圆片级封装

作品数:92被引量:178H指数:7
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相关作者:贾松良黄庆安王水弟蔡坚罗乐更多>>
相关机构:安徽北方芯动联科微系统技术有限公司中国科学院清华大学中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关期刊:《电子机械工程》《传感技术学报》《微电子学》《仪器仪表学报》更多>>
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一种基于TSV和激光刻蚀辅助互连的改进型CIS封装被引量:1
《半导体技术》2017年第8期636-640,共5页梁得峰 盖蔚 徐高卫 罗乐 
国家自然科学基金资助项目(61574154);上海市自然科学基金资助项目(13ZR1447300)
提出了一种基于硅通孔(TSV)和激光刻蚀辅助互连的改进型CMOS图像传感器(CIS)圆片级封装方法。对CIS芯片电极背部引出的关键工艺,如锥形TSV形成、TSV绝缘隔离、重布线(RDL)等进行了研究。采用低温电感耦合等离子体增强型化学气相淀积(ICP...
关键词:硅通孔(TSV) 低温电感耦合等离子体增强型化学气相淀积(ICPECVD) 激光刻蚀 电镀镍 圆片级封装 
FeNi合金UBM圆片级封装焊点剪切力研究
《半导体技术》2015年第9期692-698,共7页奚嘉 陈妙 肖斐 龙欣江 张黎 赖志明 
国家科技重大专项资助项目(2011ZX02602)
Fe Ni合金与无铅焊料反应速率低,生成的金属间化合物(IMC)较薄,有望作为圆片级封装(WLP)凸点下金属(UBM)层材料。对两种Fe Ni UBM以及一种Cu UBM圆片级封装样品进行回流、湿热以及预处理实验,并通过推球的方法,对其焊点进行剪切测试。...
关键词:圆片级封装(WLP) 凸点下金属(UBM) FeNi合金 剪切力 金属间化合物(IMC) 
再布线圆片级封装板级跌落可靠性研究被引量:5
《半导体技术》2013年第9期702-708,共7页茹茂 翟歆铎 白霖 陈栋 郭洪岩 李越生 肖斐 
国家科技重大专项资助(2011ZX02602)
再布线圆片级封装通过对芯片焊区的重新构造以及无源元件的集成可以进一步提升封装密度、降低封装成本。再布线圆片级封装器件广泛应用于便携式设备中,在实际的装载、运输和使用过程中抗冲击可靠性受到高度重视。按照JEDEC标准对再布线...
关键词:圆片级封装(WLP) 再布线层(RDL) 板级跌落 失效分析 有限元分析(FEA) 
再布线圆片级封装的温度循环可靠性研究被引量:2
《半导体技术》2013年第9期709-714,共6页杨东伦 翟歆铎 陈栋 郭洪岩 肖斐 
国家科技重大专项资助(2011ZX02602)
圆片级封装再布线层结构改变焊盘布局从而提升器件I/O密度和集成度,在移动电子产品中得到广泛应用,其热机械可靠性备受关注。按照JEDEC标准对含RDL结构的WLP器件进行了温度循环试验,研究了WLP器件结构对可靠性的影响。结果表明,随样品...
关键词:圆片级封装(WLP) 再布线层(RDL) 温度循环 失效分析 有限元分析(FEA) 
圆片级封装的板级跌落可靠性研究被引量:1
《半导体技术》2012年第10期804-809,共6页叶晓通 陈栋 张黎 李越生 肖斐 
国家科技重大专项资助(2009ZX02038;2011ZX02602)
圆片级封装(WLP)具有尺寸小、散热性能好、封测成本低等优点,广泛应用于便携式电子产品,其在跌落、碰撞等环境下的可靠性越来越受到重视。将WLP器件组装到PCB基板上,按照JEDEC电子产品板级跌落实验标准进行实验,研究了WLP元件引脚节距...
关键词:圆片级封装 板级可靠性 跌落实验 失效分析 金属间化合物 
MEMS器件封装的低温玻璃浆料键合工艺研究被引量:4
《半导体技术》2009年第12期1173-1176,共4页虞国平 王明湘 俞国庆 
江苏省自然科学基金资助项目(BK2009112)
玻璃浆料是一种常用于MEMS器件封装的密封材料。系统研究了MEMS器件在低温下使用玻璃浆料键合硅和玻璃的过程。与大多数MEMS器件采用的玻璃浆料相比(烧结温度400℃以上),此工艺(烧结温度350℃)在键合完成后所形成的封装结构同样具有较...
关键词:微机电系统 气密封装 玻璃浆料键合 低温 圆片级封装 
MEMS圆片级封装用Cu-Sn低温键合机理与工艺研究被引量:3
《半导体技术》2009年第12期1181-1184,共4页荣毅博 蔡坚 王水弟 贾松良 
国家高技术研究发展计划(863计划;2009AA04Z321);国家重大科技专项(2009ZX02038)
研究了利用低温等温凝固技术实现Cu-Sn键合在MEMS圆片级封装中的应用。基于Cu-Sn二元平衡相图,对键合层结构进行了设计,同时设计了用于测试的键合图形,并对设计的键合结构进行了流片实验。通过对圆片制作及键合等工艺的一系列优化,在25...
关键词:等温凝固 Cu-Sn 键合 圆片级封装 剪切力 
用于圆片级封装的金凸点研制被引量:5
《半导体技术》2004年第4期27-30,共4页王水弟 蔡坚 谭智敏 胡涛 郭江华 贾松良 
介绍了电镀法进行圆片级封装中金凸点制作的工艺流程,并对影响凸点成型的主要工艺因素进行了研究。凸点下金属化层(UBM,under bump metallization)溅射、厚胶光刻和厚金电镀是其中的工艺难点,通过大量的实验研究,确定了TiW/Au的UBM体系...
关键词:金凸点 电镀 圆片级封装 厚胶光刻 溅射 
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