许斌

作品数：9被引量：21H指数：4
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供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文主题：半导体绝缘层介质耐压终端深槽更多>>
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VLSI CMOS模拟集成电路可靠性仿真设计技术被引量：2
《微电子学》2013年第2期250-256,共7页许斌 罗俊 
模拟集成电路重点实验室基金资助项目(9140C090406120C09037);民用航空预先研究资助项目(YG0901-3)
随着超大规模CMOS模拟集成电路工艺技术进入纳米阶段,模拟集成电路面临着日益严峻的可靠性挑战,可靠性仿真设计技术已经成为提升电路固有可靠性的重要途径。对现有的模拟集成电路可靠性仿真设计的文献资料进行了总结,探讨了集成电路可...
关键词：超大规模集成电路 模拟集成电路 纳米CMOS 可靠性设计 自愈模拟电路 
集成电路圆片级可靠性测试被引量：4
《微电子学》2013年第1期143-147,共5页秦国林 许斌 罗俊 
模拟集成电路重点实验室基金资助项目(9140C090406120C09037);民用航空预先研究资助项目(YG0901-3)
在集成电路制造厂的工艺监控体系中引入可靠性监控对于控制产品的可靠性十分重要。圆片级可靠性测试技术通过对集成电路产品的工艺过程进行可靠性检测,能够为集成电路制造工艺提供及时的可靠性信息反馈。圆片级可靠性测试通常是采用高...
关键词：圆片级可靠性 集成电路制造 热载流子注入 电迁移 
电子元器件加速寿命试验的挑战与对策被引量：5
《微电子学》2013年第1期148-152,共5页许斌 
模拟集成电路重点实验室基金资助项目(9140C090406120C09037);民用航空预先研究资助项目(YG0901-3)
加速寿命试验是评价和提升高可靠长寿命电子元器件长期工作可靠性的有效方法。详细介绍了电子元器件加速寿命试验方案设计和实施中需要考虑的主要问题;通过一个实例,说明了不充分的加速寿命试验最终可能在现场应用中引起严重的事故;探...
关键词：高可靠性 电子元器件 加速寿命试验 可靠性评价 
采用TEG技术的半导体集成电路可靠性评价方法被引量：4
《微电子学》2012年第6期855-859,共5页许斌 
详细介绍了一种新近采用的先进半导体集成电路可靠性评价技术———TEG技术。对其基本概念、评价方法以及应用情况进行了详细的阐述,重点介绍了其中的WLR TEG可靠性在线检测与控制技术;最后,对我国开展相关工作提出了切实可行的建议,以...
关键词：半导体集成电路 可靠性评价 测试元素组 固有可靠性 
用镀层孔隙表征外壳耐腐蚀性的方法探讨被引量：2
《电子产品可靠性与环境试验》2012年第5期6-10,共5页秦国林 许斌 黄代会 巴林 
介绍了电子器件外壳表面镀层孔隙显色的原理、方法及工艺条件,通过研究电镀层孔隙变色面积与实际盐雾腐蚀面积的关系,建立了用孔隙显色来评价电子器件外壳表面镀层的抗腐蚀性的方法。
关键词：外壳 镀层表面孔隙 孔隙变色 盐雾腐蚀 
集成电路标准规范中的LTPD抽样浅析被引量：1
《微电子学》2012年第3期445-448,共4页秦国林 许斌 罗俊 
介绍了集成电路失效率抽样检查的基础理论,论述集成电路标准规范中最常用的LTPD方案,并对LTPD抽样方案中的抽样样本大小进行了计算。
关键词：集成电路 LTPD 抽样 失效率 
微纳米CMOS VLSI电路可靠性仿真与设计被引量：5
《微电子学》2012年第2期255-260,共6页罗俊 郝跃 秦国林 谭开洲 王健安 胡刚毅 许斌 刘凡 黄晓宗 唐昭焕 刘勇 
介绍了CMOS VLSI的可靠性建模和仿真技术的发展历史、相应的仿真工具、失效机理等效电路和算法,重点总结了当前最新的CMOS超大规模集成电路可靠性建模仿真技术,为促进我国集成电路可靠性设计水平起到积极的作用。
关键词：微纳米CMOS 超大规模集成电路 可靠性建模 可靠性仿真 
温度循环对半导体集成电路气密性的影响
《微电子学》2003年第5期425-427,共3页许斌 
　研究了温度循环对半导体集成电路气密性的影响,阐述了影响集成电路管壳气密性的各种因素;提出了一种摸底试验的方法;对5种集成电路管壳进行了温度循环试验,并对试验结果进行了分析。就试验的几种外壳来看,至少可以经受1000次温度循环...
关键词：温度循环 半导体集成电路 气密性 集成电路管壳 产品质量 
结构相似性原理在半导体集成电路检验中的应用被引量：2
《电子产品可靠性与环境试验》2002年第4期44-45,共2页许斌 
介绍了如何应用结构相似性程序对半导体集成电路的最终检验进行分组和试验,从而提高检验效率,降低检验成本。
关键词：结构相似性 半导体集成电路 检验 应用 检验方案 
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