云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 电子束蒸发

电子束蒸发: 作品数：382被引量：891H指数：11; 导出分析报告; 相关领域：理学电子电信更多>>; 相关作者：邵建达范正修廖志君伍登学付学成更多>>; 相关机构：中国科学院电子科技大学中国科学院上海光学精密机械研究所长春理工大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>

O_2分压和退火对TiO_2/SiO_2纳米多层膜结构和光学性能的影响被引量：3: 《光电子．激光》2012年第12期2355-2361,共7页张瑞奇董磊李德军刘孟寅; 天津师范大学实验室改革研究基金(B201107)资助项目; 利用Mass软件设计了TiO2/SiO2纳米多层光学增透膜膜系,并采用高真空电子束蒸发系统在不同O2分压条件下制备了TiO2/SiO2纳米多层膜,TiO2/SiO2薄膜多层膜体系在沉积条件下获得了很好的宽光谱光学透射性能,在可见光谱范围内透射率接近设计...; 关键词：O2分压 TIO2 SiO2纳米多层光学增透膜电子束蒸发透射率

IWO缓冲层对MOCVD-ZnO：B薄膜性能的影响研究: 《光电子．激光》2012年第4期697-702,共6页闫聪博陈新亮陈雪莲孙建张德坤魏长春张晓丹赵颖耿新华; 国家“973”重点基础研究(2011CBA00705,2011CBA00706,2011CBA00707);国家高技术研究发展计划(2009AA050602);科技部国际合作项目(2009DFA62580);天津市应用基础及前沿技术研究计划(09JCYBJC06900);中央高校基本科研业务费专项资金(65010341)资助项目; 金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长的绒面ZnO透明导电(ZnO-TCO)薄膜应用于Si基薄膜太阳电池上能够形成"陷光结构",以提高薄膜太阳电池效率和稳定性。本文将电子束反应蒸发技术生长的掺W的In2O3(In2O3:W,(IWO)薄膜作为缓冲层,应用于MO...; 关键词：MOCVD ZnO:B薄膜透明导电氧化物(TCO) 薄膜太阳电池电子束蒸发掺W的In2O3(In2O3:W IWO)薄膜绒度

退火温度对ZnO掺杂ITO薄膜性能的影响被引量：4: 《光电子．激光》2012年第3期512-517,共6页闫其昂石培培严启荣牛巧利章勇; 国家自然科学基金(10904042);教育部留学回国人员科研启动基金(20091001);广东省自然科学基金(8521063101000007)资助项目; 利用电子束蒸镀方法,在K8玻璃衬底上沉积ZnO掺杂ITO(ZnO-ITO)与ITO薄膜。研究不同退火温度对ZnO-ITO薄膜的微观结构的影响;对比分析了在不同退火温度条件下,ZnO-ITO和无掺杂ITO薄膜的光电性能。结果发现,ZnO-ITO薄膜具有较大的晶粒尺寸...; 关键词：ZnO掺杂ITO(ZnO-ITO)薄膜电子束蒸发退火温度

低压高温退火对Ag掺杂ZnO薄膜性质的影响被引量：9: 《光电子．激光》2011年第4期545-549,共5页彭福川吕佩伟林林林丽梅瞿燕赖发春; 国家自然科学基金资助项目(11074041);福建省自然基金资助项目(2007J0317);福建省教育厅基金资助项目(JA08048;JB08065); 采用电子束蒸发在n-Si(100)衬底上沉积Ag掺ZnO(ZnO:Ag)薄膜,随后在200 Pa的O2气氛下分别在500、600、700和800℃退火4 h。用X射线衍射(XRD)仪、荧光光谱仪以及Van der Pauw方法测量ZnO:Ag薄膜的结构和光电学性质。结果表明,ZnO:Ag薄膜...; 关键词：Ag掺ZnO(ZnO:Ag)薄膜电子束蒸发退火光致发光(PL)

