《半导体技术》

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《半导体技术》
主办单位：中国电子科技集团公司第十三研究所
最新期次：2025年5期更多>>
发文主题：集成电路半导体硅可靠性半导体器件更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术经济管理电气工程更多>>
发文作者：刘玉岭成立吴洪江冯志红杨瑞霞更多>>
发文机构：中国电子科技集团第十三研究所河北工业大学中国科学院中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家科技重大专项国家重点基础研究发展计划更多>>
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基于衬底台阶调控技术的高质量GaN生长
《半导体技术》2025年第5期481-487,共7页高楠 房玉龙 王波 张志荣 尹甲运 韩颖 刘超 
GaN晶体质量提升对材料及器件性能优化至关重要。通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)在SiC衬底上对GaN晶体质量进行了实验研究。对比了高温H,刻蚀与高温HCl刻蚀对衬底台阶的影响,并对后续生长的AIN和GaN晶体质量进行了表征,发现增加衬...
关键词：金属有机物化学气相沉积(MOCVD) GAN 衬底台阶 高温刻蚀 半高宽(FWHM) 
基于查找表均衡的高速SerDes发送端设计
《半导体技术》2025年第5期488-496,共9页陶保明 张春茗 任一凡 小亮 
为使高速串行器/解串器(SerDes)发送端具有更大的均衡灵活性,采用UMC 28nm CMOS工艺设计了一种基于数字信号处理(DSP)-数模转换器(DAC)结构的高速SerDes发送端。通过将发送端中前馈均衡功能以查找表(LUT)形式集成至DSP中,灵活解决了信...
关键词：数字信号处理(DSP) 前馈均衡 串行器/解串器(SerDes) 源串联端接(SST)驱动器 数模转换器(DAC) 
175℃反激式高温直流开关电源设计
《半导体技术》2025年第5期497-505,共9页刘建国 杨依忠 丁瀚 
为满足极限环境下电源系统小型化、耐高温、高可靠性的要求,设计了一种基于单端反激拓扑的隔离型直流稳压电源。针对传统印刷电路板(PCB)高温电源体积大、散热差的局限性,采用厚膜工艺,优选高液相点焊接材料,优化壳体结构设计,以达到充...
关键词：反激拓扑 高温 闭环控制 厚膜工艺 温度漂移 脉宽调制 
IGBT相变冷板的设计和数值模拟
《半导体技术》2025年第5期506-513,531,共9页潘子升 周俊屹 余时帆 胡桂林 
针对绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块散热中功率密度高且散热负荷随工况变化的问题,基于制冷剂对流散热和蒸发潜热的微通道沸腾相变散热技术可对IGBT芯片进行有效散热,建立了三维、伪瞬态算法稳态和流体体积(VOF)相变的综合数学模型。研究了...
关键词：绝缘栅双极晶体管(IGBT) 散热器 数值模拟 制冷剂 流体体积(VOF)模型 
横向结构压接IGBT动态测试平台设计及其寄生电感抑制
《半导体技术》2025年第5期514-522,共9页袁文迁 季一润 杨敏祥 槐青 袁茜 郝震 刘铁城 
国家电网公司总部科技项目(5500-202322172A-1-1-ZN)。
传统的纵向结构压接IGBT(PPI)测试平台的叠层母排区域互感较强,但PPI与回流母排的互感较弱,同时无法对被测和陪测器件分别施加不同的机械压力和温度。针对这一问题,研制了一种新型横向结构测试平台,通过改变IGBT周边区域电流分布,增强互...
关键词：压接IGBT(PPI) 动态测试平台 横向结构 寄生电感 互感 
面向低电压穿越工况的DFIG变流器IGBT结温管理
《半导体技术》2025年第5期523-531,共9页杨晨 乐应波 杨程 李伟邦 何鑫 崔昊杨 
上海市自然科学基金(23ZR424400)。
低电压穿越(LVRT)期间,电压骤降会导致双馈风电机组(DFIG)电流严重畸变,变流器中IGBT模块的瞬时功耗急剧上升,器件过温失效风险剧增。通过仿真实验分析了LVRT工况下变流器的温升特性,提出了一种结合硬件保护电路与开关频率调节的结温治...
关键词：IGBT模块 低电压穿越(LVRT) 热管理策略 电流谐波 开关频率 硬件保护电路 
“功率器件先进封装与表征技术”专题征稿启事
《半导体技术》2025年第5期532-532,共1页
功率器件是能源变换的核“芯”,其快速发展推动了能源革命。随着我国“双碳”目标的确立,对功率器件的功率密度提升、长期可靠性保障等提出了更高要求。因此,亟需新型封装形式和技术以满足不同应用需求,如新能源汽车主导的功率器件封装...
关键词：双碳目标 表征技术 先进封装 功率密度 
超宽禁带半导体Ga_(2)O_(3)功率器件、紫外光电器件的新进展(续)
《半导体技术》2025年第5期417-434,共18页赵正平 
在电动汽车等绿色能源应用和发展的带动下,宽禁带半导体材料SiC、GaN电力电子产业成为新一代产业的发展主流,而有可能成为下一代电力电子学发展的超宽禁带半导体材料金刚石、Ga_(2)O_(3)和AlN已成为目前前瞻性的科研热点,其中Ga_(2)O_(3...
关键词：超宽禁带半导体 Ga_(2)O_(3) 功率二极管 功率FET 紫外光电器件 
具有双层空穴传输层的高亮度QLED
《半导体技术》2025年第5期435-442,共8页方文惠 阮钰菁 廖靖妍 罗东向 郑华 刘佰全 
国家自然科学基金(62375057);广东省基础与应用基础研究基金(2023B1515120046,2022A1515140064,2024A1515012019)。
量子点发光二极管(QLED)凭借其高效率、高稳定性以及优异的色纯度,在显示与照明领域备受关注,但QLED在电荷注入平衡方面仍面临挑战。探讨了不同单层空穴传输层(HTL)及双层HTL结构对QLED性能的影响,并揭示其发光机理。通过结合4,4’,4”-...
关键词：发光二极管(LED) 量子点(QD) 电荷平衡 高亮度 空穴传输层(HTL) 
基于NiO/GaN核壳纳米柱阵列异质结的高性能自供电紫外光电探测器
《半导体技术》2025年第5期443-448,共6页唐鑫 柳志成 江弘胜 李国强 
国家重点研发计划(2022YFB3604500,2022YFB3604501)。
针对紫外光电探测器在自供电模式下光探测性能差的难题,提出了一种基于NiO/GaN核壳结构的纳米柱阵列异质结的自供电紫外光电探测器。采用分子束外延(MBE)法制备了分立、均匀的GaN纳米柱阵列,在此基础上通过简单的高温热氧化法合成了均匀...
关键词：NiO/GaN 紫外光电探测器 纳米柱阵列异质结 分子束外延(MBE) 高温热氧化法 自供电光探测 
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