国家自然科学基金(61176100)

作品数：6被引量：2H指数：1
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YON界面钝化层改善HfO_(2)/Ge界面特性的研究被引量：1
《电子学报》2017年第11期2810-2814,共5页程智翔 徐钦 刘璐 
国家自然科学基金(No.61274112,No.61176100,No.61404055).
本文采用YON界面钝化层来改善HfO_2栅介质Ge metal-oxide-semiconductor(MOS)器件的界面质量和电特性.比较研究了两种不同的YON制备方法:在Ar+N_2氛围中溅射Y_2O_3靶直接淀积获得以及先在Ar+N_2氛围中溅射Y靶淀积YN再于含氧氛围中退火形...
关键词：Ge金属-氧化物-半导体 界面钝化层 YON 界面态密度 
A physical model of hole mobility for germanium-on-insulator pMOSFETs被引量：1
《Journal of Semiconductors》2016年第4期50-56,共7页袁文宇 徐静平 刘璐 黄勇 程智翔 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.61274112,61176100,61404055)
A physical model of hole mobility for germanium-on-insulator p MOSFETs is built by analyzing all kinds of scattering mechanisms, and a good agreement of the simulated results with the experimental data is achieved, co...
关键词：GeOI pMOSFETs hole mobility scattering mechanisms 
A threshold-voltage model for small-scaled GaAs nMOSFET with stacked high-k gate dielectric
《Journal of Semiconductors》2016年第2期71-76,共6页刘超文 徐静平 刘璐 卢汉汉 黄苑 
supported by the National Natural Science Foundation of China(No.61176100)
A threshold-voltage model for a stacked high-k gate dielectric GaAs MOSFET is established by solving a two-dimensional Poisson＇s equation in channel and considering the short-channel, DIBL and quantum effects. The si...
关键词：GaAs MOSFET threshold voltage stack high-k gate dielectric quantum effect 
高k栅介质InGaAs MOSFET结构的设计与仿真
《微电子学》2014年第2期237-240,244,共5页朱述炎 叶青 汪礼胜 徐静平 
国家自然科学基金资助项目(61176100)
利用半导体仿真工具Silvaco TCAD,研究了高k栅介质InGaAs MOSFET的三种结构:缓冲层结构、侧墙结构和基本结构。通过对三种结构MOSFET的阈值电压、亚阈值摆幅以及漏源电流进行比较分析,得出缓冲层结构InGaAs MOSFET具有最佳的电学特性,...
关键词：MOSFET INGAAS 高K栅介质 
Improved interface properties of an HfO_2 gate dielectric GaAs MOS device by using SiN_x as an interfacial passivation layer
《Chinese Physics B》2013年第9期564-567,共4页朱述炎 徐静平 汪礼胜 黄苑 
supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 61176100)
A GaAs metal-oxide-semiconductor （MOS） capacitor with HfO2 as gate dielectric and silicon nitride （SiNx） as the interlayer （IL） is fabricated. Experimental results show that the sample with the SiNx IL has an im...
关键词：GaAs metal-oxide-semiconductor （MOS） devices silicon nitride INTERLAYER post-deposition an-nealing 
不同散射机理对Al_2O_3/In_xGa_(1-x)As nMOSFET反型沟道电子迁移率的影响
《物理学报》2013年第15期376-382,共7页黄苑 徐静平 汪礼胜 朱述炎 
国家自然科学基金(批准号:61176100)资助的课题~~
通过考虑体散射、界面电荷的库仑散射以及Al2O3/InxGa1-xAs界面粗糙散射等主要散射机理,建立了以Al2O3为栅介质InxGa1-xAsn沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管(nMOSFETs)反型沟道电子迁移率模型,模拟结果与实验数据有好的符合.利用该模...
关键词：INGAAS MOSFET 反型沟道电子迁移率 散射机理 
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