江苏省“六大人才高峰”高层次人才项目(DZXX-053)

作品数：16被引量：11H指数：2
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相关作者：顾晓峰闫大为赵青云朱兆旻王睿更多>>
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组份渐变电子阻挡层对InGaN/GaN LED光电特性的影响被引量：1
《微电子学》2016年第5期711-715,共5页管婕 翟阳 闫大为 罗俊 肖少庆 顾晓峰 
国家自然科学基金资助项目(61504050);江苏省普通高校研究生科研创新计划项目(批KYLX15_1195);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUSRP51510;JUSRP51323B);江苏省六大人才高峰资助项目(DZXX-053)
利用数值模拟方法,研究组份渐变电子阻挡层(EBL)对InGaN/GaN发光二极管电学和光学特性的影响。结果表明,三角形组份渐变EBL结构能有效减小器件的开启电压,提高光输出功率,改善高注入电流水平下发光效率的下降情况。能带模拟结果进一步表...
关键词：InGaN/GaN发光二极管 组份渐变电子阻挡层 空穴注入效率 
晶格匹配InAlN/GaN异质结Ti/Al/Ni/Au欧姆接触的温度依赖特性
《科学通报》2016年第10期1130-1134,共5页汪照贤 闫大为 张丹丹 顾晓峰 
国家自然科学基金(61504050);中央高校基本科研业务费专项(JUSRP51510和JUSRP51323B);江苏省六大人才高峰资助项目(DZXX-053);江苏省普通高校研究生科研创新计划(KYLX15_1195)资助
在硅衬底晶格匹配In_(0.17)Al_(0.83)N/GaN异质结外延片上制备了Ti/Al/Ni/Au欧姆接触传输线模型测试结构,通过测试变温电流-电压特性研究方块电阻(R_(sh))和比接触电阻率(ρ_(sc))的温度依赖特性.结果表明:(1)沟道层的R_(sh)对温度呈指...
关键词：晶格匹配 InAlN/GaN异质结 欧姆接触 温度依赖特性 类金属特性 热场发射 
原子层沉积Al_2O_3/n-GaN结构的深能级界面态研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2016年第2期106-110,共5页黄宇 牟文杰 闫大为 杨国峰 肖少庆 顾晓峰 
国家自然科学基金资助项目(61504050);中国博士后科学基金资助项目(2013M540437);中央高校基本科研业务费专项资金(JUSRP51323B;JUSRP51510);江苏省六大人才高峰资助项目(DZXX-053)
基于与传统方法不同的物理过程,利用光辅助高频电容-电压(C-V)法研究了原子层沉积的Al_2O_3/nGaN界面的深能级缺陷态分布。无光照条件下的C-V曲线表现出典型的深耗尽行为,这主要由极长的深能级电子发射时间和极慢的少子热产生速率决定,...
关键词：Al2O3/n-GaN 原子层沉积 背入射紫外光照 电容特性 界面态分布 
短沟道三材料柱状围栅MOSFET的解析模型
《固体电子学研究与进展》2015年第4期311-316,365,共7页赵青云 于宝旗 苏丽娜 顾晓峰 
江苏省自然科学基金资助项目(BK2012110);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUSRP51323B,JUDCF12032);江苏省普通高校研究生创新计划资助项目(CXLX12_0724);江苏省六大人才高峰资助项目(DZXX-053)
在柱坐标系下利用电势的抛物线近似,求解二维泊松方程得到了短沟道三材料柱状围栅金属氧化物半导体场效应管的中心及表面电势。推导了器件阈值电压、亚阈值区电流和亚阈值摆幅的解析模型,分析了沟道直径、栅氧化层厚度和三栅长度比对阈...
关键词：三材料柱状围栅金属氧化物半导体场效应管 表面势 阈值电压 亚阈值区电流 亚阈值摆幅 
短沟道无结柱状围栅MOSFET的解析模型被引量：1
《固体电子学研究与进展》2014年第6期526-530,544,共6页赵青云 于宝旗 朱兆旻 顾晓峰 
专用集成电路与系统国家重点实验室开放研究课题基金资助项目(11KF003);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUSRP51323B,JUSRP211A37);江苏高校优势学科建设工程(PAPD);江苏省六大人才高峰资助项目(DZXX-053)
通过在柱坐标系下求解二维泊松方程,建立了短沟道无结柱状围栅金属氧化物半导体场效应管的电势模型,并推导了阈值电压、亚阈值区电流和亚阈值摆幅的解析模型。在此基础上,分析了沟道长度、沟道直径和栅氧化层厚度等参数对阈值电压、亚...
