晶体管结构

作品数：15被引量：6H指数：2
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新型锗源环栅线隧穿晶体管结构设计及优化
《固体电子学研究与进展》2022年第6期441-448,共8页糜昊 马鑫 苗渊浩 芦宾 
国家自然科学基金资助项目(62004119);山西省应用基础研究计划资助项目(201901D211400)。
设计了一种锗源环栅线隧穿晶体管(GAA-LTFET),并采用TCAD工具对其工作原理进行了分析,通过双栅功函数技术抑制寄生点隧穿机制,消除了转移电流曲线上的驼峰现象,提高器件特性。此外,还针对源区掺杂浓度和沟道厚度等关键参数进行了分析和...
关键词：隧穿场效应晶体管(TFETs) 线隧穿 Ge/Si异质结 环栅 亚阈值摆幅 
半导体制程前沿技术与新型晶体管结构
《电子元器件与信息技术》2022年第5期13-16,共4页沈志春 夏玥 张清贵 刘心舸 吴欣延 
随着半导体制程技术的进步,晶体管尺寸越来越小。目前,世界成熟主流的半导体制程从0.35μm发展到4nm,半导体制程达到4nm后,想要继续发展遇到了很多的困难,因此需要开发新型的半导体晶体管结构,以满足更先进的半导体制程工艺的发展需要...
关键词：半导体制程 全环绕栅极 Forksheet结构 CFET结构 
日本台湾合作开发新型晶体管结构 助力2nm技术
《半导体信息》2021年第2期25-26,共2页
3月9日消息,中国台湾半导体研究中心(TSRI)与日本产业技术总合研究所(AIST)合作,开发新型晶体管结构。日本媒体指出,这有助制造2nm以下线宽、规划应用在2024年后的新一代先进半导体。中国台湾半导体研究中心在去年12月下旬公布,于IEEE...
关键词：电子组件 直接键合 半导体研究 中国台湾 规划应用 合作开发 基板 互补式 
红外光电晶体管结构参数优化及温度稳定性研究被引量：1
《电子元件与材料》2019年第7期55-62,共8页王宁 李伟 范文兵 郭海松 
河南省第九批重点学科:通信与信息系统(教高[2017]765号);河南省科技厅科技攻关计划(社会发展类)(172102310634);郑州市科技局科技攻关计划(20150339)
基于非等温能量传输模型,利用TCAD半导体器件仿真软件对红外光电晶体管外延层电阻率、基区表面浓度和基区宽度参数进行优化设计。根据不同环境温度情况下AlGaAs/GaAs发光二极管的发光强度,深入分析了光电晶体管结构参数对不同环境温度...
关键词：光电晶体管 结构参数 电流传输比 击穿电压 饱和压降 温度稳定性 优化 
基于垂直晶体管结构的低电压并五苯光电探测器被引量：2
《物理学报》2015年第10期410-415,共6页杨丹 张丽 杨盛谊 邹炳锁 
国家自然科学基金(批准号:60777025);北京市科技新星计划交叉学科合作(批准号:XXHZ201204);传感器技术国家重点实验室开放基金项目(批准号:SKT1404);北京理工大学杰出中青年教师支持计划(批准号:BIT-JC-201005);"111"引智计划(批准号:BIT111-201101)资助的课题~~
并五苯(Pentacene)具有优良的场效应晶体管特性及在可见光区的高吸收系数,被广泛应用于光敏(电)晶体管中.垂直晶体管的沟道长度可做到纳米量级,能有效提高器件的性能和工作频率,同时降低能耗.本文制备了一种基于垂直晶体管结构的低电压...
关键词：垂直结构晶体管 有机光电探测器 响应度 并五苯 
5.8GHz堆叠式功率放大器设计被引量：1
《微波学报》2014年第3期77-79,83,共4页陈涛 田婷 吴建辉 高怀 
基于2μm GaAs HBT工艺,采用堆叠晶体管结构设计了一款5.8GHz功率放大器。通常堆叠式功率放大器在高频情况下,上下两层晶体管间需要电感来完成功率匹配,在芯片设计中其电感会增加版图面积和级间功耗,为此该设计则利用上层晶体管的基极...
关键词：功率放大器 堆叠晶体管结构 级间匹配 
电压比较器工作原理及应用（下）被引量：2
《无线电》2005年第2期66-66,共1页方佩敏 
LM311是单比较器、LM393是双比较器、LM339是四比较器。它们都是晶体管结构，输出级是集电极开路结构。LM311是一种多用途的电压比较器，它具有失调电压平衡调节端(或用作选通端)，并且具有连接负载多样性及输出电流可达50mA的特点。
关键词：电压比较器 工作原理 LM311 LM393 晶体管结构 
寻求最终亚-50纳米CMOS器件结构(英文)
《南京师范大学学报（工程技术版）》2003年第4期51-54,共4页Rambhatla A Hackler D R Parke S A 
主要介绍了对各种非典型CMOS结构的研究 ,从而寻求最终的结构模式适应不断变化的CMOS发展技术 .
关键词：CMOS器件 非典型结构 晶体管结构 
加强科学技术创新,迎接集成电路的纳米时代
《中国集成电路》2002年第10期18-21,共4页吴德馨 
自1965年提出摩尔定律近40年来,集成电路持续地按此定律的增长历程证明了摩尔定律的强大生命力。即集成电路中晶体管的数目每18个月增加一倍。每2～3年制造技术更新一代,这是基于栅长度不断缩小的结果。
关键词：集成电路产业 晶体管结构 科学技术创新 分子电子器件 纳米时代 摩尔定律 量子点 器件特性 新原理 栅长 
放大技术、放大器
《电子科技文摘》1999年第5期43-45,共3页
Y98-61303-743 9906005带有 AlInAs/GaInAs 转移衬底异质结双极晶体管（HBT）的50GHz 反馈放大器=A 50GHz feedback am-plifier with AlInAs/GaInAs transferred-substrate HBT[会,英]/Agarwal,B.& Mensa,D.//1997 IEEE In-ternational ...
关键词：异质结双极晶体管 双极运算放大器 放大技术 超高速集成电路 低噪声放大器 功率放大器 反馈放大器 宽带放大器 阻性反馈 晶体管结构 
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