低噪声放大器

作品数：1505被引量：1420H指数：12
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基于级间电容抵消技术的74~88 GHz高性能CMOS LNA设计
《固体电子学研究与进展》2022年第6期484-491,共8页康志谋 邹林峰 蒋欣怡 石春琦 张润曦 
中央高校基本科研业务费专项资金资助(40500-20103-222178);上海市科委资助项目(18DZ2270800)。
采用55 nm CMOS工艺,面向毫米波雷达应用,设计了一款74~88 GHz高性能CMOS低噪声放大器(LNA)。该LNA应用共源共栅结构,为了改善噪声系数、提高稳定性增益,采用级间寄生电容抵消的电感反馈共栅短接技术和基于反相双圈耦合的等效跨导增强...
关键词：寄生电容抵消 低噪声放大器 反相双圈耦合 电感反馈共栅短接 
1~9 GHz超宽带温度补偿低噪声放大器的设计被引量：2
《南京大学学报（自然科学版）》2020年第6期892-899,共8页周守利 吴建敏 张景乐 陈伟 王志宇 
中国博士后科学基金(2013M540147);中央高校基本科研业务费专项资金(2019QN81003)。
超宽带低噪声放大器是可重构射频前端、宽带相控阵雷达必需的芯片,其性能直接影响系统的灵敏度.展示一款集成温度补偿有源偏置电路的超宽带低噪声放大器,该放大器采用新型温度补偿有源偏置电路,能有效地降低工作环境温度变化导致的增益...
关键词：超宽带 温度补偿 有源偏置 低噪声放大器 负反馈 
一种0.13μmCMOS K波段LNA
《微电子学》2017年第4期465-468,共4页陈婷 何进 陈鹏伟 王豪 常胜 黄启俊 
国家自然科学基金资助项目(61204096;61404094);中央高校基本科研资助项目(2042015kf0174;2042014kf0238);中国博士后科学基金资助项目(2012T50688);湖北省自然科学基金资助项目(2014CFB694);江苏省科学基金资助项目(BK20141218)
基于0.13μm CMOS工艺,设计了一种工作于K波段的低噪声放大器。输入匹配采用一种改良π型匹配网络,输出匹配采用L+π型匹配网络,避免了电容击穿的风险和源端大电感的引入。电路使用级间L型匹配的方式,利用第一级电路的输出寄生电容和第...
关键词：K波段 CMOS 低噪声放大器 改良π型匹配 级间L匹配 
0.5-18GHz超宽带低噪声放大器单片电路研制被引量：7
《微波学报》2016年第S1期220-222,共3页朱熔琦 徐锐敏 
中央高校基本科研基金(A03011023801006002)
本文基于分布式放大器原理,采用0.15um Ga As PHEMT低噪声工艺技术,研制了一款超宽带低噪声放大器单片电路。该款放大器选用7级分布式拓扑结构,为了提高放大器的增益,每级由两个晶体管组成共源共栅结构。最终结果表明该放大器在0.5-18GH...
关键词：超宽带 低噪声放大器 行波分布式 微波单片集成电路 
一款用于超宽带接收系统的3-5GHz低噪声放大器被引量：4
《北京邮电大学学报》2015年第2期108-112,共5页李秀萍 曹佳云 李南 
国家自然科学基金项目(61372036);中央高校基本科研业务费;毫米波国家重点实验室开放课题(k201511)资助项目
设计了一种基于共源结构的两级级联超宽带低噪声放大器.该低噪声放大器采用了源端电感和1/4阻抗变换器,在不恶化电路噪声系数的情况下具有较好的输入匹配.通过使用Ga As赝调制掺杂异质结场效应晶体管(p HEMT)器件,在PCB板上实现了低噪...
关键词：共源级联 输入匹配 低噪声放大器 噪声系数 
5.8GHz低噪声放大器的设计与优化
《微电子学》2013年第3期312-315,共4页王伟印 赵琳娜 沈琪 顾晓峰 
国家自然科学基金资助项目(11074280);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUDCF10031;JUDCF12032);江苏省普通高校研究生创新计划资助项目(CXLX11_0486)
设计了一种低压、低功耗、输出阻抗匹配稳定的CMOS差分低噪声放大器。基于源极电感负反馈共源共栅结构,提出了基于MOS管中等反型区最小化Vdd.Id的方法,以优化功耗。在共栅晶体管处并联正反馈电容,以提升电路增益。对电路的噪声系数、输...
关键词：低噪声放大器 共源共栅 中等反型 
宽带低噪声放大器与ESD防护的协同设计被引量：1
《微电子学》2013年第3期345-349,共5页柯逸辰 顾晓峰 朱科翰 高国平 
国家自然科学基金资助项目(11074280);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUDCF12027;JUDCF12032);江苏高校优势学科建设工程资助项目(PAPD)
基于0.18μm CMOS工艺,介绍了一种UHF频段低噪声放大器(LNA)与静电放电(ESD)保护器件的协同设计和电路仿真方法。采用传输线脉冲测试系统,测得ESD二极管的正向热失效击穿电流为4.28A,等效于人体模型5.6kV;反向热失效击穿电流为0.2A,等...
关键词：低噪声放大器 静电放电 二极管 传输线脉冲测试 人体模型 
2．4GHz低噪声放大器的全芯片ESD保护设计被引量：1
《固体电子学研究与进展》2012年第6期561-564,共4页梁海莲 董树荣 顾晓峰 韩雁 
国家自然科学基金资助项目(11074280,61171038&61150110485);江苏高校优势学科建设工程资助项目;中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUDCF12027,JUDCF12032)
设计并流片验证了一种0.18μmRFCMOS工艺的2.4GHz低噪声放大器的全芯片静电放电(ESD)保护方案。对于射频(RF)I/O口的ESD防护,主要对比了二极管、可控硅(SCR)以及不同版图的互补型SCR,经流片与测试,发现岛屿状互补型SCR对I/O端口具有很好...
关键词：静电放电 低噪声放大器 可控硅 寄生电容 噪声系数 
0.13微米CMOS双通道超宽带低噪声放大器设计被引量：1
《微电子学与计算机》2012年第10期37-41,46,共6页张弘 梁元 
中央高校基本科研业务费(K50510250010)
本文设计了一款超宽带低噪声放大器,并对设计流程进行分析仿真.该低噪放采用双通道结构,有效的输入阻抗匹配、平稳的增益和低噪声等性能可以同时实现.应用ADS工具TSMC 0.13μm CMOS工艺库的仿真结果表明,其最大功率增益为14.2dB,在8GHz...
关键词：CMOS射频集成电路 超宽带低噪声放大器 双通道 
GaN高电子迁移率晶体管高频噪声特性的研究被引量：4
《微波学报》2011年第6期84-88,共5页陈勇波 周建军 徐跃杭 国云川 徐锐敏 
国家自然科学基金(60876052);中央高校基本科研业务基金(103.1.2E0220502051)
基于FUKUI噪声模型,分析了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的高频噪声特性,结果表明,由于GaN HEMT具有更高的临界电场和更大的电子饱和速度,与第2代半导体器件(GaAs HEMT等)相比具有更优越的噪声性能。对近10多年来国内外在GaN HEMT低...
关键词：氮化镓(GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 高频噪声 低噪声放大器 
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