结型

作品数：1068被引量：3162H指数：21
导出分析报告
相关领域：医药卫生电子电信更多>>
相关作者：张波王玉军王敬王辉国李泽宏更多>>
相关机构：电子科技大学西安电子科技大学山东中医药大学成都中医药大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=电子科技文摘x
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
半导体器件
《电子科技文摘》2006年第9期29-29,共1页
0622900电流拥抒效应对GaN基发光二极管可靠性的影响[刊,中]/艾伟伟//激光与红外．—2006,36(6)．—491- 494,503(G) 0622901 PLD在三态采样一保持开关功放中的应用研究[刊,中]/张丹红//电子科技．—2006,(6)．—59-61(D)分析了两态采...
关键词：半导体器件 电子设备 发光二极管 结型发光器件 可编程逻辑器件 双极器件 开关功率放大器 功放系统 时序仿真 紧致差分 
半导体二极管
《电子科技文摘》2006年第7期24-25,共2页
关键词：发光二极管 GAN 衬底 结型发光器件 基片 晶体二极管 半导体二极管 LED 结温 发光学报 
半导体二极管
《电子科技文摘》2006年第2期25-26,共2页
0603317 提取MOSFETs界面态分布的子带隙光栅极二极管方法=Sub-bandgap photonic gated-diode method for extracting distributions of interface states in MOSFETs[刊, 英]／S．S．Chi,H．T．Kim／／Electronics Letters．-2003, 39(...
关键词：发光二极管 白光 结型发光器件 半导体二极管 晶体二极管 发光颜色 LED 
半导体器件
《电子科技文摘》2001年第12期19-19,共1页
Y2001-62839 01204922000年 IEEE 双极/BiCMOS 电路与技术会议录=2000 IEEE proceedings of bipolar/BiCMOS circuits
关键词：半导体器件 研究与进展 技术会议 异质结双极晶体管 肖特基势垒二极管 结型晶体管 通信电路 固体电子学 工艺 反向电流密度 
晶体管、MOS器件
《电子科技文摘》2001年第5期15-17,共3页
N2001-07044 0107554电子情报通信学会技术研究报告:硅材料与器件SDM99-199～211(信学技报,Vol.99,No.618)[汇,曰]/日本电子情报通信学会.—2000.02.—90P.(L)本文集内容与信学技报,Vol.99,No.616相同。请参见文献 N2001-07042。Y2000-6...
关键词：高电子迁移率晶体管 肖特基势垒栅场效应晶体管 绝缘栅双极晶体管 开发与应用 情报通信 器件 高功率 研究报告 硅材料 结型晶体管 
半导体与微电子技术
《电子科技文摘》2000年第11期21-21,共1页
Y2000-62007-164 0018084双极结型二极管:一种新功率二极管概念=The bipo-lar junction diode(BJD):a new power diode concept[会,英]/You,B.D.& Huang,A.Q.//Ⅵ IEEE In-temational Power Electronics Congress.—164～169(PC)Y2000-6...
关键词：局部寿命控制 结型二极管 数值分析 功率二极管 微电子技术 会议录 光电子学 微波器件 电子器件 微波半导体器件 
接插元件、继电器、开关、熔断器
《电子科技文摘》2000年第5期13-14,共2页
Y2000-62078-339 0007345高压可控开关(收录论文4篇)=Session 11:HV-con-trolled switches[会,英]//1999 International Symposiumon Power Semiconductor Devices and IC’s.—339～354(U)收录论文的题目有:高压 4H-SiC 纵向结型场效...
关键词：晶闸管 接插元件 结型场效应晶体管 继电器 收录论文 熔断器 肖特基二极管 动态特性 功率器件 设计方法 
专用测量及设备
《电子科技文摘》2000年第4期92-93,共2页
Y2000-62031-1 0006470VLSI 设计中等离子体感应损伤条件的识别=Identifi-cation of plasma induced damage conditions in VLSI de-signs[会,英]/Simon,P.& Maly,W.//1999 IEEE In-ternational Conference on Microelectronic Test Struc-
关键词：等离子体 测试结构 电阻测量 特性分析 设备 栅氧化物 损伤 专用 结型晶体管 识别 
半导体物理
《电子科技文摘》2000年第1期22-23,共2页
Y99-61590-201 0000249利用一种新的电荷抽运分析法对 MOS 晶体管中 Si-SiO2界面陷阱层参数的抽取=Extraction of the Si-SiO2interface trap layer parameters in MOS transistors usinganew charge pumping ana...
关键词：硅双极晶体管 发射极 界面陷阱 电流增益 隧道电流 结型晶体管 半导体物理 双极器件 分析法 衬底 
晶体管、MOS 器件
《电子科技文摘》2000年第1期25-32,共8页
Y99-61525-139 0000286低噪声放大器用的 GaAs MESFETs 的最佳宽度=Onthe optimum width of GaAs MESFETs for low noise am-plifiers[会,英]/Taylor,S.S.//1998 IEEE Radio Fre-quency Integrated Circuits Symposium.—139～142(AZ)Y9...
关键词：结型晶体管 异质结双极晶体管 场效应晶体管 绝缘栅双极晶体管 功率器件 器件结构 可靠性 发射极开关晶闸管 低噪声放大器 收录论文 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部