国家自然科学基金(11235008)

作品数:19被引量:98H指数:5
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相关作者:陈伟王晨辉金晓明白小燕杨善潮更多>>
相关机构:西北核技术研究所西安交通大学西安电子科技大学湘潭大学更多>>
相关期刊:《西安电子科技大学学报》《Chinese Physics B》《Science China(Technological Sciences)》《Science Bulletin》更多>>
相关主题:中子SOI单粒子泄漏电流SRAM更多>>
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低剂量率辐照损伤增强效应的高温辐照加速试验机理研究被引量:4
《原子能科学技术》2018年第6期1144-1152,共9页姚志斌 陈伟 何宝平 马武英 盛江坤 刘敏波 王祖军 金军山 张帅 
国家自然科学基金资助项目(11235008)
本文建立了包含温度场的低剂量率辐照损伤增强效应(ELDRS)的物理模型,利用有限元方法仿真了辐照温度、剂量率、总剂量和辐射感生产物浓度的相互关系,分析了工艺参数,如氧化物陷阱浓度、能级,含H缺陷浓度及界面陷阱钝化能对最佳辐照温度...
关键词:低剂量率辐照损伤增强效应 数值仿真 总剂量效应 高温辐照 加速试验 
CCD质子辐照损伤效应的三维蒙特卡罗模拟被引量:4
《强激光与粒子束》2018年第4期83-88,共6页薛院院 王祖军 刘静 何宝平 姚志斌 刘敏波 盛江坤 马武英 董观涛 金军山 
国家自然科学基金项目(11305126,11235008)
针对空间质子诱发CCD性能退化问题,开展了CCD质子辐照效应的三维蒙特卡罗模拟研究。采用三维蒙特卡罗软件Geant4模拟计算了不同能量质子在Si和SiO_2中的射程及Bragg峰,分析了不同能量质子在材料中能量沉积的过程,并将模拟结果与相关数...
关键词:电荷耦合器件(CCD) 质子 GEANT4 电离能量沉积 非电离能量沉积 
Research on proton radiation effects on CMOS image sensors with experimental and particle transport simulation methods被引量:6
《Science China(Information Sciences)》2017年第12期110-112,共3页Yuanyuan XUE Zujun WANG Minbo LIU Baoping HE Zhibin YAO Jiangkun SHENG Wuying MA Guantao DONG Junshan JIN 
supported by National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.11305126,11235008);Foundation of State Key Laboratory of China(Grant No.SKLIPR1211)
Recently,complementary metal-oxide semiconductor image sensors(CISs)have become a key element of the imaging instrument and have been widely used in many scientific applications[1,2]such as space remote sensing,medi...
关键词:PROTON harsh instrument COMPLEMENTARY environments HAVE SUSCEPTIBLE PIXEL posed NUCLEAR 
空间辐射物理及应用研究现状与挑战被引量:43
《科学通报》2017年第10期978-989,共12页陈伟 杨海亮 郭晓强 姚志斌 丁李利 王祖军 王晨辉 王忠明 丛培天 
国家自然科学基金重点项目(11235008)和国家自然科学基金(11345007)资助
空间辐射物理及应用主要研究航天器的辐射效应及提高其可靠运行能力的理论与关键技术,是涉及核科学与宇航电子学的交叉学科,主要包括空间辐射环境模拟、辐射测量、辐射效应与加固等.空间辐射损伤是影响航天器在轨长期可靠运行的重要因...
关键词:空间辐射物理 空间辐射环境 辐射环境模拟 辐射测量 辐射效应 抗辐射加固 
Effects of total dose irradiation on the threshold voltage of H-gate SOI NMOS devices被引量:3
《Nuclear Science and Techniques》2016年第5期193-199,共7页Qian-Qiong Wang Hong-Xia Liu Shu-Peng Chen Shu-Long Wang Chen-Xi Fei Dong-Dong Zhao 
supported by the Project of National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61376099,11235008,61434007);the Specialized Research Fund for the Doctoral Program of High Education(Grant No.20130203130002)
This work researched the impact of total dose irradiation on the threshold voltage of N-type metal oxide semiconductor field effect transistors(nMOSFETs) in silicon-on-insulator(SOI) technology.Using the subthreshold ...
