总剂量效应

作品数：278被引量：571H指数：10
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锗硅异质结双极晶体管空间辐射效应研究进展被引量：5
《太赫兹科学与电子信息学报》2022年第6期523-534,共12页李培 贺朝会 郭红霞 张晋新 魏佳男 刘默寒 
国家自然科学基金资助项目(12005159);强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室开放课题资助项目(SKLIPR2010)。
异质结带隙渐变使锗硅异质结双极晶体管(SiGeHBT)具有良好的温度特性,可承受-180~+200℃的极端温度,在空间极端环境领域具有诱人的应用前景。然而,SiGeHBT器件由于材料和工艺结构的新特征,其空间辐射效应表现出不同于体硅器件的复杂特...
关键词：锗硅异质结双极晶体管 单粒子效应 总剂量效应 低剂量率辐射损伤增强效应 电离总剂量/单粒子效应协同效应 电离总剂量/位移损伤协同效应 
CMOS图像传感器辐照损伤效应仿真模拟研究进展被引量：2
《半导体光电》2022年第5期839-847,共9页王祖军 赖善坤 杨勰 贾同轩 黄港 聂栩 
国家自然科学基金项目(U2167208,11875223);国家重点实验室基金项目(SKLIPR1803,SKLIPR2012,SKLIPR2113)。
CMOS图像传感器(CIS)工作在空间辐射或核辐射环境中遭受的辐照损伤问题备受关注。对CIS辐照损伤效应进行仿真模拟研究有助于深入揭示辐照损伤机理,进而开展抗辐射加固设计,有效提升CIS抗辐照能力。文章通过梳理国内外开展CIS辐照损伤效...
关键词：CMOS图像传感器 辐照损伤 总剂量效应 位移效应 
半导体激光器辐照损伤效应实验研究进展被引量：6
《半导体光电》2020年第2期151-158,共8页王祖军 宁浩 薛院院 徐瑞 焦仟丽 刘敏波 姚志斌 马武英 盛江坤 董观涛 
国家自然科学基金项目(11875223,11805155);中国科学院战略性先导科技专项项目(XDA15015000);国家重点实验室基金项目(SKLIPR1803,1903Z);抗辐照应用技术创新基金项目(KFZC2018040201).
半导体激光器(LD)工作在空间辐射或核辐射环境中时,会受到辐照损伤的影响而导致器件性能退化。文章回顾了不同时期研制的LD(从早期的GaAs LD到量子阱LD和量子点LD)在辐照效应实验方面的研究进展,梳理了国际上开展不同辐射粒子或射线(质...
关键词：半导体激光器 辐照损伤 总剂量效应 位移效应 阈值电流 斜率效率 
CMOS图像传感器总剂量辐照效应及加固技术研究进展被引量：14
《半导体光电》2017年第1期1-7,共7页王祖军 刘静 薛院院 何宝平 姚志斌 盛江坤 
国家自然科学基金项目(11305126;11235008);国家重点实验室基金项目(SKLIPR1211)
CMOS图像传感器(CIS)在空间辐射或核辐射环境中应用时,均会受到总剂量辐照损伤的影响,严重时甚至导致器件功能失效。文章从微米、超深亚微米到纳米尺度的不同CIS生产工艺、从3TPD(Photodiode)到4TPPD(Pinned Photodiode)的不同CIS像元...
关键词：CMOS图像传感器 总剂量效应 辐照损伤 抗辐射加固技术 
CCD空间环境辐射效应地面模拟试验方法被引量：4
《现代应用物理》2016年第4期30-36,共7页王祖军 薛院院 刘敏波 唐本奇 何宝平 姚志斌 盛江坤 马武英 
国家自然科学基金资助项目(11035126);国家重点实验室基金资助项目(SKLIPR1211)
针对星用电荷耦合器件(charge coupled device,CCD)在空间环境中遭受的辐射损伤效应,建立了CCD空间环境辐射效应地面模拟试验方法。从辐射模拟源、试验流程、最劣辐照偏置条件、不同能量质子位移损伤等效、质子和中子位移损伤等效等方面...
关键词：CCD 空间辐射效应 总剂量效应 位移效应 单粒子瞬态效应 地面模拟试验方法 
CMOS有源像素图像传感器的辐照损伤效应被引量：23
《半导体光电》2014年第6期945-950,982,共7页王祖军 林东生 刘敏波 黄绍艳 肖志刚 
国家自然科学基金项目(11305126;11235008);国家重点实验室基金项目(SKLIPR1211)
互补金属氧化物半导体(CMOS)有源像素(APS)图像传感器作为光电成像系统的核心器件,被广泛应用在空间辐射或核辐射环境中,辐照损伤是导致其性能退化,甚至功能失效的主要原因之一。阐述了不同辐射粒子或射线辐照损伤诱发CMOS APS图像传感...
关键词：CMOS APS 位移效应 总剂量效应 单粒子效应 
偏置条件对NMOS器件X射线总剂量效应的影响被引量：5
《微电子学》2008年第2期166-169,173,共5页何玉娟 恩云飞 师谦 罗宏伟 章晓文 李斌 刘远 
国家重点实验室基金资助项目(9140C030604070C0304);国家重点实验室基金资助项目(9140C030601060C0302)
采用10 keV X射线,对NMOSFET在不同偏置条件下进行总剂量辐射,分析了辐照前后辐射感生的氧化物陷阱电荷与界面态电荷对MOS器件阈值电压的影响以及辐射导致漏电现象。实验结果表明,对于NMOSFET,On偏置条件是最劣偏置条件,Off偏置条件是...
关键词：X射线 总剂量辐射效应 辐射偏置 中带电压法 
SOI MOSFET抗辐射加固的常用方法与新结构被引量：9
《半导体技术》2008年第3期223-226,共4页何玉娟 刘洁 恩云飞 罗宏伟 师谦 
国家重点实验室基金项目(9140C030604070C0304);国家基础科研项目(A0626270)
SOI CMOS技术存在许多优势,但由于存在厚的埋氧层,其总剂量效应反而比体Si器件更差,因此需进行总剂量抗辐射加固设计。对几种SOI MOSFET的栅氧、埋氧和场氧总剂量抗辐射加固的方法进行了对比较分析,指出了各自的优劣势,给出了研究方向...
关键词：SOI 总剂量效应 FLEXFET G^4-FET 
动态偏置频率对X射线总剂量效应的影响被引量：2
《核技术》2008年第1期19-22,共4页何玉娟 师谦 罗宏伟 恩云飞 章晓文 李斌 刘远 
国家十一五预研项目(51323060401);国家重点实验室基金项目(9140C030604070C0304)资助
辐射偏置条件是影响MOSFET(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor),总剂量辐射效应的主要因素之一,因为辐射时栅氧化层中电荷的产生、传输与俘获都与辐射偏置有关。本文采用10 keV X射线对MOSFET在不同频率的动态偏置条件下进...
关键词：X射线 总剂量辐射 辐射偏置 频率 
总剂量效应模拟试验中的模拟源比较被引量：2
《真空与低温》2007年第4期202-208,共7页杨生胜 王云飞 冯展祖 王健 
国家重点实验室基金项目(9140C5503030703)
分析了模拟试验中各种辐射源对试验样品的影响,从理论上分析了在总剂量辐照试验中不同模拟源的差异,对辐照模拟源的选取给出了选择的建议。
关键词：模拟试验 模拟源 等效性 
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