总剂量辐射效应

作品数：54被引量：113H指数：5
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相关作者：张正选郭旗李豫东崔江维陈明更多>>
相关机构：中国科学院中国科学院大学中国科学院新疆理化技术研究所电子科技大学更多>>
相关期刊：《微电子学与计算机》《核电子学与探测技术》《红外与激光工程》《固体电子学研究与进展》更多>>
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22 nm体硅nFinFET总剂量辐射效应研究被引量：2
《微电子学》2022年第6期1076-1080,共5页崔旭 崔江维 郑齐文 魏莹 李豫东 郭旗 
中国科学院青年创新促进会资助项目(2018473);中国科学院西部之光资助项目(2019-XBQNXZ-A-003);国家自然科学基金资助项目(11805268,12075313);新疆维吾尔自治区自然科学基金资助项目(2021D01E06)
通过^(60)Coγ射线辐照试验,研究了22 nm工艺体硅nFinFET的总剂量辐射效应,获得了总剂量辐射损伤随辐照偏置和器件结构的变化规律及损伤机理。研究结果表明,经过开态(ON)偏置辐照后器件阈值电压正向漂移,而传输态(TG)和关态(OFF)偏置辐...
关键词：体硅nFinFET 总剂量辐射效应 辐照偏置 
总剂量辐射中偏压对功率管的影响研究被引量：3
《微电子学》2019年第6期842-846,共5页周枭 罗萍 凌荣勋 吴昱操 蒋鹏凯 
国家自然科学基金联合基金(NSAF)资助项目(U1630117)
基于漂移扩散方程的理论模型,研究了总剂量辐射效应与偏压条件的关系,逐个分析了功率管中常用偏压条件对总剂量效应的影响。根据辐照过程中SiO2内部和Si-SiO2界面处感生的陷阱电荷的积累情况,推测出较恶劣的偏压条件。将40 V耐压的NLDMO...
关键词：总剂量辐射效应 偏压 MOS功率管 退化 
不同偏置条件下CMOS SRAM的总剂量辐射效应被引量：4
《微电子学》2011年第1期128-132,共5页李茂顺 余学峰 任迪远 郭旗 李豫东 高博 崔江维 兰博 费武雄 陈睿 赵云 
对1 Mb静态随机存取存储器(SRAM)进行了不同偏置条件下的总剂量辐照效应研究。结果表明,试验选取的CMOS SRAM器件为总剂量辐射敏感器件,辐照偏置条件对器件的电参数退化和功能失效有较大影响。在三种偏置条件中,静态加电为最劣偏置,其...
关键词：静态随机存取存储器 总剂量辐照 偏置条件 
偏置条件对NMOS器件X射线总剂量效应的影响被引量：5
《微电子学》2008年第2期166-169,173,共5页何玉娟 恩云飞 师谦 罗宏伟 章晓文 李斌 刘远 
国家重点实验室基金资助项目(9140C030604070C0304);国家重点实验室基金资助项目(9140C030601060C0302)
采用10 keV X射线,对NMOSFET在不同偏置条件下进行总剂量辐射,分析了辐照前后辐射感生的氧化物陷阱电荷与界面态电荷对MOS器件阈值电压的影响以及辐射导致漏电现象。实验结果表明,对于NMOSFET,On偏置条件是最劣偏置条件,Off偏置条件是...
关键词：X射线 总剂量辐射效应 辐射偏置 中带电压法 
总剂量辐射效应中的辐射源及剂量测量被引量：2
《微电子学》2001年第3期168-172,共5页王桂珍 姜景和 张正选 龚建成 
介绍了电子元器件与电路总剂量辐射效应中可能遇到的各种辐射源及吸收剂量测量问题。辐射环境包括空间辐射环境、核爆炸辐射环境及总剂量加固实验中用到的模拟辐射源 ,给出了一些基本的参数 ,为进行不同辐射源总剂量效应异同性研究及用...
关键词：辐射剂量学 辐射加固 总剂量效应 热释光剂量仪 剂量增强效应 
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