国家自然科学基金(90201026)

作品数：4被引量：9H指数：2
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快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱的影响被引量：2
《Journal of Semiconductors》2005年第9期1749-1752,共4页苗振华 徐应强 张石勇 吴东海 赵欢 牛智川 
国家自然科学基金资助项目(批准号:90201026)~~
用固态分子束外延技术生长了高应变In0.45Ga0.55As/GaAs量子阱材料.研究了快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱材料光学性质的影响.本文采用假设InGaAs/GaAs量子阱中的InGa原子扩散为误差函数扩散并解任意形状量子阱的薛定谔方程的方法...
关键词：分子束外延 高应变In0.45Ga0.55As/GaAs量子阱 快速热退火 室温光致发光 
Material Growth and Device Fabrication of GaAs Based 1.3μm GaInNAs Quantum Well Laser Diodes被引量：1
《Journal of Semiconductors》2005年第9期1860-1864,共5页牛智川 韩勤 倪海桥 杨晓红 徐应强 杜云 张石勇 彭红玲 赵欢 吴东海 李树英 贺振宏 任正伟 吴荣汉 
国家自然科学基金(批准号:90201026,60137020);国家高技术研究发展计划;国家重点基础研究专项资助项目~~
Material growth and device fabrication of the first 1.3μm quantum well （QW） edge emitting laser diodes in China are reported. Through the optimization of the molecular beam epitaxy （MBE） growth conditions and the...
关键词：GaAs based materials GalnNAs quantum wells molecular beam epitaxy laser diodes 
分子束外延生长的(GaAs_(1-x)Sb_x In_yGa_(1-y)As)GaAs量子阱光致发光谱研究被引量：1
《物理学报》2005年第6期2950-2954,共5页徐晓华 牛智川 倪海桥 徐应强 张纬 贺正宏 韩勤 吴荣汉 江德生 
国家自然科学基金(批准号:90201026;60137020);863计划资助;中国博士后科学基金支持的课题.~~
报道了(GaAs1-xSbx InyGa1-yAs)GaAs量子阱结构的分子束外延生长与光致发光谱研究结果.变温与变激发功率光致发光谱的研究表明了此结构为二型量子阱发光性质.讨论了光谱双峰结构的跃迁机制.通过优化生长条件,获得了室温1.31μm发光.
关键词：分子束外延 量子阱 二型发光 砷化镓半导体 
N,Sb和单分子层数对GaAs/GaInNAsSb超晶格性能的影响被引量：5
《物理学报》2004年第5期1474-1482,共9页倪海桥 徐晓华 张纬 徐应强 牛智川 吴荣汉 
国家自然科学基金(批准号:90201026;60176006);国家高技术研究发展计划(863计划)(批准号:2002AA302107);中国博士后科学基金资助的课题~~
用Keating的价力场 (valenceforcefield)模型和蒙特卡罗方法计算了GaAs GaInNAsSb超晶格中键的分布、原子的精确位置以及应变 .用折叠谱法 (foldedspectrummethod)结合Williamson经验赝势法计算了GaAs GaInNAsSb超晶格应变条件下的电子...
关键词：超品格 电子性能 折叠谱法 蒙特卡罗模拟 砷化镓材料 镓铟氮砷锑材料 半导体材料 
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