《电子材料快报》

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《电子材料快报》
主办单位：天津电子材料研究所
最新期次：2000年3期更多>>
发文主题：半导体硅化合物半导体GAAS半导体材料更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
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PVT法生长ZnTe和Cd1—xZnxTe单晶衬底
《电子材料快报》2000年第3期9-11,共3页晓晔 
关键词：PVT法 生长 单晶 
在Si（100）基片上生长超薄3C—SiC外延层
《电子材料快报》2000年第3期11-12,共2页仪仡 
关键词：硅基片 生长 碳化硅 外延层 生长 
在6H—SiC上用（GaN／AlN缓冲层生长AlN的张力应变
《电子材料快报》2000年第3期12-14,共3页毕叔和 
关键词：氮化铝 氮化镓 碳化硅 缓冲层 生长 张力应变 
Φ300mmCZ—Si抛光片的氧沉淀行为
《电子材料快报》2000年第3期13-15,共3页晓予 
关键词：抛光片 CZ-SI 氧沉淀 硅 
InP本征调制掺杂
《电子材料快报》2000年第3期15-16,共2页苏宇观 
关键词：Ⅲ-Ⅴ族 化合物半导体 磷化铟 本征调制掺杂 
用射频辉光放电制备高电导非掺μc—SiO：H薄膜
《电子材料快报》2000年第3期5-5,共1页未休 
关键词：射频辉光放电 高电导 微晶硅薄膜 
非线性光学玻璃新进展
《电子材料快报》2000年第3期5-6,共2页张忱 
关键词：非线性光学玻璃 二氧化硅 光纤 
用改良内部结晶法生长蓝宝石光纤
《电子材料快报》2000年第3期6-7,共2页毕叔和 
关键词：蓝宝石光纤 结晶法 生长 单晶光纤 
厚层,光滑的六边形GaN在GaAs（111）基片上的生长
《电子材料快报》2000年第3期7-8,共2页义仡 
关键词：氮化镓 砷化镓 生长 
Ⅱ—Ⅵ族衬底新动态（二）
《电子材料快报》2000年第3期8-9,共2页晓晔 
关键词：Ⅱ-Ⅵ族 衬底 半导体化合物 
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