中国人民解放军总装备部预研基金(61501050401C)

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相关机构：中国科学院微电子研究所中国科学院更多>>
相关期刊：《科学通报》《Journal of Semiconductors》更多>>
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Power Characteristics of Metamorphic In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.6)Ga_(0.4)As HEMTs on GaAs Substrates with T-Shaped Gate
《Journal of Semiconductors》2008年第12期2331-2334,共4页黎明 张海英 徐静波 付晓君 
supported by the State Key Development Programfor Basic Research of China(No.G2002CB311901);the Equipment Investigation Programin Advance(No.61501050401C);the Dean Fund of the Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,(No.O6SB124004)~~
200nm gate-length power InAlAs/InGaAs MHEMTs with T-shaped gate are characterized for DC, RF, and power performance. The MHEMTs show excellent DC output characteristics with an extrinsic transconductance of 510mS/ mm ...
关键词：MHEMT INALAS/INGAAS power characteristics T-shaped gate 
200nm Gate Length Metamorphic In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.6)Ga_(0.4) As HEMTs on GaAs Substrates with 110GHz f_T
《Journal of Semiconductors》2008年第9期1679-1681,共3页黎明 张海英 徐静波 付晓君 
the State Key Development Program for Basic Research of China(No.G2002CB311901);the Equipment Investigation Program in Advance(No.61501050401C);the Dean Fund of the Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences(No.O6SB124004)~~
200nm gate-length GaAs-based InAlAs/InGaAs MHEMTs are fabricated by MBE epitaxial material and EBL （electron beam lithography） technology. Ti/Pt/Au is evaporated to form gate metals. A T-shaped gate is produced usin...
关键词：MHEMT INALAS/INGAAS electron beam lithography T-shaped gate 
1.0μm Gate-Length GaAs MHEMT Devices and SPDT Switch MMICs
《Journal of Semiconductors》2008年第4期668-671,共4页徐静波 黎明 张海英 王文新 尹军舰 刘亮 李潇 张健 叶甜春 
国家重点基础研究发展规划(批准号:G2002CB311901);装备预先研究基金(批准号:61501050401C);中国科学院微电子研究所所长基金(批准号:O6SB124004)资助项目~~
1.0μm gate-length GaAs-based MHEMTs have been fabricated by MBE epitaxial material and contact-mode lithography technology. Pt/Ti/Pt/Au and Ti/Pt/Au were evaporated to form gate metals. Excellent DC and RF performanc...
关键词：MHEMT Pt/Ti/Pt/Au Ti/Pt/Au SPDT MMIC 
利用电子束光刻技术实现200nm栅长GaAs基MHEMT器件
《科学通报》2008年第5期593-597,共5页徐静波 张海英 王文新 刘亮 黎明 付晓君 牛洁斌 叶甜春 
国家重点基础研究发展计划(编号:G2002CB311901);装备预先研究项目(编号:61501050401C);中国科学院微电子研究所所长基金(编号:O6SB124004)资助项目
电子束光刻(electron beam lithography)技术是实现微细栅长的光刻技术之一,利用电子束光刻技术制备出200nm栅长GaAs基MHEMT器件.同时为了减少栅寄生电容和寄生电阻,采用3层胶工艺,实现了T型栅.GaAs基MHEMT器件获得了优越的直流、高频...
关键词：电子束光刻 应变高电子迁移率晶体管 T型栅 电流增益截止频率 
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