深槽刻蚀

作品数：21被引量：54H指数：5
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：李志栓张正元江洪敏郭涛刘俊更多>>
相关机构：电子科技大学北京大学杭州士兰集成电路有限公司兰州大学更多>>
相关期刊：《中国集成电路》《电子技术应用》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国科学院微电子研究所所长基金武器装备预研基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=微电子学x
共 条 记 录，以下是1-3
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
硅深槽ICP刻蚀中刻蚀条件对形貌的影响被引量：9
《微电子学》2009年第5期729-732,共4页吕垚 李宝霞 万里兮 
国家高技术研究发展(863)计划资助项目(2006AA01Z236)
以SF6/C2H4为刻蚀气体,使用Corial200IL感应耦合等离子体(ICP)刻蚀系统,进行Si等离子刻蚀技术研究。通过调节刻蚀气体SF6与侧壁钝化保护气体C2H4的流量比和绝对值等工艺参数,对深Si刻蚀的形貌以及侧壁钻蚀情况进行改善,使该设备能够满...
关键词：ICP 硅刻蚀 深槽刻蚀 刻蚀形貌 刻蚀速率 选择比 
用于MEMS的硅湿法深槽刻蚀技术研究被引量：12
《微电子学》2004年第5期519-521,共3页张正元 徐世六 刘玉奎 杨国渝 税国华 
国家"863"计划"MEMS重大专项B类项目"(2003AA404-02)资助。
　针对用于MEMS的硅湿法深槽刻蚀技术,对KOH腐蚀液的配方、掩蔽技术等关键技术进行了研究,获得了优化的KOH腐蚀条件;利用该技术,成功地刻蚀出深度高达315μm、保护区域完好的深槽。为硅基MEMS体加工获得微机械结构提供了一个好方法。
关键词：湿法腐蚀 深槽刻蚀 掩蔽 MEMS 微机械结构 
硅的深槽刻蚀技术研究被引量：7
《微电子学》2004年第1期45-47,共3页欧益宏 周明来 张正元 
　研究了采用等离子刻蚀机对硅进行深槽刻蚀中掩蔽层的选择及横向腐蚀的抑制等工艺问题。实验发现,以氟基气体作为工艺气体,铝或铝合金作为掩蔽层时,可以获得极高的选择比;通过增大射频功率,改变气体组分,气体流量等方法,可以较好地解...
关键词：硅 深槽刻蚀技术 等离子刻蚀机 掩蔽层 氟基气体 各向异性 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部