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哌嗪对硅衬底CMP速率影响的机理
《微纳电子技术》2025年第2期165-174,共10页刘文博 罗翀 王辰伟 岳泽昊 栾晓东 邵祥清 李瑾 
国家自然科学基金(62104087);中国博士后基金(2024M751207);河北工业大学创新研究院(石家庄)石家庄市科技合作专项基金(SJZZXB23003)。
为了在硅衬底化学机械抛光(CMP)过程中提高对硅片的去除速率,利用实验与密度泛函理论(DFT)计算相结合的方式研究了绿色环保添加剂哌嗪对硅片表面的作用机理。Zeta电位测试结果表明哌嗪的加入使磨料与抛光硅片表面的Zeta电位降低,二者间...
关键词：化学机械抛光(CMP) 硅衬底 哌嗪 去除速率 密度泛函理论(DFT)计算 
烷基糖苷对硅片化学机械抛光腐蚀缺陷的影响
《微纳电子技术》2024年第11期147-154,共8页杨啸 王辰伟 王雪洁 王海英 陈志博 杨云点 盛媛慧 
河北省自然科学基金(E2019202367)。
针对化学机械抛光(CMP)后硅片表面出现腐蚀缺陷的问题,研究了烷基糖苷(APG)对硅片表面腐蚀缺陷的影响。结果表明APG对硅片的抛光速率和静态腐蚀速率都有抑制效果,当APG质量浓度为0.8 mg/L时能获得较快的抛光速率(836 nm/min)、较低的静...
关键词：化学机械抛光(CMP) 硅片 腐蚀缺陷 烷基糖苷(APG) 去除速率 
E1310P和FMEE复配对铜膜CMP性能的影响被引量：1
《微纳电子技术》2024年第4期187-195,共9页孙纪元 周建伟 罗翀 田雨暄 李丁杰 杨云点 盛媛慧 
国家自然科学基金(62074049)。
针对化学机械抛光(CMP)中传统唑类缓蚀剂毒性强、成本高,在表面形成坚硬钝化膜难以去除等问题,在甘氨酸-双氧水体系下,使用阴离子表面活性剂聚氧乙烯醚磷酸酯(E1310P)和非离子表面活性剂脂肪酸甲酯乙氧基化物(FMEE)复配替代传统唑类缓...
关键词：化学机械抛光(CMP) 去除速率 协同吸附 表面质量 密度泛函理论(DFT) 
半导体材料CMP过程中磨料的研究进展被引量：4
《微纳电子技术》2024年第1期21-34,共14页何潮 牛新环 刘江皓 占妮 邹毅达 董常鑫 李鑫杰 
国家02科技重大专项(2016ZX02301003-004-007);国家自然科学基金(62074049);河北省自然科学基金(F2021202009)。
对磨料在半导体材料化学机械抛光(CMP)中的应用和研究进展进行了简单阐述,从各代半导体材料制成半导体器件的加工要求介绍了磨料在半导体材料CMP中的重要性,从CMP过程中磨料与半导体材料的相互作用介绍了磨料在半导体材料CMP中的环保性...
关键词：化学机械抛光(CMP) 抛光性能 磨料 去除速率 表面质量 
ATMP对晶圆中TSV结构Ta基阻挡层的Ta和Cu去除速率选择比的影响
《微纳电子技术》2023年第10期1677-1683,共7页董延伟 王如 郑涛 石芸慧 刘彬 王帅 
河北省自然科学基金青年项目(E2021202018)。
为了提高晶圆中硅通孔(TSV)阻挡层材料化学机械抛光(CMP)中Ta和Cu的去除速率选择比,在工作压力为3 psi(1 psi=6895 Pa)、抛光头转速为87 r/min、抛光盘转速为93 r/min、抛光液体积流量为300 m L/min的条件下,研究了氨基三甲叉膦酸(ATMP...
