中国科学院新疆物理研究所

作品数：335被引量：915H指数：14
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发文作者：严荣良宋世庚韩英康健陈朝阳更多>>
发文领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
发文主题：热敏电阻电离辐射界面态电离辐照热敏电阻器更多>>
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MOS结构热载流子注入感生界面态及其退火特性
《核技术》2006年第1期19-21,共3页余学峰 艾尔肯 任迪远 郭旗 张国强 陆妩 
本文对N型MOS电容进行了Fowler-Nordheim衬底热电子高场注入—室温退火—再次热电子注入—再次退火试验,并利用高频C-V及准静态C-V分析技术,从微观界面态热电子注入的感生及室温退火等角度研究了MOS结构热载子损伤及退火特性,为全面揭示...
关键词：热载子 界面态 电离辐照 退火 
辐射感生场氧漏电流对CMOS运算放大器特性的影响被引量：1
《固体电子学研究与进展》2004年第2期182-185,共4页陆妩 余学锋 任迪远 郭旗 郑毓峰 张军 
介绍了不同版图结构制作的 CMOS运放电路的电离辐照实验结果 ,分析比较了在常规版图及采用了保护环措施后制作的运放电路辐照响应之间的差异。结果显示 ,常规版图制作的运放电路 ,由于存在不易消除的场氧漏电 ,其电路的辐射敏感性会明...
关键词：CMOS运算放大器 场氧漏电 氧化物电荷 界面态 
超薄和超薄绒面Si太阳电池的1-MeV电子辐照特征被引量：4
《核技术》2004年第4期277-280,共4页艾尔肯 郭旗 任迪远 余学峰 陆妩 严荣良 
对国产超薄背场Si太阳电池和超薄绒面背场Si太阳电池的电参数和光谱响应的1-MeV电子辐照损伤进行了研究。实验结果表明,超薄和超薄绒面背场Si太阳电池与常规背场Si太阳电池相比不但具备更好的抗辐射能力,而且电池电参数也有了明显提高。
关键词：太阳电池 电子辐照 辐射损伤 光谱响应 
总剂量辐射对高速电路时间特性的影响
《核技术》2003年第11期834-836,共3页艾尔肯 余学峰 郭旗 严荣良 陆妩 张国强 任迪远 
对不同辐照偏置条件下,总剂量辐射对高速CMOS电路54HC04时间参数的影响进行了探讨,并与相应的直流参数的响应特性进行了对比,研究了两者之间的相关性。结果表明,在总剂量辐射环境下,高速CMOS电路的延迟时间变化与阈电压的漂移有着强烈...
关键词：时间特性 总剂量辐射 辐照偏置 
一种国产GaAs/Ge太阳电池的总剂量辐照特性被引量：5
《核技术》2003年第9期697-699,共3页艾尔肯 郭旗 任迪远 余学峰 陆妩 严荣良 
对一种国产金属有机物化学气相沉积(MOCVD)工艺制备的GaAs/Ge太阳电池进行了1MeV电子辐照损伤研究,讨论和分析了电池电参数和光谱响应的衰降规律和原因并与常规硅太阳电池作了比较。实验结果表明,GaAs/Ge电池与常规Si电池相比,不但转换...
关键词：太阳电池 电子辐照 辐射损伤 光谱响应 
Si/SiO_2及Si/SiO_2/Si_3N_4系统的总剂量辐射损伤被引量：1
《西安电子科技大学学报》2003年第4期433-436,共4页范隆 郝跃 余学峰 
国家部委预研基金资助项目(98J11 2 12 ZK0801)
从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及界面态的能量分布变化的角度,比较并分析了3种采用54HC电路工艺制作的MOS电容样品的总剂量电离辐射损伤退化,结果显示,采用单绝缘栅介质的Si/SiO2系统的双绝缘栅介质的Si/SiO2/Si3N4系统表现出对...
关键词：氧化物电荷 界面态 能量分布 MOS电容 总剂量辐射损伤 SI/SIO2 Si/SiO2/Si3N4 
有效的光传送网路由及波长分配算法
《计算机应用研究》2003年第8期32-34,共3页薛文革 李晓 李增智 
华为科技基金资助项目
研究了光传送网路由及波长分配问题,对于虚波长网络以波长优化为目的,给出了两种启发式算法,并提出了波长数减一代价,作为对算法另一评判依据,通过对仿真结果的分析,来研究所提出算法的有效性。
关键词：光传送网 RWA VWP 
Si_3N_4/SiO_2复合栅介质电离辐照的电子能谱分析被引量：1
《西安电子科技大学学报》2003年第3期302-305,共4页范隆 郝跃 严荣良 陆妩 
国家部委预研基金资助项目(98J11 2 12 ZK0801)
采用氩离子刻蚀X光激发电子能谱分析方法对Si3N4/SiO2/Si复合栅介质系统进行电离辐照剖析.实验结果表明存在一个由Si3N4和SiO2构成的界面区及由SiO2和Si构成的界面区,电离辐照能将SiO2/Si界面区中心向Si3N4/SiO2界面方向推移,同时SiO2/S...
关键词：Si3N4/SiO2复合栅介质 电离辐照 X光激发电子能谱 氢离子刻蚀 Si过渡态 
54HCT244高速CMOS电路交流特性辐照退化研究
《核技术》2003年第4期287-290,共4页艾尔肯 严荣良 余学锋 郭旗 陆妩 任迪远 苏秀娣 
本文研究了国产高速CMOS电路54HCT244八缓冲器/线驱动器在60Co辐照下,交流特性退化与总剂量、剂量率、辐照偏置和工艺条件的关系。研究表明,在低剂量率辐照下,延迟时间TPHL退化比高剂量率辐照下严重,且对加固电路,这一交流特性退化的剂...
关键词：高速CMOS电路 交流特性 辐射退化 卫星 电子系统 设计 空间辐射 
注氟CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特性
《核技术》2003年第4期291-294,共4页陆妩 郭旗 余学锋 任迪远 郑毓峰 张军 
本文研究了注氟(F)与未注F两种不同工艺CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特性及变化规律。结果显示:在MOSFET的栅场介质中适量注入F,能明显地抑制辐照感生氧化物电荷的积累和界面态密度的增长,减少漏电流及阈电压漂移,有助于改善CMOS...
关键词：注氟CMOS运算放大器电路 Γ辐照 氧化物电荷 界面态 钴60 抗辐射能力 电离辐射 
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