等离子体刻蚀

作品数：172被引量：335H指数：8
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用于非球面测试的位相型计算全息图制作
《微细加工技术》2008年第6期7-8,11,共3页马杰 朱效立 谢常青 叶甜春 赵珉 刘明 陈宝钦 朱日宏 高志山 马骏 
国家重点基础研究发展规划资助项目(2007CB935302);中国高技术发展研究计划资助项目(2006AA03Z355)
本文对计算全息图元件的设计和制作关键技术进行了研究,自行开发了计算全息图元件光刻图形计算机生成算法和软件,研究了采用高速电子束直写系统制作大面积、非周期性复杂光刻图形技术,在此工作的基础上,采用湿法腐蚀铬、感应耦合等离子...
关键词：非球面测试 计算全息图 电子束光刻 湿法腐蚀 感应耦合等离子体刻蚀 
SF_6/O_2等离子体刻蚀a-C:F薄膜的研究
《微细加工技术》2007年第1期36-40,共5页吴振宇 杨银堂 汪家友 柴常春 
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室项目资助课题(51433020205DZ01);西安-应用材料创新基金资助项目(XA-AM-200501)
以SF6/O2为刻蚀气体,采用电子回旋共振等离子体反应离子刻蚀(ECR-RIE)方法进行了氟化非晶碳(a-C∶F)低介电常数薄膜的等离子体刻蚀技术研究,结果表明,a-C∶F薄膜的刻蚀速率取决于薄膜中C—CFx与CFx两类基团刻蚀过程,富C—CFx结构的a-C∶...
关键词：a-C∶F 等离子体刻蚀 表面形貌 XPS 
空气等离子体刻蚀对金刚石薄膜性能的影响被引量：3
《微细加工技术》2006年第2期30-32,48,共4页李德贵 冉均国 廖晓明 苟立 苏葆辉 
国家自然科学基金资助项目(10275046)
为了提高金刚石薄膜电学和辐射响应性能,在石英钟罩式MPCVD装置中,采用微波空气等离子体刻蚀处理来提高金刚石薄膜的纯度、电阻率和辐射剂量计响应性能,研究了不同的微波功率、气体流量、处理时间对金刚石薄膜电阻率、X光响应的影响,结...
关键词：金刚石薄膜 电阻率 CVD 等离子体 辐射剂量计 
非晶硅基薄膜的等离子体刻蚀光发射谱检测
《微细加工技术》1997年第2期37-42,共6页王长安 徐重阳 赵伯芳 于天洪 
本文研究了采用锁定放大相干检测技术的等离子体光发射谱检测系统。用该系统检测了仅用CF4作为刻蚀气体刻蚀非晶硅基薄膜的等离子体光发射谱。分析了检测结果和刻蚀机理。
关键词：非晶硅基薄膜 等离子体刻蚀 光发射谱检测 
α—Si TFT矩阵等离子体刻蚀技术的研究被引量：3
《微细加工技术》1993年第2期41-46,共6页赵伯芳 张少强 章青 王长安 
本文介绍了α-Si TFT有源矩阵的CF_4等离子体刻蚀技术。分析了CF_4等离子体刻蚀α-Si:H和α-SiN_x的机理,对α-Si TFT的有源层与绝缘层之间刻蚀选择性和均匀性进行了研究,讨论了等离子体刻蚀速率与射频功率、反应室压力及衬底温度的依...
关键词：等离子体刻蚀 半导体集成电路 有源矩阵 
a—Si等离子体刻蚀的研究
《微细加工技术》1991年第2期53-56,共4页曾云 
将等离子体刻蚀应用于非晶硅的刻蚀中,得到边缘整齐、分辩率高、重复性好、图形清晰的满意效果。通过调整工艺条件,可严格控制刻蚀速率。其特点优于湿式化学腐蚀,是一种非晶硅特性研究和器件制造中值得推广和使用的方法。
关键词：等离子体刻蚀 非晶硅 
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