射频溅射

作品数：205被引量：392H指数：8
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衬底温度对宽带隙立方氮化硼薄膜制备的影响
《Journal of Semiconductors》2005年第12期2369-2373,共5页陈浩 邓金祥 陈光华 刘钧锴 田凌 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60376007)~~
用射频溅射设备,采用两步法制备了宽带隙立方氮化硼(cBN)薄膜.研究了在其他条件不变的情况下,成核阶段衬底温度对制备cBN薄膜的影响.cBN薄膜沉积在p型Si(100)衬底上,薄膜成分由傅里叶变换红外吸收谱标识.研究发现:衬底温度是立方BN薄膜...
关键词：立方氮化硼 射频溅射 衬底温度 压应力 
ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上射频溅射ZnO:Al薄膜的SEM研究
《Journal of Semiconductors》2005年第z1期49-51,共3页邵乐喜 刘小平 黄惠良 
广东省自然科学基金(批准号:31927),广东省科技(工业攻关)计划(批准号:2003C105005)和教育部留学回国人员科研启动基金(批准号:[2004]176)资助项目
结合ZnO薄膜在Cu-Ⅲ-Ⅵ2基薄膜太阳电池上的应用,采用射频磁控溅射技术以陶瓷ZnO:Al2O3为靶材在ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上于固定沉积条件下低温(200℃)制备了铝掺杂氧化锌(ZnO:Al)薄膜.运用扫描电子显微镜研究了底层材料特别是ZnS和...
关键词：铝掺杂氧化锌薄膜 射频溅射 扫描电镜 ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底 
宽带隙立方氮化硼薄膜制备被引量：6
《Journal of Semiconductors》2001年第1期66-68,共3页邓金祥 王波 严辉 陈光华 
国家自然科学基金! ( 6 9876 0 0 3;198740 0 7) ;北京市自然科学基金! ( 2 982 0 13) ;北京市科技新星计划和北京市科技骨干培养&&
报道了用偏压调制射频溅射方法制备宽带隙立方氮化硼 ( c- BN)薄膜的实验结果 .研究了衬底负偏压对制备c- BN薄膜的影响 .c- BN薄膜沉积在 p型 Si( 10 0 )衬底上 ,溅射靶为六角氮化硼 ( h- BN) ,工作气体为 Ar气和 N2 气混合而成 ,薄膜...
关键词：立方氮化硼 薄膜 射频溅射 宽带隙 
氩离子轰击对射频溅射法制备的a-SiC∶H膜退火形成6H-SiC的影响被引量：9
《Journal of Semiconductors》1998年第8期569-573,共5页王辉耀 王印月 宋青 王天民 
国家自然科学基金
本文对射频溅射法淀积的ａ－ＳｉＣ∶Ｈ膜热退火形成６Ｈ－ＳｉＣ相进行了研究．我们采用红外透射谱、喇曼背散射谱和Ｘ光衍射谱来研究退火形成６Ｈ－ＳｉＣ的过程．在较高的射频功率下淀积的ａ－ＳｉＣ∶Ｈ膜经８００℃６０分钟等时退...
关键词：硅化碳 氩离子轰击 退火 射频溅射法 
射频溅射CoMnNiO非晶薄膜中空穴的迁移率
《Journal of Semiconductors》1990年第10期786-789,共4页陶明德 谭辉 秦东 韩英 
国家自然科学基金
测量薄膜的热电动势,很容易确定薄膜中载流子的迁移率。本研究根据CoMnNiO非晶薄膜在200—350K温区的热电动势测量和直流电导,计算了薄膜中空穴的迁移率。结果表明,330K时,薄膜中空穴的迁移率为1.25cm^2v^(-1)(?)^(-1),且具有热激活性...
关键词：CoMnNio 非晶薄膜 热电动势 迁移率 
射频溅射CoMnNi氧化物薄膜结构研究被引量：4
《Journal of Semiconductors》1989年第7期497-502,共6页谭辉 陶明德 韩英 张寒 
国家自然科学基金
按一定原子比的CoMnNi氧化物混合体,经压片、高温烧结,制成具有尖晶石结构的靶.采用射频溅射,分别在单晶硅、玻璃和氧化铝陶瓷衬底上淀积生长的CoMnNi多成份氧化物薄膜,是一种理想的宽温区热敏材料.扫描电镜能谱和俄歇谱分析表明薄膜中C...
关键词：射频溅射 氧化物 薄膜 结构 
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