微波集成电路

作品数：549被引量：637H指数：8
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一种X波段150W紧凑型功率放大器MMIC
《半导体技术》2024年第7期642-647,共6页杨卅男 李通 蔡道民 
基于0.35μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺平台设计了一款功率放大器单片微波集成电路(MMIC),采用双场板将HEMT的击穿电压提升至200 V;借助热电联合设计,优化HEMT的栅栅间距和末级HEMT布局,器件热阻降至0.55℃/W;输出匹配融合了功...
关键词：紧凑型 X波段 功率放大器 功率附加效率 热阻 单片微波集成电路(MMIC) 
一种V波段高效率5W GaN功率放大器MMIC
《半导体技术》2024年第4期360-364,共5页高哲 范一萌 万悦 
基于0.13μm SiC基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,设计了一款V波段GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该功率放大器MMIC采用三级放大拓扑结构以满足增益需求;使用高低阻抗微带传输线进行阻抗匹配,通过威尔金森功分器/合成器完成...
关键词：V波段 功率放大器 单片微波集成电路(MMIC) 高效率 功率合成 
GaN功率放大器MMIC的近结区热阻解析模型
《半导体技术》2024年第4期380-387,共8页郜佳佳 游恒果 李静强 舒国富 
GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)的热积累问题是制约其进一步高度集成和大功率化应用的主要技术瓶颈,针对该散热问题,提出了GaN功率放大器MMIC的近结区热阻解析模型。在简单多层叠加的热阻解析模型的基础上,细化至芯片的近结区域,...
关键词：GaN功率放大器 单片微波集成电路(MMIC) 近结区 热阻解析模型 红外热成像 热特性 
X波段平衡式限幅低噪声放大器MMIC
《半导体技术》2023年第9期805-811,共7页李远鹏 魏洪涛 刘会东 
为满足接收机的小型化需求,基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款用于8~12 GHz的平衡式限幅低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。将Lange电桥、限幅器、LNA集成在同一衬底上,Lange电桥采用异形设计,芯片比传统尺...
关键词：赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 限幅器 低噪声放大器(LNA) 单片微波集成电路(MMIC) 负反馈 
2~6GHz高性能开关滤波器组MMIC
《半导体技术》2023年第8期706-712,共7页李远鹏 陈长友 刘会东 
基于0.25μm GaAs E/D赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款2~6 GHz开关滤波器组单片微波集成电路(MMIC)芯片。片上集成了8路带通滤波器、输入、输出单刀八掷(SP8T)开关、3-8译码器和驱动器。通过输入、输出SP8T开关进行通道选...
关键词：赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 单片微波集成电路(MMIC) 带通滤波器 低通滤波器 单刀八掷(SP8T)开关 3-8译码器 驱动器 
Q波段高线性高效率GaN功率放大器MMIC被引量：1
《半导体技术》2023年第7期600-604,616,共6页邬佳晟 蔡道民 高学邦 陈晓宇 
重大科技成果转化专项(222802027)。
针对卫星通信和5G毫米波通信应用,基于深亚微米GaN工艺,开发了一款高功率、高线性和高效率的功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。根据器件的最大增益和负载牵引特性确定末级晶体管的总栅宽;根据增益要求采用4级放大器级联,前级、次前级...
关键词：Q波段 线性度 功率放大器 谐波调谐 预失真 单片微波集成电路(MMIC) 
用于毫米波相控阵的U波段10W GaN功率放大器MMIC被引量：1
《半导体技术》2023年第7期605-610,共6页柯鸣岗 阮文州 夏侯海 杨卅男 
基于0.15μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款U波段10 W功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该功率放大器MMIC使用的GaN HEMT漏源击穿电压高达90 V,在28 V的漏源电压下,器件功率密度达到5 W/mm。电路级间引入增益补偿网络(G...
关键词：功率放大器 GAN U波段 增益补偿网络(GCN) 功率合成 单片微波集成电路(MMIC) 
Ka波段40W功率放大器MMIC的设计和实现
《半导体技术》2023年第5期403-407,共5页王彪 王生国 刘帅 李静强 付兴中 许春良 
采用0.15μm栅长GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款Ka波段大功率、高效率功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。电路采用三级放大结构,在输入、输出端采用Lange耦合器进行功率分配和合成,输入匹配网络加入RC稳定结构以提升电路...
关键词：功率放大器(PA) KA波段 GAN 单片微波集成电路(MMIC) 大功率 高效率 
DC~70 GHz GaAs超宽带放大器MMIC
《半导体技术》2023年第4期318-323,共6页冯晓冬 何美林 冯彬 柳林 刘亚男 
基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺研制了一款DC~70 GHz超宽带放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用6级共源共栅结构,拓展了超宽带放大器MMIC的带宽,提高了其增益。在共源共栅PHEMT之间引入一条调谐微带线作为调谐电感,...
关键词：GAAS 单片微波集成电路(MMIC) 超宽带(UWB) 放大器 共源共栅 
低成本Si基GaN微电子学的新进展(续)
《半导体技术》2023年第3期177-189,共13页李永 赵正平 
进入21世纪后,宽禁带半导体GaN微电子学发展迅速,SiC基GaN微电子学已成为微波电子学的发展主流,且正在向更高频率和更高功率密度的新一代GaN微波功率器件发展。为了降低成本,Si基GaN微电子学应运而生,在5G通信、电动汽车等绿色能源应用...
关键词：Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 单片微波集成电路(MMIC) E模功率GaN HEMT 可靠性 GaN功率变换器 高频开关应用 
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