纳米CMOS

作品数：20被引量：12H指数：2
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基于TCAD模型仿真的65纳米CMOS标准单元单粒子闩锁效应防护设计
《微电子学与计算机》2021年第5期73-79,共7页安刚 唐硕 王轩 史合 王倩琼 邓星星 
为提高标准单元在空间辐射条件下抗单粒子闩锁能力,基于65 nm CMOS工艺使用TCAD工具建立了4种保护环结构的3D模型.设计对比了多种抗单粒子闩锁加固方法,对抗辐照性能和设计开销进行了优化.仿真结果显示,使用半封闭型保护环结构可在满足...
关键词：单粒子闩锁 CMOS TCAD LET 重离子试验 
55纳米CMOS图像传感器栅极多晶硅工艺研究
《中国集成电路》2017年第12期64-69,共6页陈昊瑜 田志 
随着市场对于摄像设备的更多和更高性能的需求,基于互补金属氧化物晶体管的图像传感器CIS(CMOS image sensor)由于其优异的性能正逐步取代原有的电荷耦合器件(CCD)。华力55CIS平台将55LP(55纳米低功耗)工艺的逻辑区和客户的像素区结合起...
关键词：CMOS图像传感器(CIS) 多晶硅硬掩膜 多晶硅再氧化 输入输出N型3.3V器件(NIO33) 输入输出N型器件的轻掺杂漏(IONLDD) 
ADI 28纳米CMOS模数转换器树立新性能基准
《单片机与嵌入式系统应用》2017年第6期86-86,共1页
ADI公司推出的AD9208属于新的高速模数转换器（A／D转换器）系列。这款模数转换器专为千兆赫兹带宽应用而设计，能够满足4G／5G多频段无线通信基站对更高频谱效率的需求。该器件也能达到多标准生产仪器仪表降低运行时间的目标，并为防...
关键词：高速模数转换器 性能基准 CMOS 纳米 A/D转换器 电子应用 ADI公司 高频谱效率 
欧盟将研发Ⅲ -Ⅴ族化合物纳米CMOS用于硅系统级芯片
《中国粉体工业》2016年第2期39-40,共2页
未来雷达成像系统和5G通信系统的工作频率更高,在提高精度和数据传输速率的同时,功耗也随之增大。为减小功耗、提高性能、降低成本,欧洲启动＂下一代高性能CMOS SOC Ⅲ -Ⅴ族化合物纳米半导体集成技术＂（INSIGHT）项目,重点开发Ⅲ -Ⅴ...
关键词：CMOS技术 纳米半导体 化合物 系统级芯片 硅基 研发 欧盟 雷达成像系统 
VLSI CMOS模拟集成电路可靠性仿真设计技术被引量：2
《微电子学》2013年第2期250-256,共7页许斌 罗俊 
模拟集成电路重点实验室基金资助项目(9140C090406120C09037);民用航空预先研究资助项目(YG0901-3)
随着超大规模CMOS模拟集成电路工艺技术进入纳米阶段,模拟集成电路面临着日益严峻的可靠性挑战,可靠性仿真设计技术已经成为提升电路固有可靠性的重要途径。对现有的模拟集成电路可靠性仿真设计的文献资料进行了总结,探讨了集成电路可...
关键词：超大规模集成电路 模拟集成电路 纳米CMOS 可靠性设计 自愈模拟电路 
中科院微电子所22纳米CMOS工艺研发取得突破
《自动化信息》2013年第1期80-80,共1页
近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在22纳米CMOS关键技术先导研发上取得突破性进展，在国内首次采用后高K工艺成功研制出包含先进的高Ⅺ金属栅模块的22纳米栅长MOSFETs，器件性能表现良好。22纳米CMOS技术是全球正...
关键词：中科院 微电子所 22nm CMOS工艺 
纳米CMOS电路的单粒子瞬态影响因素研究
《微纳电子技术》2013年第1期6-10,68,共6页刘保军 蔡理 
国家自然科学基金资助项目(61172043);陕西省自然科学基础研究重点资助项目(2011JZ015)
进入纳米尺度后,单粒子瞬态(SET)成为高能粒子入射VLSI产生的重要效应,准确、可靠的SET模拟对评估VLSI的可靠性有着重要的影响。以反相器为例,针对脉冲峰值和半高全宽两个指标,研究了电路模拟中影响SET的因素,主要有电流脉冲幅值、脉冲...
关键词：单粒子瞬态 纳米CMOS 电路模拟 影响因素 加固 
复旦大学在22纳米CMOS关键技术先导研发上取得突破性进展
《纳米科技》2012年第6期90-90,共1页
复旦大学微电子学系张卫教授课题组在22纳米CMOS关键技术先导的研发上取得突破性进展，提出了多种超浅结源漏和先进互连的新工艺。
关键词：CMOS 复旦大学 突破性 研发 技术 纳米 微电子学 课题组 
微纳米CMOS VLSI电路可靠性仿真与设计被引量：5
《微电子学》2012年第2期255-260,共6页罗俊 郝跃 秦国林 谭开洲 王健安 胡刚毅 许斌 刘凡 黄晓宗 唐昭焕 刘勇 
介绍了CMOS VLSI的可靠性建模和仿真技术的发展历史、相应的仿真工具、失效机理等效电路和算法,重点总结了当前最新的CMOS超大规模集成电路可靠性建模仿真技术,为促进我国集成电路可靠性设计水平起到积极的作用。
关键词：微纳米CMOS 超大规模集成电路 可靠性建模 可靠性仿真 
低功耗低电源线噪声纳米CMOS全加器
《微处理机》2012年第2期1-4,共4页田曦 乔飞 董在望 
国家自然科学基金资助项目(60871005)
提出一种低功耗低电源线噪声的纳米CMOS全加器。采用电源门控结构的全加器来降低纳米CMOS电路的漏电功耗,改进了传统互补CMOS全加器的求和电路,减少了所需晶体管的数目,并进一步对休眠晶体管的尺寸和全加器的晶体管尺寸进行了联合优化。...
关键词：全加器 低功耗 电源线噪声 纳米CMOS 
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