原子层沉积

作品数：428被引量：575H指数：10
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高k材料镧前驱体La(tmhd)_(3)和La(tmod)_(3)的热力学及其ALD应用
《微纳电子技术》2023年第7期1047-1057,共11页周洪 丁玉强 
通过同步热分析研究两种不同的前驱体(La(tmhd)_(3)和La(tmod)_(3))在升华过程中的热稳定性。结果表明,具有不对称分子结构的La(tmod)_(3)的挥发性大于La(tmhd)_(3),其可以作为镧前驱体应用于原子层沉积(ALD)技术。将La(tmod)_(3)和O_(3...
关键词：LAOX La(tmhd)_(3) 原子层沉积(ALD) La(tmod)_(3) 热分析 O_(3) 
原子层沉积制备非晶氧化铝薄膜及其光谱椭偏被引量：1
《微纳电子技术》2022年第11期1218-1225,1241,共9页石树正 马立勇 王占英 
国家自然科学基金资助项目(51975541);河北省“三三三人才工程”资助项目(A202101021);河北省高校基本科研业务费资助项目(2022QNJS01);河北省教育厅自然科学重点项目(ZD2021315);河北省技术创新引导计划项目(20475501D)。
采用原子层沉积(ALD)技术在200℃下制备了不同厚度的氧化铝薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能量色散光谱仪(EDS)和原子力显微镜(AFM),对薄膜的晶相、组分以及形貌结构进行测试分析,利用光谱椭偏仪采用Forouhi-Bloom...
关键词：非晶态氧化铝 原子层沉积(ALD) 光谱椭偏分析 Forouhi-Bloomer(FB)模型 色散模型 
前驱体通气时间对原子层沉积氧化锌薄膜的影响
《微纳电子技术》2022年第3期231-235,241,共6页马铭辰 王国政 王蓟 
吉林省科技厅重点科技研发项目(20180201033GX);吉林省科技厅技术攻关项目(20190302125GX);吉林省科技厅重大科技专项(20200501006GX);吉林省教育厅项目(JJKH20200777KJ)。
建立了反应腔室模型,模拟分析了原子层沉积(ALD)过程中前驱体质量分数随其通气时间的变化趋势。采用ALD法制备了ZnO薄膜,采用原子力显微镜(AFM)与扫描电子显微镜(SEM)对薄膜进行了表征,研究了不同二乙基锌通气时间下ZnO薄膜的表面形貌...
关键词：原子层沉积(ALD) 流体分析 ZNO薄膜 表面粗糙度 薄膜均匀性 
原子层沉积超薄氮化铝薄膜的椭圆偏振光谱法表征被引量：1
《微纳电子技术》2022年第2期169-174,共6页瞿敏妮 乌李瑛 董学谦 沈贇靓 田苗 王英 程秀兰 
国家科技部“十三五”高性能计算重点研发计划项目子课题(2016YFB0200205);2018年度上海研发公共服务平台建设项目(18DZ2295400);上海交通大学决策咨询课题(JCZXSJB2019-005,JCZXSJB2020-010)。
采用原子层沉积(ALD)工艺在硅衬底上生长了35 nm以下不同厚度的超薄氮化铝(AlN)晶态薄膜。利用椭圆偏振光谱法在波长275~900 nm内测量并拟合薄膜的厚度及折射率和消光系数等光学参数。利用原子力显微镜(AFM)表征AlN晶粒尺寸随生长循环...
关键词：椭圆偏振光谱法 折射率 超薄膜 氮化铝(AlN) 原子层沉积(ALD) 
热型ALD技术制备镍薄膜及其金属硅化物
《微纳电子技术》2019年第6期486-492,共7页乌李瑛 瞿敏妮 沈贇靓 王英 程秀兰 
国家科技部"十三五"高性能计算重点研发计划项目子课题(2016YFB0200205);2018年度上海研发公共服务平台建设项目(18DZ2295400)
金属硅化物材料具有较低的接触电阻,并且与硅材料有较好的兼容性,所以在互补金属氧化物半导体(CMOS)器件中被看作是重要的电极材料。形成镍金属硅化物的关键是镍金属单质的淀积工艺。如何在大深宽比纳米尺度的三维结构中沉积保形性好、...
