国家重点基础研究发展计划(G2002CB311905)

作品数：7被引量：5H指数：2
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低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究
《Journal of Semiconductors》2004年第12期1658-1661,共4页宋书林 陈诺夫 周剑平 尹志岗 李艳丽 杨少延 刘志凯 
国家自然科学基金 (批准号 :60 1760 0 1);国家重大基础研究计划 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 65和 G2 0 0 2 CB3 1190 5 )资助项目~~
对室温条件下用低能离子束沉积得到的 Ga As∶ Gd样品 ,借助 X射线衍射 (XRD)和高分辨 X射线衍射 (HR-XRD)进行了结构分析 ,结果表明没有出现新的衍射峰 ,并且摇摆曲线的形状与 Gd的注入计量密切相关 .运用 X光电子能谱仪对比分析了 Gd...
关键词：GaAs:Gd X射线衍射 X光电子能谱 
低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si∶Fe固溶体被引量：2
《Journal of Semiconductors》2004年第8期967-971,共5页刘力锋 陈诺夫 张富强 陈晨龙 李艳丽 杨少延 刘志凯 
国家自然科学基金 (批准号 :60 1760 0 1和 60 3 90 0 72 ) ;国家重大基础研究发展规划 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 65和 G2 0 0 2 CB3 1190 5 )资助项目~~
利用质量分离的低能离子束方法 ,以离子能量为 1 0 0 0 e V,剂量为 3× 1 0 1 7cm- 2 ,室温下往 p型 Si(1 1 1 )单晶衬底注入 Fe离子 ,注入的样品在 4 0 0℃真空下进行热处理 .俄歇电子能谱法 (AES)对原位注入样品深度分析表明 Fe离子...
关键词：硅 铁 低能离子束 重掺杂 
低能离子束方法制备磁性Fe-Si合金薄膜被引量：2
《功能材料》2004年第4期429-431,共3页刘力锋 陈诺夫 张富强 陈晨龙 李艳丽 杨少延 刘志凯 
国家自然科学基金资助项目(60176001);国家重大基础研究计划资助项目(G20000365和G2002CB311905)
　利用质量分离的低能离子束技术,获得了磁性Fe Si合金薄膜。利用俄歇电子能谱法(AES)、X射线衍射法(XRD)以及交变梯度样品磁强计(AGM)测试了样品的组分、结构以及磁特性。测试结果表明在室温下制备的Fe Si合金是Fe组分渐变的非晶薄膜,...
关键词：低能离子束 硅 铁磁性 磁性半导体 
离子束外延制备GaAs:Gd薄膜
《功能材料》2004年第3期336-337,共2页宋书林 陈诺夫 周剑平 尹志岗 李艳丽 杨少延 刘志凯 
国家自然科学基金资助项目(60176001);国家重大基础研究计划资助项目(G20000365和G2002CB311905)
　室温条件下,用低能离子束外延制备了GaAs∶Gd薄膜,X射线衍射(XRD)结果表明除了GaAs衬底峰没有发现其它新相的衍射峰,并借助于高分辨X射线衍射(HR XRD)进一步分析了晶格常数的变化特点。俄歇电子能谱(AES)分析了样品表面的成分,及元素...
关键词：GaAs:Gd薄膜 低能离子束外延 GAAS衬底 
室温铁磁性GaN:Cr薄膜的性质研究
《功能材料》2004年第z1期1212-1214,1218,共4页刘志凯 宋书林 陈诺夫 尹志岗 柴春林 杨少延 
国家自然科学基金资助项目(60176001);国家重大基础研究计划项目资助(G20000365和G2002CB311905)
采用高能离子注入的方式,在GaN衬底中掺杂引入Cr离子制备了磁性半导体.借助于X射线衍射仪(XRD)进行了注入前后结构的对比分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(0002)峰的微小变化.根据原...
关键词：氮化镓 磁性半导体 铁磁性转变温度 
离子注入制备GaAs:Mn薄膜的性质研究被引量：2
《功能材料》2004年第z1期1308-1310,共3页宋书林 陈诺夫 尹志岗 柴春林 杨少延 刘志凯 
国家自然科学基金资助项目(60176001);国家重大基础研究计划资助项目(G20000365和G2002CB311905)
采用高能离子注入的方式,在半绝缘性的GaAs衬底中掺杂引入Mn离子制备了磁性半导体.借助于X-射线衍射仪(XRD)进行了结构分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(004)峰的微小变化.根据原子力...
关键词：半绝缘性砷化镓 磁性半导体 铁磁性转变温度 
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