单电子晶体管

作品数：179被引量：164H指数：6
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基于单电子器件的蔡氏电路实现被引量：1
《微电子学》2011年第2期251-254,共4页李芹 蔡理 杨颖朝 
陕西省自然科学基金资助项目(2005F20);空军工程大学科研基金资助项目(2005ZK19)
基于提出的单电子晶体管和MOS混合器件构成的非线性电阻电路以及CMOS构建的模拟电感,实现了一种新型蔡氏混沌电路,得到其双涡卷混沌吸引子。研究表明,该混沌电路具有结构简单、功耗较低,实现效果好、集成度高等优点,为混沌电路在理论和...
关键词：单电子晶体管 蔡氏电路 混沌 涡卷 
基于单电子晶体管的动态全加器电路设计
《微电子学》2009年第3期405-409,共5页吴刚 蔡理 李芹 
陕西省自然科学基础研究计划基金资助项目(2005F20)
基于单电子晶体管的I-V特性,运用CMOS动态电路的设计思想,提出了一种基于单电子晶体管的全加器动态电路,利用SPICE对设计的电路进行了仿真验证,分析了电荷分享问题。相对于静态互补逻辑电路的设计方法,基于单电子晶体管的动态逻辑电路...
关键词：单电子晶体管 动态逻辑电路 全加器 
基于SET/MOS混合结构的只读存储器设计
《微电子学》2008年第6期895-898,共4页李芹 蔡理 吴刚 
陕西省自然科学基金资助项目(2005F20);空军工程大学学术基金资助项目(2005ZK19)
结合单电子晶体管的I-V特性和传统的CMOS工艺设计存储器的思想,设计实现了4×4位的只读存储器电路。该电路各主要组成部分均由单电子晶体管和MOS管的混合结构构成,通过对该电路进行SPICE仿真分析,验证了电路设计的正确性。研究表明,只...
关键词：单电子晶体管 MOS晶体管 反相器 译码器 只读存储器 
基于单电子晶体管的类双涡卷混沌电路
《微电子学》2005年第5期557-560,共4页刘河潮 蔡理 王森 
陕西省自然科学基金资助项目(2002F34);空军工程大学学术基金资助项目(2002X12)
基于单电子晶体管的特性,利用电流模式技术,提出一种单电子晶体管(SET)的混沌电路实现方法。全SET混沌电路的实现,更加便于用集成电路实现,并降低了工作电压,提高了工作频率带宽。利用SPICE对电路进行仿真,结果验证了电路实现的正确性。
关键词：单电子晶体管 I-V特性 混沌电路 
一种基于多输入单电子晶体管的比较器电路被引量：2
《微电子学》2005年第1期59-62,共4页刘河潮 蔡理 王森 
陕西省自然科学基金项目(2002F34)空军工程大学学术基金项目(2002X12)
基于多输入单电子晶体管(SET)的I-V特性和CMOS数字电路的设计思想,提出了一 种由18个互补型SET和1个双栅极SET构成的1位比较器电路结构。该比较器优点为:利用一个双 栅极SET的固有特性,使异或逻辑块得到了简化,减少了晶体管的数目;电压...
关键词：单电子晶体管 双栅极SET 比较器 SPICE 宏模型 
一种基于单电子晶体管的二阶低通滤波器
《微电子学》2004年第6期675-677,681,共4页陈学军 蔡理 孙铁暑 
陕西省自然科学基金资助项目(2002F34);空军工程大学学术基金资助项目(2002X12)
　在研究单电子晶体管(SET)I-V特性的基础上,阐明了一种分区处理法,设计了一个SET积分器电路。并据此实现了一个SET二阶低通滤波器,说明了该滤波器的工作条件、结构、性能、参数和特点。仿真结果表明,该滤波器的传输特性与采用其它两种...
关键词：单电子晶体管 I-V特性 积分器 低通滤波器 传输特性 
单电子晶体管的I-V特性数学模型及逻辑应用
《微电子学》2004年第3期269-272,共4页孙铁署 蔡理 
陕西省自然科学基金项目(2002F34);空军工程大学学术基金项目(2002X12)
　基于正统单电子理论,提出了单电子晶体管的I-V特性数学算法改进模型。该模型的优点是:考虑了背景电荷的影响,可由实际物理参数直接获得,支持双栅极工作,便于逻辑电路的分析。研究了背景电荷和各物理参数对I-V特性及跨导的影响,讨论了...
关键词：单电子晶体管 背景电荷 双栅 异或 二叉判别图 
纳米结构的制备及其应用
《微电子学》2002年第6期416-418,共3页卢刚 毛胜春 
西安理工大学校长基金资助(No.210201)
　介绍了用电子束光刻、反应离子刻蚀方法制备硅量子线、量子点的工艺方法;采用这种工艺在P型SIMOX(separationbyimplantedoxygen)硅片上成功地制造出一种单电子晶体管。
关键词：纳米结构 单电子晶体管 量子线 量子点 
单电子晶体管研究进展被引量：2
《微电子学》2002年第2期86-92,共7页曾令刚 王庆康 张欣 
文章介绍了单电子晶体管的产生背景、工作原理、最新的制备工艺、计算机数值模拟和存在的问题 。
关键词：单电子晶体管 库仑阻塞 单电荷隧穿 数值模拟 
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