国家自然科学基金(61176030)

作品数：8被引量：8H指数：2
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相关机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所中国电子科技集团第二十四研究所国防科学技术大学更多>>
相关期刊：《微电子学》《Chinese Physics B》《Journal of Semiconductors》《计算机工程与科学》更多>>
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Effect of supply voltage and body-biasing on single-event transient pulse quenching in bulk fin field-effect-transistor process被引量：2
《Chinese Physics B》2016年第4期495-500,共6页于俊庭 陈书明 陈建军 黄鹏程 宋睿强 
supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61376109,61434007,and 61176030)
Charge sharing is becoming an important topic as the feature size scales down in fin field-effect-transistor （FinFET） technology. However, the studies of charge sharing induced single-event transient （SET） pulse q...
关键词：body-biasing SET pulse quenching charge sharing bulk FinFET process 
A 2.5 GS/s 14-bit D/A converter with 8 to 1 MUX被引量：1
《Journal of Semiconductors》2016年第3期95-102,共8页张俊安 李广军 张瑞涛 付东兵 李皎雪 魏亚峰 阎波 刘军 李儒章 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.61006027,61176030);the Research Foundation of Key Laboratory of Analog Integrated Circuit(Nos.9140C0902120C09034,9140c090204130c09042);the Fundamental Research Funds for the Central Universities of China(No.ZYGX2012J003)
A 2.5 GS/s 14-bit D/A converter（DAC） with 8 to 1 MUX is presented. This 14-bit DAC uses a ＂5＋9＂segment PMOS current-steering architecture. A bias circuit which ensures the PMOS current source obtains a larger out...
关键词：PMOS current-steering D/A converter bias circuit high speed MUX dynamic element match（DEM） 
Mechanism of floating body effect mitigation via cutting off source injection in a fully-depleted silicon-on-insulator technology被引量：2
《Chinese Physics B》2016年第3期283-289,共7页黄鹏程 陈书明 陈建军 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61376109,61434007,and 61176030);the Advanced Research Project of National University of Defense Technology,China(Grant No.0100066314001)
In this paper, the effect of floating body effect （FBE） on a single event transient generation mechanism in fully depleted （FD） silicon-on-insulator （SOI） technology is investigated using three-dimensional techn...
关键词：floating body effect in-line stacking SILICON-ON-INSULATOR source injection 
面向全数字锁相环应用的时间数字转换器
《计算机工程与科学》2015年第7期1252-1257,共6页张孝 马卓 谢伦国 余金山 袁珩洲 王志强 
国家自然科学基金资助项目(61176030)
时间数字转换器TDC是全数字锁相环ADPLL相位捕获的重要部件。以TDC分辨率的提升为主线,讨论了计数器型、门延迟和亚门延迟型三类全数字TDC的基本结构,从提高分辨率、增加动态范围、减小非线性误差等技术点对比阐述各自的优势,并对TDC技...
关键词：时间数字转换器 分辨率 动态范围 全数字锁相环 
基于TCAD的45nm CMOS器件温度特性模拟
《微电子学》2015年第1期119-124,共6页倪铭 余金山 马驰远 
国家自然科学基金资助项目(61176030)
基于TCAD工具,在一定温度范围内,对45nm器件的电特性与性能稳定性是否能保持进行了建模和模拟验证。通过TCAD工具建立工具流,在300~400 K温度下,实现对45nm CMOS器件I-V特性的模拟,以观察器件在一定温度范围内的特性曲线。通过与工艺文...
关键词：晶体管 特性曲线 温度范围 
商用单片D/A转换器产品发展综述
《微电子学》2013年第6期827-831,共5页张俊安 杨毓军 张瑞涛 王友华 刘军 付东兵 
模拟集成电路重点实验室基金资助项目(9140C0901110903);国家自然科学基金资助项目(61176030)
论述了商用单片D/A转换器类产品的发展阶段、产品现状及未来发展趋势。以目前国际上商用单片D/A转换器产品公开发布的产品资料为基础,分四个阶段简要介绍了D/A转换器产品的特点、电路结构、速度精度、应用范围等;介绍了目前市场上销售...
关键词：D A转换器 数据转换器 模拟集成电路 
一种多电源信号处理系统的保护电路设计被引量：1
《微电子学》2013年第3期401-404,共4页杨毓军 苏晨 张俊安 胡蓉彬 刘军 
模拟集成电路重点实验室基金资助项目(9140C091110903);国家自然科学基金资助项目(61176030)
提出了一种采用0.18μm BiCMOS工艺的多电源信号处理系统的保护电路。保护电路检测各个电源,以确定不同电源的状态,然后给出准确的握手信号,以保障系统正常工作。该电路采用BiCMOS工艺,设计为IP核固化,面积小,可以方便地应用于多电源信...
关键词：上电保护 掉电保护 知识产权核 
高精度电流舵型D/A转换器线性度测试技术被引量：3
《微电子学》2013年第3期435-439,448,共6页魏亚峰 俞宙 
模拟集成电路重点实验室基金资助项目(9140C091110903);国家自然科学基金资助项目(61176030)
线性度是D/A转换器静态误差的重要指标,包括积分非线性误差和微分非线性误差两个参数。高速高精度D/A转换器线性度的测量需要考虑较多因素,包括仪表精度、D/A转换器输出端接方式,甚至负载热效应等。提出了一种结合D/A转换器内部设计结构...
关键词：电流舵 D A转换器 线性度 集成电路测试 
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