载流子浓度

作品数：302被引量：415H指数：8
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针对高压IGBT的改进瞬态模型被引量：16
《高电压技术》2018年第2期448-455,共8页普靖 罗毅飞 肖飞 刘宾礼 
国家重点基础研究发展计划(973计划)(2015CB251004);国家自然科学基金(51490681)~~
为准确表征绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的物理特性,在典型IGBT开关瞬态模型的基础上提出一种改进的高压IGBT瞬态模型。首先基于半导体物理理论,对典型IGBT开关瞬态的建模过程进行了简要分析和推导,并在此基础上针对高压IGBT的宽基区结...
关键词：典型IGBT瞬态模型 高压IGBT瞬态模型 过剩载流子浓度 空穴电流 基区 Buffer层 
基于电压变化率的IGBT结温预测模型研究被引量：7
《物理学报》2014年第17期243-252,共10页刘宾礼 唐勇 罗毅飞 刘德志 王瑞田 汪波 
国家自然科学基金面上项目(批准号:51277178);国家重点基础研究发展计划973项目(批准号:2013CB035601);国家优秀青年基金(批准号:51307176)资助的课题~~
基于半导体物理和IGBT基本结构,通过合理简化与理论推导,建立了电压变化率模型,对电压变化率的影响因素与温度特性进行了深入研究,得出电压变化率随电压或电流的增大,线性增大;随结温增大,线性减小.基于电压变化率模型,建立了IGBT电压...
关键词：载流子浓度 迁移率 电压变化率 结温预测模型 
InN的光致发光特性研究被引量：3
《物理学报》2013年第11期492-495,共4页王健 谢自力 张荣 张韵 刘斌 陈鹏 韩平 
国家重点基础研究发展计划(2011CB301900;2012CB619304);国家高技术研究发展计划(2011AA03A103);国家自然科学基金(60990311;60820106003;60906025;60936004;61176063);江苏省自然科学基金(BK2008019;BK2011010;BK2010385;BK2009255;BK2010178);南京大学扬州光电研究院研发基金资助的课题~~
研究了利用金属有机化学气相淀积生长的氮化铟薄膜的光致发光特性.由于氮化铟本身具有很高的背景载流子浓度,费米能级在导带之上,通过能带关系图以及相关公式拟合光致发光图谱可以得到生长的氮化铟的带隙为0.67eV,并且可以计算出相应的...
关键词：氮化铟 金属有机化学气相淀积 光致发光 载流子浓度 
掺砷碲镉汞的光致发光光谱和电学性质被引量：1
《红外与毫米波学报》2012年第5期407-410,共4页张小华 陈路 林铁 何力 郭少令 褚君浩 
国家自然科学基金(10927404;61176075);国家重点基础研究发展规划资助项目(2007CB924902)~~
碲镉汞的电学性能和光学性能直接决定探测器性能.对窄禁带掺砷碲镉汞进行了11～300 K的红外光致发光光谱和变温霍尔测量.对变温光致发光光谱进行了拟合分析,结果表明经通用的两步退火,样品不仅存在砷占碲位(AsTe)、汞空位(VHg)和TeHg-VH...
关键词：碲镉汞 光致发光 载流子浓度 
THz modulator based on the Drude model被引量：1
《Optoelectronics Letters》2011年第1期19-21,共3页杨鹏飞 姚建铨 徐伟 
supported by the National Basic Research Program of China (No.2007CB310403)
An amplitude modulator for the terahertz(THz) range is designed.The Drude model is adopted,in which the collision damping is independent of the carrier energy.The Si block with 808 nm laser is illustrated,and it will ...
关键词：Drude模型 太赫兹波 调制器 基础 载流子浓度 碰撞阻尼 THZ波 光子产生 
半导体微腔双稳态激光器
《激光与光电子学进展》2010年第3期9-9,共1页黄永箴 王世江 杨跃德 肖金龙 胡永红 杜云 
国家自然科学基金(60777028;60723002;60838003);国家重大基础研究项目(2006CB302804)资助课题
适于光子集成的半导体微腔双稳态激光器，在高速光存．储、光交换等光信息处理方面具有重要的应用价值。模式竞争产生的双稳态半导体激光器，主要依靠非线性增益抑制实现双稳态的变换，对应的载流子浓度变化很小，可以实现高速光交换而...
关键词：半导体激光器 半导体微腔 双稳态 模式竞争 光信息处理 非线性增益 载流子浓度 光子集成 
ITO薄膜的厚度对其光电性能的影响被引量：15
《人工晶体学报》2008年第1期147-150,共4页李林娜 薛俊明 赵亚洲 李养贤 耿新华 赵颖 
天津市科技发展计划项目(06YFGZGX02100);天津市自然科学基金项目(043604911);国家“973”重点基础研究项目(2006CB202602和2006CB202603)
氧化铟锡(indium-tin oxide,ITO)具有在可见光范围内高度透明的特性和优良的电学特性,通常当作透明电极,被广泛应用于太阳电池和发光元器件上。本研究中用电阻加热反应蒸发的方法制备ITO薄膜,测试了膜的厚度、电阻率、可见光透过率、载...
关键词：ITO薄膜 电阻蒸发法 载流子浓度 霍尔迁移率 
生长速率对反应蒸发制备ITO薄膜光电性能的影响被引量：11
《光电子．激光》2007年第1期24-26,29,共4页李林娜 孙建 薛俊明 李养贤 赵颖 耿新华 
国家"973"重点基础研究资助项目(G2000028202;G2000028203);天津市科技发展计划资助项目(06YFG2GX021007;天津市自然科学基金资助项目(043604911)
用电阻加热反应蒸发的方法制备氧化铟锡(ITO)薄膜,测试了膜的电阻率、可见光透过率、载流子浓度和迁移率,讨论生长速率对薄膜光电性能的影响。并在衬底温度为160℃、反应压强为1.4×10-1Pa的条件下,制得可见光范围平均透过率为93%、电...
关键词：氧化铟锡(ITO)薄膜 电阻率 载流子浓度 迁移率 透过率 
衬底温度对中频磁控溅射ZnO∶Al透明导电薄膜性能的影响被引量：1
《兵工学报》2006年第5期891-894,共4页黄宇 熊强 薛俊明 马铁华 孙建 赵颖 耿新华 
国家重点基础研究发展规划项目(G2000028200);天津市自然科学基金资助项目(043604911)
ZnO：Al（ZAO）薄膜的光学、电学以及结构特性与衬底温度有关，以掺杂质量2％Al的Zn（纯度99．99％）金属材料做靶，采用中频磁控溅射技术研究衬底温度对ZnO透明导电薄膜性能的影响，获得适合太阳电池的高效能薄膜，薄膜厚度700nm左右...
关键词：凝聚态物理学 中频磁控溅射 ZnO:Al(ZAO)薄膜 衬底温度 载流子浓度 霍尔迁移率 
非故意掺杂GaN上Ti/Al/Ni/Au欧姆接触研究
《电子元件与材料》2004年第12期4-6,共3页杜江锋 赵波 罗谦 于奇 靳翀 李竞春 
国家973基础研究(51327);高校博士点基金资助项目(2000061402)
基于圆形传输线模型,研究了背景载流子浓度为71016cm3的非故意掺杂GaN与Ti/Al/Ni/Au多层金属之间欧姆接触的形成。样品在N2气氛中,分别经过温度450,550,700,800,900℃的1 min快速热退火处理后发现,当退火温度高于700℃欧姆接触开始形成...
关键词：欧姆接触 传输线模型 快速热退火 掺杂浓度 载流子浓度 外扩散 电子隧穿 施主 空位 穿透 
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