NMOSFET

作品数：136被引量：120H指数：5
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高k栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究(英文)
《北京大学学报（自然科学版）》2014年第4期637-641,共5页李哲 吕垠轩 何燕冬 张钢刚 
国家重点基础研究发展计划(2011CBA00606)资助
对高k栅介质SOI nMOSFET器件的PBTI退化和恢复进行实验研究,并且与pMOSFET器件的NBTI效应进行比较,分析PBTI效应对阈值电压漂移、线性及饱和漏电流、亚阈摆幅和应力诱导漏电流的影响。结果显示,PBTI的退化和恢复与NBTI效应具有相似的趋...
关键词：正偏置温度不稳定性(PBTI) 高介电常数栅介质 绝缘衬底上的硅型金属氧化层半导体场效应晶体管(soI MOSFET) 退化 应力诱导漏电流(SILC) 
Model of hot-carrier induced degradation in ultra-deep sub-micrometer nMOSFET
《Chinese Physics B》2014年第5期525-529,共5页雷晓艺 刘红侠 张月 马晓华 郝跃 
Project supported by the National Basic Research Program of China(Grant No.2011CBA00606);the National Natural Science Foundation of China(Grant No.61106106)
The degradation produced by hot carrier （HC） in ultra-deep sub-micron n-channel metal oxide semiconductor field effect transistor （nMOSFET） has been analyzed in this paper. The generation of negatively charged int...
关键词：n-channel metal oxide semiconductor field effect transistor hot carder DEGRADATION lifetimemodel 
A high performance HfSiON/TaN NMOSFET fabricated using a gate-last process
《Chinese Physics B》2013年第11期536-540,共5页许高博 徐秋霞 殷华湘 周华杰 杨涛 牛洁斌 余嘉晗 李俊峰 赵超 
Project supported by the Beijing Natural Science Foundation,China(Grant No.4123106);the National Science and Technology Major Projects of the Ministry of Science and Technology of China(Grant No.2009ZX02035)
A gate-last process for fabricating HfSiON/TaN n-channel metal-oxide-semiconductor-field-effect transistors （NMOSFETs） is presented. In the process, a HfSiON gate dielectric with an equivalent oxide thickness of 10 ...
关键词：HFSION TAN gate-last process planarization 
A strained Si-channel NMOSFET with low field mobility enhancement of about 140% using a SiGe virtual substrate被引量：2
《Journal of Semiconductors》2012年第9期65-68,共4页崔伟 唐昭焕 谭开洲 张静 钟怡 胡辉勇 徐世六 李平 胡刚毅 
supposed by the National Basic Research Program of China;supposed by the State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,UESTC;the Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory,CETC
A fully standard CMOS integrated strained Si-channel NMOSFET has been demonstrated. By adjusting the thickness of graded SiGe, modifying the channel doping concentration, changing the Ge fraction of the relaxed SiGe l...
关键词：CMOS inverter strained Si mobility enhancement SiGe virtual substrate relaxed layer 
An Analytical Model of Electron Mobility for Strained-Si Channel nMOSFETs被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第5期863-868,共6页李小健 谭耀华 田立林 
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2006CB302705)~~
An analytical model of electron mobility for strained-silicon channel nMOSFETs is proposed in this paper. The model deals directly with the strain tensor,and thus is independent of the manufacturing process. It is sui...
关键词：STRAINED-SI electron mobility analytical model NMOSFET uniaxial stress/strain 
恒压应力下超薄栅nMOSFET软击穿后的衬底电流特性被引量：3
《Journal of Semiconductors》2005年第5期999-1004,共6页王彦刚 许铭真 谭长华 段小蓉 
国家重点基础研究专项经费资助项目(批准号:TG2000 036503)~~
研究了在恒压应力下超薄栅nMOSFET软击穿后的衬底电流特性.软击穿时间由衬底电流随时间的弛豫特性和器件输出特性测量时监测的衬底电流突变确定.发现软击穿时间的威布尔斜率和衬底特征击穿电流随温度的升高而增大.用类渗流模型模拟了软...
关键词：衬底电流 软击穿 超薄栅氧化层 威布尔分布 变频光泵效应 
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