关键词:阈值电压漂移 总剂量辐照 NMOS器件 SOI 金属氧化物半导体场效应晶体管 H型 低剂量率 分离技术 
硅单粒子位移损伤多尺度模拟研究被引量:7
《物理学报》2016年第8期193-200,共8页唐杜 贺朝会 臧航 李永宏 熊涔 张晋新 张鹏 谭鹏康 
国家自然科学基金(批准号:11175138);国家自然科学基金重点项目(批准号:11235008);国家重点实验室项目(批准号:20140134);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20130201120090)资助的课题~~
本文结合分子动力学方法和动力学蒙特卡罗方法,研究了单个粒子入射硅引起的位移损伤缺陷的产生和演化过程;基于Shockley-Read-Hall理论计算了单个粒子入射引起的位移损伤缺陷导致的泄漏电流增加及其演化过程,比较了缺陷退火因子与泄漏...
关键词:位移损伤 缺陷 退火因子 泄漏电流 
Two-dimensional models of threshold voltage and subthreshold current for symmetrical double-material double-gate strained Si MOSFETs
《Chinese Physics B》2016年第3期440-444,共5页辛艳辉 袁胜 刘明堂 刘红侠 袁合才 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61376099,11235008,and 61205003)
The two-dimensional models for symmetrical double-material double-gate (DM-DG) strained Si (s-Si) metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) are presented. The surface potential and the surface...
关键词:double-material double-gate MOSFET strained Si threshold voltage subthreshold current 
超低泄漏电流二极管单粒子位移损伤电流计算被引量:1
《强激光与粒子束》2016年第2期184-189,共6页唐杜 贺朝会 熊涔 张晋新 臧航 李永宏 张鹏 谭鹏康 
国家自然科学基金项目(11175138);国家自然科学基金重点项目(11235008);国家重点实验室项目(20140134);高等学校博士学科点专项科研基金项目(20130201120090)
提出了一种计算超低泄漏电流硅二极管的单粒子位移损伤电流的方法。采用SRIM软件计算了252Cf源的裂变碎片入射二极管产生的初级撞出原子的分布,并采用Shockley-Read-Hall复合理论探讨了单粒子位移损伤电流值与缺陷参数的关系,计算了252C...
关键词:单粒子位移损伤 泄漏电流 初级撞出原子 缺陷 二极管 
敏化LiF(Mg,Ti)热释光剂量片γ射线响应特性被引量:3
《强激光与粒子束》2016年第2期115-121,共7页王晨辉 陈伟 金军山 金晓明 杨善潮 白小燕 林东生 王桂珍 李斌 
国家自然科学基金重点项目(11235008);强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室自主基础研究课题(SKLIPR1402)
敏化LiF(Mg,Ti)热释光剂量片(LiF(Mg,Ti)-M TLD)是用于强脉冲辐射场剂量测量的主要探测器.对国内4个厂家生产的敏化LiF(Mg,Ti)热释光剂量片进行了γ射线响应的一致性、重复性和线性的比较研究,测量了γ射线辐照后4种敏化LiF(Mg...
关键词:敏化LiF(Mg Ti) 热释光剂量片 Γ射线 响应特性 灵敏度 变异系数 
双极晶体管中子辐射损伤常数k的不确定度评定被引量:1
《现代应用物理》2015年第4期281-285,292,共6页金晓明 杨善潮 白小燕 王晨辉 齐超 李瑞宾 
国家自然科学基金重点资助项目(11235008)
根据双极晶体管电流增益倒数与中子注量的线性关系,基于最小二乘法,提出了先求平均值再线性拟合、先线性拟合再求平均值的两种方法来计算中子辐射损伤常数,并重点对其不确定度进行了评定,给出了自变量和因变量同时存在不确定度时的线性...
关键词:损伤常数 不确定度 中子注量 电流增益 
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