离子束增强沉积

作品数：103被引量：247H指数：8
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相关领域：金属学及工艺电子电信更多>>
相关作者：袁宁一柳襄怀李金华刘道新唐宾更多>>
相关机构：中国科学院中国科学院上海冶金研究所西北工业大学江苏工业学院更多>>
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表面复合强化处理后Ti17钛合金的显微组织和耐磨性能
《机械工程材料》2015年第12期17-21,共5页王少鹏 乔生儒 张程煜 
国家重点基础研究发展计划项目(2012CB625100)
分别以硅青铜和YG-8合金为电极进行瞬态电能表面强化结合离子束增强沉积硅青铜对Ti17钛合金进行表面复合强化,研究了电极材料对其组织和耐磨性能的影响。结果表明:Ti17钛合金表面复合强化层由瞬态电能强化层和铜沉积层组成,铜沉积层组...
关键词：复合强化层 耐磨性 瞬态电能 离子束增强沉积 
离子束增强沉积碳膜及其在抑制电子发射中的应用被引量：3
《核技术》2004年第5期334-343,共10页柳襄怀 朱宏 任琮欣 郑志宏 徐静芳 陈树德 
国家重点基础研究发展计划(973 计划) 资助项目(G2000067207-2)
栅电子发射是影响行波管工作性能和制约其使用寿命的主要因素。国内研制的导弹雷达制导用行波管因存在严重的栅电子发射现象,寿命只有70h,不能付诸军事应用。采用离子束增强沉积的方法在栅网表面沉积一层碳膜后,可有效地抑制栅电子发射...
关键词：离子束增强沉积 碳膜 抑制电子发射 
AlN薄膜室温直接键合技术被引量：4
《Journal of Semiconductors》2003年第2期216-220,共5页门传玲 徐政 安正华 吴雁军 林成鲁 
国家重点基础研究专项经费 (No.G2 0 0 0 0 3 65 );国家自然科学基金 (批准号 :699760 3 4和 90 10 10 12 )资助项目~~
采用离子束增强沉积技术在 10 0 mm硅片上制备大面积均匀 Al N薄膜 ,原子力显微镜 (AFM)显示其表面平整光滑 ,均方根粗糙度 (RMS)为 0 .13nm ,满足直接键合的需要 .同时 ,采用智能剥离技术成功实现了室温下 Al N与注氢硅片的直接键合 ,...
关键词：直接键合 A1N薄膜 智能剥离 绝缘层上硅 离子束增强沉积 
制备AlN薄膜为绝缘埋层的新型SOI材料被引量：2
《功能材料与器件学报》2002年第4期331-334,共4页门传玲 徐政 安正华 张苗 林成鲁 
国家重点基础研究专项经费G20000365;国家自然科学基金(No.69976034;No.90101012)
采用离子束增强技术(IBED)在100mm硅片上合成了AlN薄膜。以速率0.05nm/s蒸发高纯Al得到AlN样品,XPS结果证实了成功合成了AlN薄膜,其N/Al比为0.618:1,扩展电阻结果表明其绝缘性能良好,原子力显微镜(AFM)显示其表面平整光滑,均方根粗糙...
关键词：制备 绝缘埋层 ALN薄膜 键合 SOI 离子束增强沉积 氮化铝 
离子束增强沉积AlN薄膜的研究被引量：3
《压电与声光》2001年第5期366-369,共4页门传玲 徐政 郑志宏 多新中 张苗 林成鲁 
国家重点基础研究专项基金资助项目( G2 0 0 0 0 36 5 );国家自然科学基金资助项目 ( 6 9976 0 34)
利用离子束增强沉积 (IBED)法成功地在 Si(10 0 )衬底上合成了大面积均匀的非晶 Al N薄膜。 XRD和XPS测试结果证实该薄膜为非晶且无单质 Al和 N2 存在 ,随着 Al蒸发速率的提高 ,N/Al下降 ,在 0 .0 5 nm /s及0 .10 nm/s的蒸发速率下制得...
关键词：离子束增强沉积 ALN 薄膜 
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