-carrier degradation for 90 nm gate length lightly-doped drain （LDD） NMOSFET with ultra-thin （1.4 nm） gate oxide under the low gate voltage （LGV）（at Vg = Vth, where Yth is the threshold voltage） stress...; 关键词：threshold voltage lightly doped drain gate-induced drain leakage current hot hole

90nm NMOS器件TDDB击穿特性研究: 《半导体技术》2007年第3期217-219,共3页周鹏举马晓华曹艳荣郝跃; 国家自然科学基金(60376024);国家高技术研究发展计划资助项目(2003AA1Z1630); 采用恒定电压应力对90 nm NMOS器件进行了TDDB击穿的评价实验,深入研究了90nm情况下TDDB的击穿机理,并对器件寿命进行预测和分析。结果表明,随着栅厚的不断减薄,E和1/E寿命预测模型不再适用。本文提出了一个器件寿命的修正模型,并按此...; 关键词：经时击穿器件寿命 E模型 1/E模型

IC缺陷轮廓多分形特征研究被引量：1: 《电子与信息学报》2007年第2期496-498,共3页孙晓丽郝跃宋国乡; 国家863计划VLSI重大专项(2003AA1Z1630)资助课题; IC真实缺陷轮廓曲线的形状特征对集成电路成品率预报及故障分析有重要影响。该文提出缺陷轮廓曲线具有多分形特征,以某一真实缺陷为例,用小波变换模极大(WTMM)的方法估计了其轮廓曲线参数方程的多分形谱,该结果为硅片表面缺陷的精细表...; 关键词：IC缺陷轮廓小波变换模极大多分形谱尺度指数

真实缺陷的矩形模型及其关键面积计算: 《电子学报》2006年第11期1974-1977,共4页王俊平郝跃; 国家863高科技计划(No.2003AA1Z1630); 在集成电路(IC)中,为了进行有效的成品率估计和故障分析,与光刻有关的缺陷形状通常假设为圆模型.然而,真实缺陷的形状多种多样.本文提出一种真实缺陷的矩形模型及与之相关的关键面积计算模型,该模型既考虑了真实缺陷的形状又考虑了IC版...; 关键词：真实缺陷缺陷的矩形模型关键面积模型成品率

新型槽栅MOSFETs的特性: 《Journal of Semiconductors》2006年第11期1994-1999,共6页曹艳荣马晓华郝跃于磊; 国家自然科学基金(批准号:60376024);国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA1Z1630)资助项目~~; 采用SIVALCO软件对槽栅与平面器件进行了仿真对比分析,结果表明槽栅器件能够有效地抑制短沟道及热载流子效应,而拐角效应是槽栅器件优于平面器件特性更加稳定的原因.对自对准工艺下成功投片所得沟道长度为140nm的槽栅器件进行测量,结果...; 关键词：自对准槽栅器件短沟道效应热载流子效应拐角效应

深亚微米电路N MOS器件HCI退化建模与仿真: 《西安电子科技大学学报》2006年第5期721-724,753,共5页李康马晓华郝跃陈海峰王俊平; 国家高技术研究发展项目(2003AA1Z1630);国家自然科学基金资助项目(60376024;60206006); 提出一种深亚微米NMOSFET的热载流子注入下漏电流退化模型及其电路退化仿真方法.该模型将亚阈区、线性区和饱和区的漏电流退化行为统一到一个连续表达式中,避免了分别描述时由于模型不连续而导致的仿真不收敛问题.并且在模型中对亚阈区...; 关键词：深亚微米NMOSFET 热载流子注入退化 ΔId模型电路可靠性

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