关键词：镍(Ni)薄膜 原子层沉积(ALD) 沉积速率 金属硅化物 互补金属氧化物半导体(CMOS) 
聚焦离子束切割法制备多层膜X射线波带片被引量：1
《微纳电子技术》2019年第4期314-318,共5页姚广宇 李艳丽 孔祥东 韩立 
国家重点研发计划资助项目(2018YFF0109100);国家自然科学基金资助项目(U1831202)
X射线波带片是X射线显微成像系统中用于聚焦及成像的核心元件,提高波带片性能参数,更利于X射线显微成像技术的广泛应用。选择可精确控制厚度的原子层沉积(ALD)法结合聚焦离子束(FIB)切割法制备出大高宽比X射线波带片结构,即用原子层沉...
关键词：原子层沉积(ALD) 聚焦离子束(FIB) X射线波带片 显微成像系统 大高宽比 
原子层沉积制备氮化钛薄膜及其表征被引量：1
《微纳电子技术》2018年第6期428-432,共5页胡磊 石树正 孙雅薇 乔骁骏 何剑 穆继亮 丑修建 
国家自然科学基金资助项目(51605449,61471326,51422510,51675493);山西省应用基础研究资助项目(201601D021064)
宽禁带半导体TiN作为扩散阻挡层以及场效应管的门电极在集成电路中发挥重要作用。通过原子层沉积（atomic layer deposition，ALD）技术沉积不同循环次数TiN薄膜，采用四探针测试仪、台阶仪、扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM...
关键词：TIN 原子层沉积(ALD) 电阻率 粗糙度 生长速率 
直流辉光放电对石墨烯氮掺杂的制备与特性
《微纳电子技术》2017年第8期539-546,共8页程嵩 卢维尔 王桐 夏洋 李楠 
国家自然科学基金青年基金资助项目(61604175;61404170);国家重大科研仪器研制资助项目(61427901)
在原子层沉积(ALD)的腔室内,采用直流辉光放电技术,以N2等离子体作为掺杂源制备了氮掺杂石墨烯,考察了电场方向和掺杂时间对石墨烯的掺杂特性影响。喇曼光谱和高分辨率X射线光电子能谱(XPS)测试表明,随着掺杂时间的延长,氮的掺杂量逐渐...
关键词：直流辉光放电 氮掺杂石墨烯 等离子体 多物理场耦合分析 原子层沉积(ALD) 
原子层沉积生长电学性质可调ZnO薄膜工艺被引量：2
《微纳电子技术》2016年第9期605-609,633,共6页张思敏 程嵩 卢维尔 夏洋 
国家重大科研仪器研制项目(61427901)
采用热型原子层沉积(T-ALD)和等离子体增强型原子层沉积(PEALD)技术在蓝宝石衬底上制备ZnO,不采用任何掺杂手段,通过调节生长温度、氧等离子体作用时间等参数,制备了电阻率在6个数量级(10^(-3)~10~3Ω·cm)范围内变化的ZnO薄膜。采用去...
关键词：原子层沉积(ALD) ZNO薄膜 电学性质可调 晶型 表面形貌 
原子层沉积技术制备金属材料的进展与挑战被引量：5
《微纳电子技术》2015年第2期113-122,共10页朱琳 李爱东 
国家自然科学基金资助项目(51202107);教育部博士点基金资助项目(20120091110049);国家重大科技专项资助项目(2009ZX02039-004)
原子层沉积(ALD)技术是一种三维共形沉积金属薄膜或金属纳米结构的有效手段。简要介绍了ALD技术的基本原理和特点,着重阐述和比较了ALD生长贵金属、过渡金属和活泼金属的不同工艺条件、化学过程和反应生长机理,如贵金属的燃烧反应与成...
关键词：原子层沉积(ALD) 金属薄膜 反应和生长机理 前驱体 成核 
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