关键词：化学机械抛光(CMP) 硅通孔(TSV) 氨基三甲叉膦酸(ATMP) 阻挡层 去除速率 
基于正交实验法的Cu/Ta/TEOS碱性抛光液的优化被引量：5
《微纳电子技术》2019年第2期157-166,共10页徐奕 刘玉岭 王辰伟 马腾达 
国家中长期科技发展规划重大专项资助项目(2009ZX02308);河北省自然科学基金青年基金资助项目(F2015202267);天津市自然科学基金资助项目(16JCYBJC16100);河北工业大学优秀青年科技创新基金资助项目(2015007)
研究了碱性阻挡层抛光液中各组分对Cu、Ta和正硅酸乙酯(TEOS)去除速率的影响。通过单因素实验分别考察了磨料、FA/OⅡ螯合剂、KNO3和FA/OⅡ表面活性剂质量分数和H2O2体积分数对Cu、Ta和TEOS去除速率的影响,再结合正交实验研发了磨料质...
关键词：Cu/Ta/TEOS 去除速率 碱性阻挡层 抛光液 单因素实验 正交试验 
新型阻挡层材料钌的研究进展被引量：5
《微纳电子技术》2018年第12期863-869,共7页王子艳 周建伟 张佳洁 王庆伟 王辰伟 
国家中长期科技发展规划02科技专项(2009ZX02308)
随着集成电路特征尺寸不断缩小到14 nm及以下,钌凭借其低的电阻率、对铜高的依附性而被考虑替代传统阻挡层材料Ta/TaN。但是,钌作为阻挡层材料依然存在很多问题,如低去除速率、容易引起铜的界面腐蚀、铜钌去除的不均匀性。针对以上问题...
关键词：钌(Ru) 化学机械抛光(CMP) 去除速率 电偶腐蚀 去除速率选择性 
双氧水稳定剂对碱性铜膜抛光液稳定性的影响被引量：1
《微纳电子技术》2018年第11期840-843,854,共5页王建超 刘玉岭 牛新环 张凯 
国家自然科学基金资助项目(61504037);国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308);河北省青年自然科学基金资助项目(F2015202267);河北省研究生创新资助项目(220056)
化学机械抛光（CMP）是多层铜布线的关键技术之一。随着集成电路的发展,碱性抛光液将逐渐成为研究热点。而双氧水作为抛光液中最常用的氧化剂,其最大问题是导致抛光液不稳定。在此基础上研究了双氧水稳定剂（聚天冬氨酸钾（PASP））对...
关键词：铜 化学机械抛光(CMP) 双氧水 稳定剂 去除速率 
高碘酸钾和双氧水对Cu,Ru和TaN去除速率影响的对比被引量：2
《微纳电子技术》2018年第11期849-854,共6页王庆伟 周建伟 王辰伟 王子艳 张佳洁 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2009ZX02308)
Ru/TaN双分子层已经逐渐成为替代传统双分子阻挡层Ta/TaN的最佳选择,而在不同氧化体系中针对Cu,Ru和TaN三种金属去除速率的研究并不多。分别在H_2O_2和KIO_4两种氧化体系中,通过化学机械抛光（CMP）和电化学研究了Cu,Ru和TaN的去除速率...
关键词：钌(Ru) 氮化钽(TaN) 化学机械抛光(CMP) 双氧水 去除速率 
无氧化剂条件下铜钴CMP去除速率的控制被引量：2
《微纳电子技术》2018年第1期57-62,共6页张文倩 刘玉岭 王辰伟 牛新环 杜义琛 季军 韩丽楠 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);河北省青年自然科学基金资助项目(F2015202267);天津市自然科学基金资助项目(16JCYBJC16100);河北省研究生创新资助项目(220056)
利用不含氧化剂的碱性抛光液对铜和钴进行化学机械抛光,深入分析了抛光液组分包括硅溶胶磨料、FA/O螯合剂以及非离子表面活性剂对两种金属去除速率的影响规律及作用机理。实验结果表明,铜和钴的去除速率随着磨料质量分数的增加而升高,...
关键词：阻挡层 化学机械抛光(CMP) 钴 去除速率 碱性抛光液 表面粗糙度 
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