氧分压对电子束蒸发TiO_2薄膜残余应力的影响被引量：6: 《光电子．激光》2009年第5期642-644,共3页郝殿中王庆宋连科; 山东省教育厅资助项目(J05C04); 采用电子束蒸发法制备了单层TiO2薄膜,控制O2流量从10mL/min以步长10mL/min递增至50mL/min(标况下)。利用ZYGO干涉仪测量基片镀膜前后的面型变化;采用Stoney公式计算出残余应力,分析了不同O2压下残余应力的变化。在本实验条件下,TiO2薄...; 关键词：TIO2薄膜残余应力 O2分压电子束蒸发

基片温度对电子束蒸发的ZnS薄膜性能的影响被引量：10: 《光电子．激光》2009年第3期355-358,共4页黄红梁程树英黄碧华; 教育部留学回国人员科研启动基金资助项目(LXKQ0801);福建省科技厅重点资助项目(2008I0019);福建省教育厅资助项目(JB08012); 采用电子束蒸发在不同基片温度下沉积ZnS薄膜,研究了基片温度对薄膜性能的影响。结果表明:不同基片温度下沉积的ZnS薄膜均呈多晶状态,为体心立方(闪锌矿)结构的β-ZnS,并具有明显的(111)面择优取向,导电类型为n型。随着成膜时基片温度...; 关键词：ZNS薄膜性能电子束蒸发基片温度

YAGG：Tb，Gd荧光薄膜及其发光性能的研究被引量：3: 《光电子．激光》2008年第5期636-639,643,共5页张晓松董孝义李岚张艳芳李江勇董冬青; 国家“973”计划资助项目(2003CB314906);天津市自然科学基金资助项目(07JCYBJC06400); 用电子束蒸发方法在ITO基片上生长YAGG:Tb,Gd荧光薄膜,并经不同条件下退火处理。分别用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、光致发光谱,表征YAGG:Tb,Gd荧光薄膜的结构、成分、形貌、发光性能。实验表明随着温度的升高,薄膜的...; 关键词：YAGG:Tb GD 荧光薄膜电子束蒸发退火处理

电子束蒸发非晶硅光学薄膜工艺研究被引量：8: 《光电子．激光》2006年第8期905-908,共4页舒雄文徐晨田增霞罗丹沈光地; 国家"973"基金资助项目(G200068302);北京市科委基金资助项目(D0404003040221);北京市教委基金资助项目(KM200310005009); 研究了沉积时真空室真空度、基片温度和沉积速率对常用电子束蒸发非晶硅（a-Si）光学薄膜的折射率和消光系数的影响。结果表明，在300～1100nm的波长范围内，真空室真空度、基片温度和沉积速率越高，则所得a-Si薄膜折射率越高，消光系...; 关键词：非晶硅(a—Si) 光谱椭偏仪折射率消光系数半导体激光器

ZnS:Zn,Pb薄膜的制备及其发光性能研究被引量：8: 《光电子．激光》2005年第9期1040-1044,共5页张晓松李岚陶怡徐征邹开顺; 天津市自然科学基金资助项目(013615211);天津理工学院科技发展基金资助项目(Lg04032);天津市重点学科资助项目; 用电子束蒸发的方法制备了ZnS:Zn,Pb荧光薄膜,分别经400℃、600℃退火处理。采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)谱等,表征了ZnS:Zn,Pb荧光薄膜的结构、成分、形貌和发光性能。实验表明,随着...; 关键词：ZnS:Zn Pb薄膜电子束蒸发场发射显示器(FED) 退火处理

Y_2O_3∶Eu薄膜的制备及其发光性能研究被引量：3: 《光电子．激光》2004年第5期549-553,共5页张晓松李岚邹开顺陶怡; 天津市自然科学基金资助项目(013615211);天津市教委资助项目(01 20114);天津市"材料物理与化学"重点学科资助项目; 用电子束蒸发方法在ITO基片上生长Y2O3∶Eu荧光薄膜,并在不同条件下退火处理。分别用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(KPS)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)谱表征Y2O3∶Eu荧光薄膜的结构、成分、形貌和发光性能。实验表明:随着温...; 关键词：Y2O3:Eu薄膜电子束蒸发场发射显示器 FED 退火处理发光性能

电子束蒸发