静态随机存取存储器

作品数：86被引量：134H指数：7
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源端射频干扰下SRAM的抗扰性分析被引量：1
《微电子学》2022年第1期139-143,共5页徐小清 张志文 粟涛 
广东省自然科学基金面上项目(2021A1515011922)。
目前已有一些在ESD和电磁干扰下存储器行为的表征研究,但对静态随机存取存储器(SRAM)的连续波抗扰度的频率响应特性的研究很少。文章研究了SRAM在射频电磁干扰下的失效行为与机理。对SRAM芯片进行射频干扰测试发现,SRAM失效行为与其工...
关键词：静态随机存取存储器 电磁干扰 失效机理 
基于SRAM的软硬件协同转置存储器设计与实现
《微电子学》2013年第6期797-801,共5页郑艳丽 李丽 潘红兵 李伟 沙金 
国家自然科学基金资助项目(61176024;60876017);江苏高校优势学科建设工程资助项目
转置存储是信号处理中常见的算法,矩阵转置的效率对整个算法(如实时成像算法)的性能有着重要影响。在研究各种矩阵转置方法的基础上,提出了一种基于SRAM的软硬件协同转置存储控制器,利用嵌入式处理器进行控制,具有很好的灵活性与可扩展...
关键词：矩阵转置 信号处理 静态随机存取存储器 软硬件协同 
电离总剂量辐射加固SRAM设计
《微电子学》2013年第1期76-80,共5页魏晓敏 高德远 魏廷存 陈楠 
国家重大科学仪器专项(2011YQ);西北工业大学研究生创业种子基金资助项目(Z2012188)
在空间和核辐射环境下,电离总剂量辐射(TID)效应严重影响采用商用CMOS工艺的SRAM的可靠性和寿命。针对SRAM,设计了四种TID加固的存储单元,分析对比了四个加固单元对TID,单粒子闩锁、单粒子翻转三种SRAM中常见辐射效应的抵御水平以及加...
关键词：静态随机存取存储器 辐射加固 电离总剂量辐射 
通用嵌入式SRAM编译器的设计与实现
《微电子学》2013年第1期81-84,共4页王聪 刘鸣 陈虹 郑翔 曹华敏 高志强 
国家科技重大专项资助项目(2011ZX01034-001-001);国家自然科学基金资助项目(60906010)
介绍了一种适用于多厂商、多种工艺和电路结构的嵌入式SRAM IP核编译器设计方法,该方法使编译器的设计复杂度降低30%以上。专用版图处理工具LayoutBuilder能自动完成版图拼接、打孔、画线、添加端口和生成GDSII版图文件等。专用网表处...
关键词：静态随机存取存储器 IP核 编译器 通用性 
45nm工艺下8管双阈值SRAM单元的研究
《微电子学》2012年第4期511-514,517,共5页刘文斌 汪金辉 吴武臣 
北京工业大学博士启动基金资助项目(X0002013201103);国家自然科学基金资助项目(60976028)
比较分析了8管SRAM单元在不同双阈值组合情形下的性能,为不同需求的设计者提供了在静态噪声容限(SNM)、漏功耗和延迟之间做出合理权衡的参考。仿真结果表明,组合C8具有最大的SNM,高阈值晶体管Mnl可以有效抑制漏电流。最后,分析了不同组...
关键词：静态随机存取存储器 静态噪声容限 漏功耗 读写延迟 
不同偏置条件下CMOS SRAM的总剂量辐射效应被引量：4
《微电子学》2011年第1期128-132,共5页李茂顺 余学峰 任迪远 郭旗 李豫东 高博 崔江维 兰博 费武雄 陈睿 赵云 
对1 Mb静态随机存取存储器(SRAM)进行了不同偏置条件下的总剂量辐照效应研究。结果表明,试验选取的CMOS SRAM器件为总剂量辐射敏感器件,辐照偏置条件对器件的电参数退化和功能失效有较大影响。在三种偏置条件中,静态加电为最劣偏置,其...
关键词：静态随机存取存储器 总剂量辐照 偏置条件 
静态随机存取存储器漏电流功耗降低技术被引量：3
《微电子学》2010年第4期551-555,560,共6页吴晨 张立军 马亚奇 郑坚斌 
分析了静态随机存取存储器(SRAM)的漏电流,总结了目前业界所用的各种降低漏电流的技术,包括衬底偏压、源极偏压、双电源电压、字线电压反偏和位线电压浮动结构。它们都是通过改变SRAM各个端点的电压来实现的,在降低漏电流的同时,对SRAM...
关键词：静态随机存取存储器 漏电流 功耗降低技术 
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