关键词：二维泊松方程 无结柱状围栅金属氧化物半导体场效应管 阈值电压 亚阈值区电流 亚阈值摆幅 
双栅掺杂隔离肖特基MOSFET的解析模型被引量：1
《固体电子学研究与进展》2014年第4期303-308,共6页王睿 赵青云 朱兆旻 顾晓峰 
专用集成电路与系统国家重点实验室开放研究课题基金(11KF003);中央高校基本科研业务费专项资金(JUSRP51323B;JUSRP211A37);江苏高校优势学科建设工程(PAPD);江苏省六大人才高峰资助项目(DZXX-053)
通过考虑肖特基势垒降低效应求解三段连续的二维泊松方程,建立了双栅掺杂隔离肖特基MOSFET亚阈值区全沟道连续的电势模型。在该电势模型的基础上,推导了阈值电压模型和漏致势垒降低效应的表达式;研究了掺杂隔离区域不同掺杂浓度下的沟...
关键词：肖特基源漏 掺杂隔离 双栅金属氧化物半导体场效应管 阈值电压 短沟道效应 
四足棒球棒状ZnO纳/微米材料的制备及其生长机理的研究
《人工晶体学报》2014年第7期1678-1682,共5页王福学 蔡小龙 闫大为 肖少庆 顾晓峰 
江苏省自然科学基金(BK2012110);中央高校基本科研业务费专项资金(JUSRP11230,JUSRP51323B);江苏高校优势学科建设工程(PAPD);江苏省六大人才高峰(DZXX-053)
采用简单的碳热蒸发法在硅衬底上制备了四足棒球棒状ZnO纳/微米材料,结合光致发光谱(PL)、阴极射线发光谱(CL)、XRD谱、SEM以及TEM等分析了该材料的结构和发光特性。结果表明,制备的单晶ZnO纳/微米材料具有纤锌矿结构,并且沿着c轴方向...
关键词：ZNO 纳 微棒球棒 阴极射线发光 光致发光 
回力标形状的ZnO纳米棒的制备和光致发光特性(英文)
《固体电子学研究与进展》2014年第3期236-242,共7页王福学 蔡小龙 闫大为 朱兆旻 顾晓峰 
江苏省自然科学基金资助项目(BK2012110);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUSRP11230,JUSRP51323B);江苏高校优势学科建设工程资助项目(PAPD);江苏省六大人才高峰资助项目(DZXX-053)
在1 050°C条件下,利用碳热蒸发的方法在NiO覆盖的Si(100)衬底上制备了回力标形状的ZnO纳米棒,这是一种新的ZnO的纳米结构。通过结构分析,发现这种回力标形状的ZnO纳米棒具有纤锌矿结构。室温的光致发光图谱中有两个发光峰:380nm附近的...
关键词：氧化锌 回力标状 纳米棒 光致发光 生长机理 
天线状ZnO纳米结构的光致发光特性及其生长机理
《化工新型材料》2014年第4期107-109,共3页蔡小龙 王福学 闫大为 顾晓峰 
江苏省自然科学基金资助项目(BK2012110);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUSRP11230;JUSRP51323B);江苏高校优势学科建设工程资助项目(PAPD);江苏省六大人才高峰资助项目(DZXX-053)资助
利用简单的碳热蒸发法在Si(100)衬底上成功制备了天线状的氧化锌纳米材料,并利用X光衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜和光致发光谱对样品进行了结构表征和光致发光特性研究。实验结果表明:制备的单晶氧化锌材料具有纤锌矿结构,并...
关键词：氧化锌 天线状 纳米结构 光致发光 生长机理 
短沟道双栅MOSFET的亚阈值特性分析被引量：3
《固体电子学研究与进展》2014年第2期101-105,共5页朱兆旻 王睿 赵青云 顾晓峰 
专用集成电路与系统国家重点实验室开放研究课题基金资助项目(11KF003);中央高校基本科研业务费专项资助项目(JUS-RP51323B,JUSRP211A37);江苏高校优势学科建设工程(PAPD);江苏省六大人才高峰资助项目(DZXX-053)
基于泊松方程和拉普拉斯方程,结合双栅MOSFET的边界条件,采用牛顿-拉夫逊迭代法推导了双栅MOSFET亚阈值区全沟道的电势解析解。在亚阈值区电流密度方程的基础上,提出了双栅MOSFET的一个亚阈值电流模型,并获得了亚阈值摆幅的解析公式。...
关键词：双栅金属-氧化物-半导体场效应管 亚阈值特性 摆幅 短沟道效应 
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