热载流子注入

作品数：42被引量：44H指数：4
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：章晓文恩云飞唐逸任铮禹玥昀更多>>
相关机构：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司信息产业部电子第五研究所中芯国际集成电路制造(北京)有限公司长江存储科技有限责任公司更多>>
相关期刊：《集成电路应用》《合肥工业大学学报（自然科学版）》《电子器件》《物联网技术》更多>>
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高压单边器件的衬底电流再次升高和相关的热载流子注入效应被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第4期757-764,共8页戴明志 刘韶华 程波 李虹 叶景良 王俊 江柳 廖宽仰 
基于泊松方程和幸运电子模型,推出了适用于高压n型器件衬底电流(ISUB)的公式,并且为模拟和实验测量的结果所验证.普通n型低压器件的热载流子注入(HCI)效应和ISUB相关.因此,ISUB特征曲线的解释理论和基于理论的正确公式表述对于确保器件...
关键词：衬底电流 双强电场模型 衬底电流公式 热载流子注入 
深亚微米pMOS器件的HCI和NBTI耦合效应与物理机制被引量：2
《Journal of Semiconductors》2005年第9期1813-1817,共5页刘红侠 郝跃 
国家自然科学基金(批准号:60206006);教育部重点科技研究(批准号:104172);国防重大预研基金(批准号:41308060305);博士后基金(批准号:Q6312573)资助项目~~
研究了深亚微米pMOS器件的热载流子注入(hot-carrier injection,HCI)和负偏压温度不稳定效应(negative bias temperature instability,NBTI)的耦合效应和物理机制.器件在室温下的损伤特性由HCI效应来控制.高温条件下,器件受到HCI和NBTI...
关键词：深亚微米pMOS器件 热载流子注入 负偏压温度不稳定性 界面态 氧化层固定正电荷 
pMOS器件的热载流子注入和负偏压温度耦合效应
《Journal of Semiconductors》2005年第5期1005-1009,共5页刘红侠 郝跃 
国家自然科学基金(批准号:60206006);博士后基金(批准号:Q6312573)资助项目~~
研究了在热载流子注入HCI(hot-carrier injection)和负偏温NBT(negative bias temperature)两种偏置条件下pMOS器件的可靠性.测量了pMOS器件应力前后的电流电压特性和典型的器件参数漂移,并与单独HCI和NBT应力下的特性进行了对比.在这...
关键词：PMOS器件 热载流子注入 负偏压温度不稳定性 界面态 氧化层固定正电荷 
77K　NMOSFET沟道热载流子注入效应
《Journal of Semiconductors》1995年第11期849-853,共5页刘卫东 李志坚 刘理天 魏同立 
国家自然科学基金
通过综合测试７７Ｋ和２９５Ｋ下先电子后空穴以及先空穴后电子注入时阈值电压和平带电压漂移以及Ｉ－Ｖ特性的蜕变，研究了ＮＭＯＳＦＥＴ中电荷俘获、界面态产生以及器件蜕变的低温特性和机制．提出的界面蜕变模型成功地解释了低温下...
关键词：NMOSFET 热载流子注入 蜕变 电子注入 
漏雪崩应力下热载流子注入引起的MOSFET退变特性研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1993年第12期723-727,共5页程玉华 李瑞伟 李志坚 
本文对亚微米MOSFET在漏雪崩恒流应力(DAS)条件下热载流子注入引起的退变现象做了实验研究。实验结果表明:在一般的恒流应力条件下,栅氧化层中由空穴注入形成的空穴陷阱电荷对器件特性起主要影响作用。恒流应力过程中,任何附加的电子注...
关键词：场效应晶体管 雪崩 载流子注入 
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