大信号

作品数：521被引量：736H指数：13
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RF-S01建模：一种精确的体接触RF-LDMOSFET大信号模型
《Journal of Semiconductors》2007年第11期1786-1793,共8页刘军 孙玲玲 李文钧 钟文华 吴颜明 何佳 
提出一种精确的体接触RF-SOI(radio frequency silicon-on-insulator)LDMOSFET(lateral double diffusedMOSFET)大信号等效电路模型.模型漏电流及偏置相关电容模型方程连续、任意阶次可导.发展出一种新的可满足电荷守恒栅源、栅漏电容模...
关键词：RF-SOI LDMOSFET 体接触 大信号模型 可导 谐波功率 
GaAs HFET/PHEMT大信号建模分析被引量：2
《Journal of Semiconductors》2007年第3期439-443,共5页张书敬 杨瑞霞 高学邦 杨克武 
在分析GaAs HFET/PHEMT建模设计、在片校准和测试方法的基础上,提出了电荷守恒的EEHEMT1模型,通过Cold FET测量技术,采用在片测试技术,结合窄脉冲测试技术,提出了GaAs HFET/PHEMT器件EE-HEMT1大信号模型,实验说明提出的大信号模型模拟...
关键词：砷化镓场效应晶体管 微波集成电路 功率器件模型 测试结构 精确建模 
用于InP HBT的Agilent HBT模型参数提取流程
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期443-447,共5页何佳 孙玲玲 刘军 
国防科技重点实验室基金资助项目(批准号:9140c0605010702)
介绍了Agilent HBT大信号模型参数提取方法,继承并改进了Gummel-Poon模型和VBIC模型参数的提取方法,以及对分布电容、本征电阻和渡越时间的参数提取技术,并对单指InP HBT器件进行了测量和仿真.实验结果表明,该模型对InP HBT直流特性及50...
关键词：AGILENT HBT INP 大信号 模型 参数提取 
梳状谐振器的大信号等效电路宏模型被引量：2
《Journal of Semiconductors》2004年第2期185-189,共5页闻飞纳 李伟华 戎华 
国家高技术研究发展计划 (课题编号 :2 0 0 2 AA40 40 10 );教育部 ( No.0 2 16)资助项目~~
研究了梳状谐振器在大信号作用下的机电特性方程 .采用 SPICE中的多项式受控源 ,给出了其 F - I类比的大信号等效电路 ,同时根据所得到的等效电路宏模型运用 SPICE软件进行了系统级的模拟 ,并采用两种方法进行了验证 .
关键词：梳状谐振器 大信号 SPICE 宏模型 
基于实验与物理分析的4H-SiC射频功率MESFET大信号非线性精确电容模型被引量：2
《Journal of Semiconductors》2002年第2期188-192,共5页杨林安 张义门 张玉明 
国防预研基金资助项目 (8.1.7.3 )~~
采用电荷控制理论和载流子速度饱和理论的物理分析方法 ,并结合 Statz、Angelov等经验模型的描述方法 ,提出了常温下针对 4 H- Si C射频功率 MESFET的大信号非线性电容模型 .此模型在低漏源偏压区对栅源电容 Cgs强非线性的描述优于 Stat...
关键词：4H-SIC 射频功率 MESFET 非线性大信号模型 电容模型 
4H-SiC射频功率MESFET大信号直流I-V特性解析模型被引量：11
《Journal of Semiconductors》2001年第9期1160-1164,共5页杨林安 张义门 吕红亮 张玉明 于春利 
国防预研基金资助项目 ( 8.1.7.3)~~
根据 4H - Si C高饱和电子漂移速度和常温下杂质不完全离化的特点 ,对适用于 Si和 Ga As MESFET的直流I- V特性理论进行了分析与修正 .采用高场下载流子速度饱和理论 ,以双曲正切函数作为表征 I- V特性的函数关系 ,建立了室温条件下 4H ...
关键词：碳化硅 4H-SIC 射频功率 MESFET 非线性大信号模型 直流I-V特性 场效应晶体管 
GaAs　MESFET大信号瞬态模拟被引量：2
《Journal of Semiconductors》1994年第11期741-746,共6页邓先灿 冯春阳 孙国恩 骆建军 
微电子应用基础研究重点课题
本文采用了大信号瞬态分析方法，从砷化镓（ＧａＡｓ）材料参数和器件几何参数出发，通过求解Ｐｏｉｓｓｉｏｎ方程和连续性方程，模拟出ＦＥＴ器件端口特性，得到了大小信号器件模型不同的定量依据，并在此基础上提取出了ＦＥＴ非线性...
关键词：砷化镓 MESFET 大信号 瞬态模拟 
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